多年研發(fā)電源問(wèn)題匯總

問(wèn)題一:我們小功率用到最多的反激電源，為什么我們常常選擇65K或者100K(這些頻率段附近)作為開(kāi)關(guān)頻率?有哪些原因制約了?或者哪些情況下我們可以增大開(kāi)關(guān)頻率?或者減小開(kāi)關(guān)頻率?

開(kāi)關(guān)電源為什么常常選擇65K或者100K左右范圍作為開(kāi)關(guān)頻率，有的人會(huì )說(shuō)IC廠(chǎng)家都是生產(chǎn)這樣的IC，當然這也有原因。每個(gè)電源的開(kāi)關(guān)頻率會(huì )決定什么?

應該從這里去思考原因。還會(huì )有人說(shuō)頻率高了EMC不好過(guò)，一般來(lái)說(shuō)是這樣，但這不是必然，EMC與頻率有關(guān)系，但不是必然。想象我們的電源開(kāi)關(guān)頻率提高了，直接帶來(lái)的影響是什么?當然是MOS開(kāi)關(guān)損耗增大，因為單位時(shí)間開(kāi)關(guān)次數增多了。如果頻率減小了會(huì )帶來(lái)什么?開(kāi)關(guān)損耗是減小了，但是我們的儲能器件單周期提供的能量就要增多，勢必需要的變壓器磁性要更大，儲能電感要更大了。選取在65K到100K左右就是一個(gè)比較合適的經(jīng)驗折中，電源就是在折中合理化折中進(jìn)行。

假如在特殊情形下，輸入電壓比較低，開(kāi)關(guān)損耗已經(jīng)很小了，不在乎這點(diǎn)開(kāi)關(guān)損耗嗎，那我們就可以提高開(kāi)關(guān)頻率，起到減小磁性器件體積的目的。

本貼關(guān)鍵：如何選擇合適IC的開(kāi)關(guān)頻率?主流IC的開(kāi)關(guān)頻率為什么是大概是這么一些范圍?開(kāi)關(guān)頻率和什么有關(guān)，說(shuō)的是普遍情況，不是想鉆牛角尖好多IC還有什么不同的頻率。更多的想發(fā)散大家思維去注意到這些問(wèn)題!

我這里想說(shuō)的普遍情況，主要想提的是開(kāi)關(guān)頻率和什么有關(guān)，如何去選擇合適開(kāi)關(guān)頻率，為什么主流IC以及開(kāi)關(guān)頻率是這么多，注意不是一定，是普遍情況，讓新手區理解一般行為，當然開(kāi)關(guān)電源想怎么做都可以，要能合理使用。

1、你是如何知道一般選擇65或者100KHZ,作為開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率的?(調研普遍的大廠(chǎng)家主流IC，這二個(gè)會(huì )比較多，當然也有一些在這附近，還有一些是可調的開(kāi)關(guān)頻率)

2、又是如何在工作中發(fā)現開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)頻率確實(shí)工作在65KHZ,或100KHZ的。(從設計角度考量，普遍電源使用這個(gè)范圍)

3、有兩張以上的測試65KHZ100KHZ頻率的圖片說(shuō)明嗎?(何止二張圖片，毫無(wú)意義)

4、你是否知道開(kāi)關(guān)電源可以工作在1.5HZ.(你覺(jué)得這樣談?dòng)斜匾?，工作沒(méi)有什么不可以，純熟鉆牛角尖，做技術(shù)切記鉆牛角尖，那你能談?wù)劄槭裁雌毡殡娫床还ぷ髟?.5HZ，說(shuō)這個(gè)才有意義，你做出1.5HZ的電源純屬毫無(wú)意義的事情)

提醒：做技術(shù)人員切記鉆牛角尖，咱們不是校園研究派，是需要將理論與實(shí)踐現結合起來(lái)，做出來(lái)的產(chǎn)品才是有意義的產(chǎn)品!

問(wèn)題二：LLC中為什么我們常在二區設計開(kāi)關(guān)頻率?一區和三區為什么不可以?有哪些因素制約呢?或者如果選取一區和三區作為開(kāi)關(guān)頻率會(huì )有什么后果呢?

