西數發(fā)布BiCS5閃存技術(shù):112層堆棧 1.33Tb世界最高密度QLC
西數公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5,這是西數與鎧俠(原來(lái)的東芝存儲)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的,在原有96層堆棧BiCS4基礎上做到了112層堆棧,有TLC及QLC閃存兩種類(lèi)型,最高核心密度1.33Tb,是目前存儲密度最高的產(chǎn)品。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202001/409518.htm西數存儲芯片技術(shù)和制造高級副總裁Steve Paak博士表示,在進(jìn)入下一個(gè)十年的時(shí)候,一種新型的3D閃存對持續滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的數據容量及速率的需求至關(guān)重要,而B(niǎo)iCS5的成功研發(fā)體現了西數在閃存技術(shù)上的領(lǐng)導地位及路線(xiàn)圖的強大執行力。
BiCS5閃存是西數目前最先進(jìn)、密度最高的3D NAND閃存,通過(guò)采用第二代多層存儲孔、改進(jìn)工藝及其他3D NANDg功能等手段顯著(zhù)提升了存儲芯片的橫向存儲密度,再加上112層縱向堆棧,使得BiCS5與之前96層堆棧的BiCS4閃存技術(shù)有了明顯提升,存儲容量提升40%,IO性能提升了50%,同時(shí)優(yōu)化了成本。
西數BiCS5閃存主要有TLC及QLC閃存兩種類(lèi)型,初期會(huì )以512Gb核心的TLC開(kāi)始量產(chǎn),后續會(huì )提供更多容量選擇,包括最高密度的1.33Tb QLC閃存,預計2020年下半年開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn),主要生產(chǎn)工廠(chǎng)是日本三重縣四日市及巖手縣北上市的晶圓廠(chǎng)。
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