如何創(chuàng )建可編程輸出反相降壓-升壓穩壓器

　　3.使用單PNP的部署。

　　PNP Q1的基極接地，反射極通過(guò)電阻器連接DAC/電壓源。電壓源高于PNP基地發(fā)射下拉(VBE)時(shí)，會(huì )產(chǎn)生等式1所述的電流：

　　Rext設定為50kΩ。FB節點(diǎn)可以應用基爾霍夫電流定律，您可以使用等式2計算電流IX：

　　在等式2中代入等式1，得出等式3，由此可以計算出調整輸出電壓VOUT所需的編程電壓VX：

　　將等式3變成等式4，可以得出根據VX值進(jìn)行變成的VOUT:

　　等式4說(shuō)明了VOUT對晶體管VBE的從屬關(guān)系。晶體管VBE本身取決于集電極電流，隨溫度變化時(shí)，會(huì )影響編程VOUT的精確度。

　　下一個(gè)方法說(shuō)明了如何從等式中移除VBE。圖4所示是一個(gè)有兩個(gè)PNP晶體管的電路，所采用的連接方式可以抵消VBE的影響。

　　方法2：使用兩個(gè)PNP的電平位移器

　　4.使用兩個(gè)PNP抵消VBE的部署。

　　本方法需要使用兩個(gè)PNP，最好是使用兩個(gè)組合包裝的PNP BJT，以確保兩個(gè)晶體管之間匹配良好。本方法還可以減少輸出電壓編程中的錯誤。

　　Q1晶體管的基極連接至程控電壓源。發(fā)射極經(jīng)由一個(gè)串聯(lián)電阻器RS連接至另一個(gè)正電軌，并且集電極接地。這樣便可以在晶體管的發(fā)射極形成一個(gè)VX+ VBE電壓。Q2晶體管的發(fā)射極通過(guò)電阻器RX連接至Q1的發(fā)射極。RX設置導入FB節點(diǎn)的電流?；鶚O接地后，Q2發(fā)射極節點(diǎn)產(chǎn)生一個(gè)+VBE。等式5計算了流至發(fā)射極的電流(理想情況)：

　　之前曾解釋過(guò)，晶體管的VBE取決于集電極電流，如等式6所述：

　　其中IC為集電極電流，IS為飽和電流，VT為熱電壓。

　　如果兩個(gè)晶體管的集電極電流差異較大，則VBE不會(huì )完全彼此抵消。等式7闡述了晶體管兩個(gè)VBE之間的差異：

　　簡(jiǎn)化為等式8：

　　其中X為兩個(gè)集電極電流的比率。

　　如您所見(jiàn)，如果兩個(gè)集電極電流相同，則VBE將完全抵消。在圖4所示的配置中，設定RS的值時(shí)，需要確保集電極電流之間的差異不是太大。在本例中，我選擇的RS為10k?，RX為50k?。VBE的增量也會(huì )隨著(zhù)VT而變化，它會(huì )隨著(zhù)溫度變化而發(fā)生。

　　方法3：改良版威爾遜電流鏡

　　使用電流鏡匹配集電極電流是一個(gè)非常有效的方法。對此，相比常規的電流鏡，威爾遜電流鏡是一個(gè)更好的選擇。圖5是威爾遜電流鏡中使用的原理圖。

　　5.使用威爾遜電流鏡部署

　　本方法中，有另外一個(gè)BJT，基極連接至Q1的集電極。Q3的發(fā)射極連接至電流鏡的VBE結點(diǎn)。程控電流經(jīng)Q3晶體管的集電極流至FB引腳。

　　現在可暫時(shí)忽略電阻器RB，等式9按照以下方式計算導入本設置中的參考電流：

　　等式10得出了導入電流與參考電流的比率。

　　在晶體管的增量() 為較大的值時(shí)，可以看到威爾遜電流鏡的精度遠高于標準電流鏡。

　　威爾遜電流鏡不會(huì )完全消除對VBE的依賴(lài)性。但可以通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)單的方法避開(kāi)。將電阻器RB從源VX連接至電流鏡基極，如圖5所示，形成一個(gè)添加至參考電流IX的電流。將等式9改寫(xiě)為等式11：

　　等式12選擇RB：

　　等式13：

　　等式13中的VBE組件完全抵消，得出等式14：

　　等式14說(shuō)明，導入FB節點(diǎn)的電流僅基于程控電壓，不受VBE影響。

　　無(wú)論使用哪一種方法，都可以借助少數幾個(gè)組件為反相電軌創(chuàng )建一個(gè)程控輸出電壓。電路的復雜性依具體的系統要求而異。對于要求極高保真度的應用，威爾遜電流鏡是最佳的解決方案，因為它可以得出與程控電壓最接近的響應。