意法半導體ST-ONEMP數字控制器簡(jiǎn)化高能效雙端口USB-PD適配器設計
意法半導體的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供電(USB-PD)數字控制器新增一個(gè)支持雙充電口的ST-ONEMP芯片。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202302/443109.htmST-ONEMP數字控制器基于市場(chǎng)首個(gè)ST-ONE架構,在一個(gè)封裝內集成Arm? Cortex?-M0+ 微控制器、高能效非互補有源鉗位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE 架構的初級側和次級側電路之間電流隔離,極大地簡(jiǎn)化了USB-PD電源適配器的設計和組裝。
現在,通過(guò)增加電能共享支持功能,最新的ST-ONEMP簡(jiǎn)化了在USB-PD 輸出外再增加一個(gè)輸出的雙充電口設計,提高終端用戶(hù)的充電靈活性和便利性。
在ST-ONEMP內部,Cortex-M0+ MCU微控制器位于充電器次級側,片上64KB閃存用于保存定制USB-PD協(xié)議和電源轉換固件。微控制器預裝USB-PD 3.1 PPS 認證固件,準許開(kāi)發(fā)者為標準應用提供總包方案。MCU 控制同步整流器和反激式轉換器,并針對零電壓開(kāi)關(guān)非互補有源鉗位拓撲優(yōu)化了微控制器,因為在高功率時(shí),零電壓開(kāi)關(guān)非互補有源鉗位能效高于傳統準諧振反激式變換拓撲。
ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。MasterGaN技術(shù)包含意法半導體的集成柵極驅動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導體GaN技術(shù)的開(kāi)關(guān)頻率比傳統硅 MOSFET更高,使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設計規范的高能效。
意法半導體用 ST-ONEMP 和 MASTERGAN4開(kāi)發(fā)了EVLONEMP 65W + 10W AC/DC適配器參考設計,適配器的重量和體積與20W單端口智能手機充電器相當。峰值能效為 94%,比同類(lèi)傳統雙口適配器高 2%,而 PCB 面積僅為傳統適配器的四分之一。因此,原始設備制造商可以縮減外殼尺寸,節省能源,減少塑料使用,提供更環(huán)保的產(chǎn)品。
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