民進(jìn)中央建議將功率半導體新材料研發(fā)列入國家計劃

中國統一戰線(xiàn)新聞網(wǎng)聯(lián)合中國共產(chǎn)黨新聞網(wǎng)推出的“2020年全國兩會(huì )各民主黨派提案選登”報道顯示，民進(jìn)中央擬提交“關(guān)于推動(dòng)中國功率半導體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展的提案”。 

近年來(lái)，國家出臺了一系列政策措施支持和推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，取得了較為突出的成效，已基本完成了產(chǎn)業(yè)鏈的布局，且在功率半導體領(lǐng)域呈現多點(diǎn)開(kāi)花的良好形勢。

但提案注意到，當前從全球功率半導體市場(chǎng)看，一方面傳統的硅材料功率半導體仍然有巨大的發(fā)展空間，有研 究顯示全球市場(chǎng)的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導體芯片市場(chǎng)應用量是約3億多美金，硅材料功率半導體芯片市場(chǎng)應用量超過(guò)200億美金。國際市場(chǎng)的 IGBT 芯片主流是硅材料5代、6代及7代產(chǎn)品，國際功率半導體行業(yè)認為，硅材料功率半導體材料已經(jīng)有30多年的大規模市場(chǎng)應用驗證，穩定可靠，價(jià)格低，尚有技術(shù)發(fā)展空間等特點(diǎn)，在未來(lái)至少7至8年左右仍是市場(chǎng)應用主流。另一方面以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料正蓬勃發(fā)展，而我國碳化硅、氮化鎵功率半導體器件研發(fā)起步晚，在技術(shù)上仍有很大差距?？上驳氖?，在國家多項科研計劃的扶持下，這方面已經(jīng)大幅縮小了與國際的技術(shù)差距，并取得了不少成就。

根據提案，隨著(zhù)工業(yè)、汽車(chē)、無(wú)線(xiàn)通訊和消費電子等領(lǐng)域新應用的不斷涌現以及節能減排需求日益迫切，我國功率半導體有龐大的市場(chǎng)需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù)，在國家政策利好下，功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口。為此，建議：

一、進(jìn)一步完善功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，大力扶持硅材料功率半導體芯片技術(shù)攻關(guān)，立項支持硅材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術(shù)。經(jīng)過(guò)多年布局和發(fā)展，我國在硅材料 IGBT芯片技術(shù)方面有一定的技術(shù)基礎和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設計及批量制造工藝技 術(shù)作為發(fā)展重點(diǎn)，采取先易后難、解決“有無(wú)”問(wèn)題的發(fā)展策略，盡快實(shí)現功率半導體芯片自主供給。

二、加大新材料科技攻關(guān)。大數據傳輸、云計算、AI 技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對網(wǎng)絡(luò )傳輸速度及容量提出了越來(lái)越高的要求，大功率芯片的市場(chǎng)需求非常大。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢看，碳化硅、氮化鎵等新材料應用于功率半導體優(yōu)勢明顯，是下一代功率半導體的核心技術(shù)方向。目前碳化硅、氮化鎵市場(chǎng)處于起步階段，國內廠(chǎng)商與海外傳統巨頭之間差距較小，國內企業(yè)有望在本土市場(chǎng)應用中實(shí)現彎道超車(chē)。 一是要把功率半導體新材料研發(fā)列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰略制高點(diǎn)。二是引導企業(yè)積極滿(mǎn)足未來(lái)的應用需求，進(jìn)行前瞻性布局。推動(dòng)功率半導體龍頭企業(yè)著(zhù)力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)、應用技術(shù)難題，在國際競爭中搶占先機。三是要避免對新概念的過(guò)熱炒作。新材料從發(fā)現潛力到產(chǎn)業(yè)化，需要建立起高效的產(chǎn)學(xué)研體系，打造更加開(kāi)放包容的投資環(huán)境。

三、謹慎支持收購國外功率半導體企業(yè)。通過(guò)收購很難實(shí)現完全學(xué)會(huì )和掌握國際先進(jìn)的功率半導體芯 片設計及制造工藝技術(shù)，同時(shí)海外工廠(chǎng)制造的產(chǎn)品仍然存在著(zhù)無(wú)法出口到中國的危險。