MSP430FR59x：超低功耗嵌入FRAM MCU開(kāi)發(fā)方案

　　TI公司的MSP430FR59x系列是超低功耗(ULP)嵌入FRAM的MCU，16位RISC架構高達16MHz時(shí)鐘，工作電壓1.8V~3.6V，多達64kB非易失存儲器工作模式功耗約為100 µA/MHz，待機模式功耗為0.4µA，關(guān)斷時(shí)功耗為0.02µA。器件主要用在儀表、能量收獲傳感器節點(diǎn)、可穿戴電子、傳感器管理和數據記錄應用中。

　　MSP430超低功耗(ULP)的FRAM平臺，結合了獨特的嵌入式FRAM，和整體的超低功耗系統架構，使得創(chuàng )新者可以在降低能耗的同時(shí)提高性能。 FRAM技術(shù)結合了速度、靈活性、耐久性、SRAM的穩定性和閃存可靠性，并且，大大降低了功耗。

　　MSP430的超低功耗FRAM產(chǎn)品，包括了FRAM的各種應用設備，配備了超低功耗16位MSP430單片機CPU，和智能外設多樣化的應用。其超低功耗架構展示了7種低功耗模式，并進(jìn)行優(yōu)化，以延長(cháng)電池使用壽命，應對能源挑戰。

　　圖1 MSP430FR59x系列功能框圖

　　MSP430FR59x主要特性

　　•嵌入式微控制器

　　-16位RISC架構高達16MHz的時(shí)鐘

　　•寬電源電壓范圍(1.8V~3.6V)

　　•優(yōu)化的超低功耗模式

　　-主動(dòng)模式：約100μA/MHz

　　-待機(LPM3，以及VLO)：0.4μA(典型值)

　　-實(shí)時(shí)時(shí)鐘(LPM3.5)：0.25μA(典型值)

　　-關(guān)機(LPM4.5)：0.02μA(典型值)

　　•超低功耗鐵電存儲器(FRAM)

　　-最高64kB非易失性存儲器

　　•超低功耗寫(xiě)入

　　-快速寫(xiě)入，每字125ns(64kB in 4ms)

　　-統一內存=程序+數據+存儲在一個(gè)單一的空間

　　- 1015寫(xiě)周期耐力

　　圖2 評估模塊MSP-EXP430FR5969功能分布圖

　　•耐輻射和非磁性

　　•智能數字外設

　　- 32位硬件乘法器(MPY)

　　-三通道內部DMA

　　•實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，日歷和鬧鐘功能

　　- 5個(gè)16位定時(shí)器，多達七個(gè)捕捉/比較寄存器(每個(gè))

　　- 16位循環(huán)冗余檢查(CRC)

　　•高性能模擬

　　- 16通道模擬比較器

　　- 12位模數轉換器(ADC)，帶有內部參考和多達16個(gè)采樣保持器

　　•外部輸入通道

　　-多功能輸入/輸出端口

　　-所有的引腳支持電容式觸摸功能，無(wú)需外部元件

　　-可接入位，字節和字為單位(成對)

　　•邊緣可選喚醒(所有端口的LPM)

　　圖3 評估模塊MSP-EXP430FR5969電路圖(1)