等間隔的容性負載

圖4.23中的情形，經(jīng)常出現在大的總線(xiàn)結構中，尤其是在包含大的單排存儲模塊囝列的存儲卡上。容性負載的值相等而且間隔均勻地排列。

如果上升沿的長(cháng)度超過(guò)了負載間的距離，則可以推導出這個(gè)電路特性的一個(gè)簡(jiǎn)化的近似表達式。這個(gè)近似表達式將會(huì )告訴我們兩件事：

1）線(xiàn)路的有效阻抗被減小。

2）線(xiàn)路的傳播延遲增加。

這兩項都嚴重地影響了高速信號總線(xiàn)的性能。

1、均勻負載總線(xiàn)的有效阻抗

由于上升沿的有效長(cháng)度與負載間隔相當，按照式（）信號將來(lái)回地反彈。對于非常輕的負載，只需分別把每個(gè)負載的反射累加起來(lái)，就可以計算出總的反射脈沖高度。這些反射信號的總和是一個(gè)最壞的運行情況，因為反射脈沖不會(huì )同一時(shí)間全部到達上任何一點(diǎn)。

第二次和第三次的反射衰減嚴重，因而通常不值得進(jìn)行計算。

對于上升沿長(cháng)度大于負載間隔的情況，每個(gè)電容的影響平均地分布在上升沿的邊上，如果我們采用兩倍數量的電容，而電容的值減小一半，或者是將電容的容量以相等的比率均勻地分布到線(xiàn)路上，產(chǎn)生的效果將沒(méi)有什么不同。

電容均勻地分布地理解這個(gè)電路的關(guān)鍵。

構造一個(gè)新的傳輸線(xiàn)模型，每英寸具有電感和阻抗與原傳輸線(xiàn)相同，但有一個(gè)新的電容，總負載電容除以總路線(xiàn)長(cháng)度的英寸數，得到每英寸的負載電容。然后用這個(gè)電容值加上傳輸線(xiàn)原有的每英寸電容，得出新模型的電容：

其中，C負載=負載電容，PF
N=負載數量
長(cháng)度=總線(xiàn)長(cháng)度，IN
C線(xiàn)=傳輸線(xiàn)的電容，PF/IN
C=新模型的有效電容，PF/IN

現在利用這個(gè)模型，可以重新計算有效傳輸線(xiàn)阻抗Z：

2、一個(gè)均勻負載總路線(xiàn)的傳播延遲

其中，C=新模型的有效電容，PF/IN
L=原有電感，PH/IN

例：均勻負載的總路線(xiàn)

SAM將用SLMM模塊構造一個(gè)大的存儲電路板，他計劃用16個(gè)SIMM組成一個(gè)大存儲器陣列，如圖4.24所示。所有16個(gè)SIMM的地址線(xiàn)并聯(lián)在一個(gè)驅動(dòng)端，記為門(mén)電路A，這里是每條線(xiàn)的臨界參數：

C負載=50PF
N=16
長(cháng)度=8IN
C線(xiàn)PF/IN
L=7250PH/IN

首先計算沿線(xiàn)的有效電容：

用新的電容值重新計算ZO和傳播延遲：

總的線(xiàn)路延遲是：

在第一個(gè)SIMM之后6.9NS，最后一個(gè)SIMM才接收到地址數據，這個(gè)偏移將降低存儲器的定時(shí)裕量，不僅如此，端接值和驅動(dòng)阻抗都不得不非常低。

可能的解決辦法都涉及將SIMM地址總路線(xiàn)分為多條總線(xiàn)，每條總路線(xiàn)上只有少數幾個(gè)負載。

做為一個(gè)檢驗，SAM應該使用與圖1.6中類(lèi)似的電路來(lái)測量總的線(xiàn)路電容（C*長(cháng)度）。SAM可能需要使用比圖1.6中更小的電阻，以提供驅動(dòng)SIMM輸入端在其跳變范圍所需的電流。