Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性

　　深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級。新品件經(jīng)過(guò)設定后可支持不同的門(mén)極驅動(dòng)電壓，來(lái)滿(mǎn)足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動(dòng)器、電焊機和電源。

　　SIC1182K可在125°C結溫下提供8 A驅動(dòng)，因此可在不使用推動(dòng)級的情況下支持輸出功率在數百千瓦以?xún)鹊腟iC-MOSFET逆變器設計。這樣將提高系統效率，客戶(hù)只需完成一個(gè)設計即可覆蓋整個(gè)產(chǎn)品陣容中不同額定功率的逆變器。開(kāi)關(guān)頻率高達150 kHz，可支持多種應用。

　　SCALE-iDriver SIC1182K SiC門(mén)極驅動(dòng)器采用Power Integrations的高速FluxLink?通信技術(shù)，可大幅增強絕緣性能。FluxLink是一項革新性的信號傳輸技術(shù)，它可取代光耦器和電容性或硅基方案，顯著(zhù)提高可靠性并提供1200 V加強絕緣。SCALE-iDriver器件還集成了多項對系統至關(guān)重要的保護特性，例如退飽和監控和電流檢測讀出、原方和副方欠壓保護(UVLO)以及高級有源鉗位(AAC)。此外，保護電路還可以在5微秒內提供安全關(guān)斷，滿(mǎn)足SiC器件的快速保護需求。SIC1182K SiC門(mén)極驅動(dòng)器還具有較強的外部磁場(chǎng)抗擾性能，其封裝可提供≥9.5 mm的爬電距離和電氣間隙，并且所采用的材料達到了IEC60112標準的最高CTI級 —— CTI600。

　　Power Integrations門(mén)極驅動(dòng)器產(chǎn)品高級市場(chǎng)總監Michael Hornkamp表示：“碳化硅MOSFET技術(shù)開(kāi)啟了減小尺寸和重量的大門(mén)，并且還可以降低電源系統的損耗。SCALE-iDriver產(chǎn)品系列采用FluxLink?技術(shù)，可設計出外圍元件數非常少且性能安全的高性?xún)r(jià)比逆變器，確保功能安全、封裝尺寸更小和效率更高?！?/p>

　　SCALE-iDriver技術(shù)可大幅減少所需的外圍元件數，并降低BOM成本;不需要使用鉭電容或電解電容，只需要一個(gè)副方繞組即可?？梢允褂秒p層PCB來(lái)進(jìn)一步簡(jiǎn)化設計、減少元件數和簡(jiǎn)化供應鏈管理。

　　Power Integrations的SCALE-iDriver SIC1182K SiC門(mén)極驅動(dòng)器符合1000 V以下低壓設備IEC60664-1絕緣配合標準以及IEC61800-5-1電機驅動(dòng)變頻器標準。新器件即將進(jìn)行UL 1577安全標準的1分鐘內5 kVAC瞬間絕緣耐電壓等級認證，VDE0884-10認證正在進(jìn)行中。

　　該器件現已開(kāi)始供貨，以10,000片為單位訂貨，單價(jià)為4.65美元。