提升電機系統能效 響應國家“雙碳”政策

響應“雙碳”政策 功耗問(wèn)題不可忽視

隨著(zhù)碳達峰和碳中和問(wèn)題變得越來(lái)越重要，東芝集團于2020 年9 月18 日已經(jīng)獲得了SBT（Science Based Targets）認定。SBT 倡議組織認定東芝到2030 年度為止的溫室氣體減排目標符合科學(xué)依據，并且符合《巴黎協(xié)定》中“將全球平均氣溫較前工業(yè)化時(shí)期上升幅度控制在2 攝氏度以?xún)?，并努力將溫度上升幅度限制?.5 攝氏度以?xún)取钡囊蟆?/p>

為了實(shí)現上述目標，在當前自動(dòng)化程度的不斷提高，電機的應用場(chǎng)合越來(lái)越多的大環(huán)境下，電機系統的功耗變得不可忽視，而這其中牽涉到兩個(gè)較為關(guān)鍵的因素，一個(gè)是器件本身的功耗，另一個(gè)是實(shí)現方法也就是解決方案的功耗。東芝半導體作為電機驅動(dòng)集成電路的重要供應商之一，從產(chǎn)品開(kāi)發(fā)設計、工藝、方案等方面始終致力于能耗的降低，從降低現存工藝產(chǎn)品的功耗到加快第三代半導體（SiC/GaN）的創(chuàng )新開(kāi)發(fā)，不斷提升半導體器件對電子產(chǎn)品節能降耗的貢獻。這其中電機的無(wú)刷化便是其中的考量之一。

提升MCU性能有助于提高電機控制能效

在電機控制部分，MCU（微控制器）是電機控制的核心單元，為了提高電機控制的精度和速度，矢量引擎被廣泛采用，傳統的矢量控制需要消耗大量的軟件資源。如果矢量控制軟件占用了嵌入式存儲器的主要容量，因軟件資源不足會(huì )導致微控制器不能有效地工作。東芝在微控制器中引入了一個(gè)硬件IP（只是產(chǎn)權），它能在沒(méi)有CPU（中央處理器）詳細指令的情況下處理矢量控制中的復雜計算。硬件IP 是矢量引擎。矢量引擎執行從3 相到2 相的轉換、旋轉坐標轉換和那些反向轉換，它們是矢量控制中的主要計算。在矢量控制中與矢量引擎配合使用將會(huì )大大提高微控制器的性能。

第三代半導體帶來(lái)新的性能優(yōu)勢

功率器件在各種電器中的應用越來(lái)越廣泛，特別是對于能效的要求不斷提高的環(huán)境下，電機驅動(dòng)的變頻化比例越來(lái)越高，因此，從電機驅動(dòng)的角度來(lái)說(shuō)，對作為驅動(dòng)電路中的最主要器件的MOSFET 的效率的要求也越來(lái)越高。

下圖的案例是東芝低壓MOSFET（金屬- 氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）在電動(dòng)工具中的應用，通過(guò)采用東芝低導通電阻/ 低開(kāi)關(guān)損耗/ 良好反向恢復特性的低壓MOSFET，使得電機的性能得到充分發(fā)揮。

圖1 東芝低壓MOSFET應用

在世界范圍內，第三代半導體的發(fā)展如火如荼，特別是第三代半導體在功率器件上的優(yōu)異表現引人關(guān)注。與硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一種介電擊穿強度更大、飽和電子漂移速度更快且熱導率更高的半導體材料。因此，與硅器件相比，當用于半導體器件中時(shí)，碳化硅器件可以提供高耐壓、高速開(kāi)關(guān)和低導通電阻。鑒于該特性，其將成為有助于降低能耗和縮小系統尺寸的下一代低損耗器件。

（本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2022年3月期）