GT Advanced Technologies和安森美半導體 簽署生產(chǎn)和供應碳化硅材料的協(xié)議

近日，GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導體（ON Semiconductor），宣布執行一項為期五年的協(xié)議，總價(jià)值可達5,000萬(wàn)美元。根據該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng )新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導體生產(chǎn)和供應CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長(cháng)市場(chǎng)和應用。

GTAT總裁兼首席執行官Greg Knight說(shuō)：“我們很高興與安森美半導體合作，該公司是提供電力電子應用的先進(jìn)半導體公認全球領(lǐng)袖之一。我們今天的協(xié)議有助于解決SiC作為電力電子應用首選半導體基板材料的陡峭增長(cháng)軌跡?！?/p>

安森美半導體全球供應鏈高級副總裁Brent Wilson說(shuō)：“安森美半導體在大批量晶圓生產(chǎn)的40年經(jīng)驗結合GTAT在SiC晶體增長(cháng)的專(zhuān)知及迅速發(fā)展，將創(chuàng )建一個(gè)強固、可擴展的供應鏈，支持活躍的大功率寬禁帶市場(chǎng)。我們很高興與GTAT合作，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)SiC寬禁帶材料技術(shù)，并增強我們在這快速發(fā)展領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！?/p>

高增長(cháng)應用如電動(dòng)汽車(chē)（EV）牽引系統、混合動(dòng)力和插電式EV、太陽(yáng)能和能源存儲，以及EV充電等都需要并且依賴(lài)于高質(zhì)量、具成本競爭力的SiC材料的穩定供應。安森美半導體將使用GTAT專(zhuān)有的150mm SiC晶體來(lái)制造SiC晶圓，以進(jìn)一步加速成為SiC供應鏈中的垂直集成供應商，并維持其世界級的供應。該協(xié)議將促進(jìn)領(lǐng)先業(yè)界的SiC的供應，以幫助工程師解決最獨特的設計挑戰。