EPC推出基于氮化鎵器件的12 V/48 V、500 W 升壓轉換器演示板，BOM尺寸與硅器件相同，可實(shí)現高效率和高功率密度
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宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出12 V輸入、48 V輸出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166）。該演示板展示出瑞薩電子ISL81807 80 V兩相同步升壓控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，在開(kāi)關(guān)頻率為500 kHz的12 V輸入到48 V穩壓輸出轉換中，效率超過(guò)96.5%。輸出電壓可配置為36 V、48 V和60 V。該板在沒(méi)有散熱器的情況下，可提供480 W的功率。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202201/430752.htm穩壓DC/DC升壓轉換器廣泛用于數據中心、計算和汽車(chē)應用，在其他輸出電壓中，將標稱(chēng)的12 V轉換為48 V的配電總線(xiàn)。主要的趨勢是朝著(zhù)實(shí)現更高的功率密度發(fā)展。
eGaN?場(chǎng)效應晶體管具有快速開(kāi)關(guān)、高效率和小尺寸等優(yōu)勢，可以滿(mǎn)足這些前沿應用對功率密度的嚴格要求。EPC2218是市場(chǎng)上最小、效率最高的100 V的 FET。ISL81807是業(yè)界首款集成GaN驅動(dòng)器的80 V雙路輸出/兩相（單輸出）同步降壓控制器，可支持高達2 MHz頻率。ISL81807采用電流模式控制，產(chǎn)生兩個(gè)獨立的輸出或一個(gè)具有兩個(gè)交錯相位的輸出。它支持電流共享，同步并聯(lián)更多的控制器/更多的相位，提高輕負載的效率和低關(guān)斷電流。ISL81807直接驅動(dòng)EPC氮化鎵場(chǎng)效應晶體管，實(shí)現設計簡(jiǎn)單、元件數量少和低成本的解決方案。
宜普公司首席執行官Alex Lidow說(shuō)："瑞薩電子的控制器IC讓工程師更容易使用氮化鎵器件。我們很高興與瑞薩電子合作，將其優(yōu)越的控制器與我們的高性能氮化鎵器件結合起來(lái)，共創(chuàng )共贏(yíng)，為客戶(hù)提供采用少量元件的解決方案，以提高效率、增加功率密度和降低系統成本。"
瑞薩電子移動(dòng)、工業(yè)和基礎設施電源部門(mén)副總裁Andrew Cowell說(shuō)："瑞薩電子的ISL81807旨在高功率密度解決方案中，充分發(fā)揮GaN FET的高性能。ISL81807降低了GaN解決方案的BOM成本，因為它不需要MCU、電流感應運算放大器、外部驅動(dòng)器或偏置電源。它還具有完全保護功能且集成了GaN驅動(dòng)器。有了ISL81807，使用氮化鎵場(chǎng)效應晶體管的設計就像使用硅基場(chǎng)效應晶體管一樣簡(jiǎn)單?！?/span>
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