一種可控硅驅動(dòng)芯片燒毀的分析

現如今依靠可控硅驅動(dòng)已經(jīng)變得較為普遍。但隨著(zhù)可控硅驅動(dòng)應用的頻繁，一些在使用當中的問(wèn)題也逐漸暴露出來(lái)，比如在一些可控硅驅動(dòng)電路中加上芯片之后，芯片就會(huì )無(wú)端燒毀。本文就將從實(shí)例出發(fā)，介紹一種可控硅驅動(dòng)電源芯片燒毀的情況并進(jìn)行分析。

圖1

電路如圖1所示，板子焊好后單片機先輸出脈沖測試硬件回路，但驅動(dòng)回路一上電，ULN2003便會(huì )燒毀，使用ULN2003的設計很多，但為什么這個(gè)設計的卻會(huì )燒毀呢?難道在軟件上要做處理?還是電路有問(wèn)題?

上電時(shí)脈沖關(guān)閉，所以不會(huì )燒，但只要打開(kāi)脈沖就會(huì )燒毀，對脈沖變壓器的原邊電阻進(jìn)行測量，數值只有7-8歐，通過(guò)計算之后電流肯定超過(guò)了ULN2003的500mA，通過(guò)把脈沖變窄，但還是燒芯片。是否需要在原邊串聯(lián)一個(gè)限流電阻呢?

下面對以上的例子進(jìn)行分析。首先負載已經(jīng)過(guò)重，串電阻限流。如果變壓器本身的額定工作電壓就是24V，那么應采用分立的功率晶體管驅動(dòng)。變壓器的額定工作電壓就是24V，在串電阻限流后，脈沖沒(méi)那有輸入那么寬，只能采用分立的功率晶體管驅動(dòng)。

在24V供電的情況下，ULN2003的負載是3:1的觸發(fā)變壓器，因為可控硅觸發(fā)電壓是7V。此電路的關(guān)鍵之處是2003輸出低電平時(shí)間是幾十微秒(具體數值參看可控硅觸發(fā)變壓器說(shuō)明書(shū))量級的，如果到了微秒一級，觸發(fā)變壓器飽和電流快速增大，2003燒毀是必須的，不存在幸存的任何可能。