Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級模塊，輸出電流提高11 %
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊 —— SiZF300DT ,將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET? MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個(gè)小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix SiZF300DT 提高了功率密度和效率,同時(shí)有助于減少元器件數量,簡(jiǎn)化設計,適用于計算和通信應用功率轉換。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202007/415353.htm日前發(fā)布器件中的兩個(gè)MOSFET采用半橋配置內部連接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V條件下,最大導通電阻分別為4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V條件下,導通電阻分別為1.84 mW和2.57 mW。兩個(gè)MOSFET典型柵極電荷分別為6.9 nC和19.4 nC。
SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類(lèi)似導通電阻的雙片器件節省65 %的空間,是市場(chǎng)上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。器件為設計人員提供節省空間的解決方案,適用于圖形加速卡、計算機、服務(wù)器以及通信和RF網(wǎng)絡(luò )設備的負載點(diǎn)(POL)轉換、電源以及同步降壓和DC / DC轉換器。
雙MOSFET采用獨特的引腳配置結構,電流相位輸出電流比相同占位面積的同類(lèi)產(chǎn)品高11 %,此外,輸出電流超過(guò)20 A時(shí)具有更高的效率。器件引腳配置和大PGND 焊盤(pán)還可以增強散熱,優(yōu)化電路,簡(jiǎn)化PCB布局。
SiZF300DT 經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測試,符合RoHS要求標準,無(wú)鹵素。
新款雙MOSFET模塊現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn),大宗訂貨供貨周期為12周。
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