LLC的原理是利用感性負載隨開(kāi)關(guān)頻率的增大而感抗增大，來(lái)進(jìn)行調節輸出電壓的，也就是PFM調制。并且MOS管開(kāi)通損耗ZVS比ZCS小，一區是容性負載區，自然不可取。那么三區，開(kāi)關(guān)頻率大于諧振頻率，這個(gè)仍是感性負載區，按道理MOS實(shí)現ZVS沒(méi)有問(wèn)題，確實(shí)如此。但是我們不能忽略副邊的輸出二極管關(guān)斷。也就是原邊MOS管關(guān)斷時(shí)，諧振電流并沒(méi)有減小到和勵磁電流相等，實(shí)現副邊整流二極管軟關(guān)斷。這也是我們通常也不選擇三區的原因。

我們不能只按前人的經(jīng)驗去設計，而要知道只所以這樣設計是有其必然的道理的!

問(wèn)題三：當我們反激的占空比大于50%會(huì )帶來(lái)什么?好的方面有哪些?不好的方面有哪些?

反激的占空比大于50%意味著(zhù)什么，占空比影響哪些因素?第一:占空比設計過(guò)大，首先帶來(lái)的是匝比增大，主MOS管的應力必然提高。一般反激選取600V或650V以下的MOS管，成本考慮。占空比過(guò)大勢必承受不起。

第二點(diǎn)：很重要的是很多人知道，需要斜坡補償，否則環(huán)路震蕩。不過(guò)這也是有條件的，右平面零點(diǎn)的產(chǎn)生需要工作在CCM模式下，如果設計在DCM模式下也就不存在這一問(wèn)題了。這也是小功率為什么設計在DCM模式下的其中一個(gè)原因。當然我們設計足夠好的環(huán)路補償也能克服這一問(wèn)題。

當然在特殊情形下也需要將占空比設計在大于50%，單位周期內傳遞的能量增加，可以減小開(kāi)關(guān)頻率，達到提升效率的目的，如果反激為了效率做高，可以考慮這一方法。

問(wèn)題四：反激電源如果要做到一定的效率，需要從哪些方面著(zhù)手?準諧振?同步整流?

反激的一大劣勢就是效率問(wèn)題，改善效率有哪些途徑可以思考的呢?減小損耗是必然的，損耗的點(diǎn)有開(kāi)關(guān)管，變壓器，輸出整流管，這是主要的三個(gè)部分。

開(kāi)關(guān)管我們知道反激主要是PWM調制的硬開(kāi)關(guān)居多，開(kāi)關(guān)損耗是我們的一大難點(diǎn)，好在軟開(kāi)關(guān)的出現看到了希望。反激無(wú)法向LLC那樣做到全諧振，那只能朝準諧振去發(fā)展(部分時(shí)間段諧振)，這樣的IC也有很多問(wèn)世，我司用的較多是NCP1207，通過(guò)在MOS管關(guān)斷后，下一次開(kāi)通前1腳檢測VCC電壓過(guò)零后，然后在一個(gè)設定時(shí)間后開(kāi)通下一周期。

變壓器的損耗如何做到最小，完美使用的變壓器后面問(wèn)題會(huì )涉及到。

同步整流一般在輸出大電流情況下，副邊整流流二極管，哪怕用肖特基損耗依然會(huì )很大，這時(shí)候采用同步整流MOS替代肖特基二極管。有些人會(huì )說(shuō)這樣成本高不如用LLC，或者正激呢，當然沒(méi)有最好的，只有更合適的。

問(wèn)題五：電源的傳導是怎么形成的?傳導的途徑有哪些?常用的手段?電源的輻射受哪些東西影響?怎么做大功率的EMC。

電源傳導測量方式是通過(guò)接收輸入端口L,N,PE來(lái)自電源內部的高頻干擾(一般150K到30M)。

解決傳導必須弄清楚通過(guò)哪些途徑減弱端口接收到的干擾。

如圖：一般有二種模式：L,N差模成分，以及通過(guò)PE地回路的共模成分。有些頻率是差共模均有。

通過(guò)濾波的方式：一般采用二級共模搭配Y電容來(lái)濾去，選擇的方式技巧也很重要，布板影響也很大。一般靠近端口放置低U電感，最好是鎳鋅材質(zhì)，專(zhuān)門(mén)針對高頻，繞線(xiàn)方式采用雙線(xiàn)并繞，減少差模成分。后級一般放置感量較大，在4MH到10MH附近，只是經(jīng)驗值，具體需要與Y電容搭配。X電容濾差模也需要靠近端口，一般放在二級共模中間。放置Y電容，電容布板時(shí)走線(xiàn)需要加粗，不可外掛，否則效果很差。(這些只是輸入濾波網(wǎng)絡(luò )上做文章)

