功率半導體器件的直接均流技術(shù)

4)選定70%ITM(即交點(diǎn)附近)為中心點(diǎn)，以其1.5 和0.5 倍的電流及對應電壓做直線(xiàn)近似得到大電流區對應的門(mén)檻電壓和斜率電阻;再選定以35%ITM 為中心點(diǎn)，以其1.5 和0.5 倍的電流及對應電壓做直線(xiàn)近似得小電流區對應的門(mén)檻電壓和斜率電阻。得到的特性曲線(xiàn)如圖3所示。

6)離交點(diǎn)過(guò)遠做器件并聯(lián)是不妥當的，為此并聯(lián)器件不宜太多，一般以8 個(gè)以?xún)鹊牟⒙?lián)為好，否則并聯(lián)數越多，余量必然越大，越偏離交點(diǎn)。

7)不再保留強迫均流方法一和方法二。

8)酌情保留強迫均流方法三。

9)保留母線(xiàn)、器件、柜體配置及對磁場(chǎng)影響的解決方案。比較好的解決方案是將一組并聯(lián)器件按串接方法用同一組緊固件，類(lèi)似串聯(lián)連接方法緊固，相間器件通過(guò)引出線(xiàn)并聯(lián)在一起，這樣就很好地解決了磁場(chǎng)影響問(wèn)題。

3 器件測試數據匹配和應用

運用上述直接均流技術(shù)，在上海電氣電站設備有限公司上海發(fā)動(dòng)機廠(chǎng)進(jìn)行現場(chǎng)測試，數據記錄如表1 所列(器件為直徑38 mm 的整流二極管，采用雙并后再十并的方式，表中參數意義參見(jiàn)《變頻技術(shù)應用》2009 年第2 期的“多個(gè)器件并聯(lián)中的均流匹配問(wèn)題”)。

測試結果表明：在沒(méi)有任何保護的情況下，實(shí)現理想的直接并聯(lián)連接，均流系數在97%耀98%。

4 結語(yǔ)

器件制造技術(shù)和裝置應用技術(shù)緊密結合是提升器件技術(shù)水平的捷徑。做裝置的要研究器件的內里技術(shù)，做器件的更要研究應用中的技術(shù)問(wèn)題。

直接并聯(lián)技術(shù)的成功應用就是器件制造技術(shù)和裝置應用技術(shù)的創(chuàng )新結合。不同品種功率器件的并聯(lián)會(huì )有些細微差別，但雙極型功率半導體器件直接并聯(lián)技術(shù)自有的內在規律和特點(diǎn)越來(lái)越被認知和接受，其應用的意義和帶來(lái)的效益逐步展示出來(lái)，對它的全面推廣已勢在必行。

注：上海電氣電站設備有限公司上海發(fā)動(dòng)機廠(chǎng)副總工程師王庭山先生等一起進(jìn)行了現場(chǎng)試驗，特致謝意。