當然也可以從源頭上下手，傳導是輻射耦合到線(xiàn)路中的結果，減弱了開(kāi)關(guān)輻射也能對傳導帶來(lái)好處。影響輻射的幾處一般有MOS管開(kāi)通速度，整流管導通關(guān)斷，變壓器，以及PFC電感等等。這些電路上的設計需要與其他方面折中不做詳述。

一些經(jīng)驗技巧：針對大功率的EMC一般需要增加屏蔽，立竿見(jiàn)影，屏蔽的部位一般有幾處選擇：

第一：輸入EMI電路與開(kāi)關(guān)管間屏蔽，這對EMC有很大的作用，很多靠濾波器無(wú)效的采用該方法一般很有效果。

第二：變壓器初次級屏蔽，一般設計變壓器若有空間最好加上屏蔽。

第三：散熱器的位置能很好充當屏蔽，合理布板利用，散熱器接地選擇也很重要。

第四：判斷輻射源頭位置，一般有幾個(gè)簡(jiǎn)單的方法，不一定完全準確，可以參考，輸入線(xiàn)套磁環(huán)若對EMC有好處，一般是原邊MOS管，輸出線(xiàn)套磁環(huán)若對EMC有效果，一般是副邊輸出整流管，尤其是大于100M的高頻?？梢钥紤]在輸出加電容或者共模電感。

當然還有很多其他的細節技巧，尤其是布板環(huán)路方面的，后面對LAYOUT會(huì )單獨講解。

問(wèn)題六： 我們選擇拓撲時(shí)需要考慮哪些方面的因素?各種拓撲使用環(huán)境及優(yōu)缺點(diǎn)?

設計電源的第一步不知道大家會(huì )想到什么呢?我是這么想，細致研究客戶(hù)的技術(shù)指標要求，轉換為電源的規格書(shū)，與客戶(hù)溝通指標，不同的指標意味著(zhù)設計難度和成本，也是對我提出的問(wèn)題有很大的影響，選擇拓撲時(shí)根據我們的電源指標結合成本來(lái)考慮的，哪常用的幾種拓撲特點(diǎn)在哪呢 ?

這里主要談隔離式，非隔離式應用有限，當然也是成本最低的。

反激特點(diǎn)：適用在小于150W，理論這么說(shuō)，實(shí)際大于75W就很少用，不談很特殊的情況。反激的有點(diǎn)成本低，調試容易(相對于半橋，全橋)，主要是磁芯單向勵磁，功率由局限性，效率也不高，主要是硬開(kāi)關(guān)，漏感大等等原因。全電壓范圍(85V-264V)效率一般在80%以下，單電壓達到80%很容易。

正激特點(diǎn)：功率適中，可做中小功率，功率一般在200W以下，當然可以做很大功率，只是不常常這么做，原因是正激和反激一樣單向勵磁，做大功率磁芯體積要求大，當然采用2個(gè)變壓器串并聯(lián)的也有，注意只談一般情形，不誤導新人。正激有點(diǎn)，成本適中，當然比反激高，優(yōu)點(diǎn)效率比反激高，尤其采用有源箝位做原邊吸收，將漏感能量重新利用。

半橋：目前比較火的是LLC諧振半橋，中小功率，大功率通吃型。(一般大于100W小于3KW)。特點(diǎn)成本比反激正激高，因為多用了1個(gè)MOS管(雙向勵磁)和1個(gè)整流管，控制IC也貴，環(huán)路設計業(yè)復雜(一般采用運放，尤其還要做電流環(huán))。優(yōu)點(diǎn):采用軟開(kāi)關(guān)，EMC好，效率極高，比正激高，我做過(guò)960W LLC,效率可達96%以上(全電壓)(當然PFC是采用無(wú)橋方式)。其它半橋我不推薦，至少我不會(huì )去用，比較老的不對稱(chēng)橋，很難做到軟開(kāi)關(guān)，LLC成熟以前用的多，現在很少用，至少艾默生等大公司都傾向于LLC，跟著(zhù)主流走一般都不會(huì )錯。

全橋：一般用在大于2KW以上，首推移相全橋，特點(diǎn)，雙向勵磁，MOS管應力小，比LLC應力小一半，大功率尤其輸入電壓較高時(shí)，一般用移相全橋，輸入電壓低用LLC。成本特別高，比LLC還多用2個(gè)MOS。這還不是首要的，主要是驅動(dòng)復雜，一般的IC驅動(dòng)能力都達不到，要將驅動(dòng)放大，采用隔離變壓器驅動(dòng)，這里才是成本高的另一方面。

推挽：應用在大功率，尤其是輸入電壓低的大功率場(chǎng)合，特點(diǎn)電壓應力高，當然電流應力小，大功率用全橋還是推挽一般看輸入電壓。變壓器多一個(gè)繞組，管子應力要求高，當然常提到的磁偏磁也需要克服。這個(gè)我真沒(méi)用過(guò)，沒(méi)涉及電力電源，很難用到它的時(shí)候。

問(wèn)題七：考慮電源成本時(shí)，我們要從哪里下手呢?

設計電源，成本評估必不可少，目前客戶(hù)將電源的成本壓得很低，各大競爭對手無(wú)不都在打價(jià)格戰，大家都能做出電源來(lái)，就看誰(shuí)做得更便宜，才能贏(yíng)得訂單，從哪些方面入手有利于我們陳本呢：

第一：技術(shù)指標。電源技術(shù)指標越高，成本越高，如果你的電源成本高了，那你可以打你的性能指標賣(mài)點(diǎn)，多了性能要求，電路增多了成本自然高。也是和客戶(hù)談話(huà)的資本。

第二：物料采購成本，為什么大公司電源利潤高?無(wú)非是他們有著(zhù)優(yōu)越的采購平臺，采購量大，物料成本低，當然成本更低。如果不考慮采購，作為工程師必須弄清楚不同物料對應的成本，比如能用貼片，少用插件，(比如插件電阻比貼片成本高)，能用國產(chǎn)，不用臺資，能用臺資不用日系，這里的價(jià)格差異不菲。(比如日系電容比國產(chǎn)電容價(jià)格高幾倍不止!!!當然質(zhì)量也有差異;)

第三：影響成本的重要器件：變壓器，電感，MOS管，電容，光耦，二極管及其他半導體器件，IC等。 不同的變壓器廠(chǎng)家繞出來(lái)的變壓器價(jià)格差異很大，MOS管應力，熱阻選擇夠用就行，IC方案的成本等等

其它方面導致成本問(wèn)題：器件散熱器，大小合適，多了就是浪費錢(qián)。PCB布板，能用單面板用成雙面板就是浪費錢(qián)，PCB布板工藝，選擇合理的工藝加工成本低，生產(chǎn)效率高。

問(wèn)題八：電源的環(huán)路設計，電源哪些部分影響電源的環(huán)路?好的環(huán)路有哪些指標決定?

電源的環(huán)路設計一直是一個(gè)難點(diǎn)，為什么這么說(shuō)，因為主要影響的因素太多，理論計算很難做到準確，仿真也是基于理想化模型，在這里只談關(guān)于環(huán)路設計的一些影響因素，從定性的角度去理解環(huán)路以及怎么去做環(huán)路補償。

環(huán)路是基于輸入輸出波動(dòng)時(shí)，需要通過(guò)反饋，環(huán)路相應告知控制IC去調節，維持輸出的穩定。電源環(huán)路一般都是串聯(lián)負反饋，有的是電壓串聯(lián)負反饋(CC模式下)，有的是電流串聯(lián)負反饋(CV模式下)。

那有哪些地方會(huì )影響環(huán)路呢?電路中的零點(diǎn)以及極點(diǎn)。零點(diǎn)一般會(huì )導致增益上升，引起90度相移(右半平面零點(diǎn)會(huì )引起-90度相移)。極點(diǎn)一般會(huì )導致增益下降，引起-90度相移，左半平面極點(diǎn)會(huì )引起系統震蕩。所以我們需要借助零點(diǎn)極點(diǎn)補償手段去合理調控我們的環(huán)路。對于低頻部分，為了滿(mǎn)足足夠增益一般引入零點(diǎn)補償，對于高頻干擾一般引入極點(diǎn)補償去抵消，減少高頻干擾。

環(huán)路穩定的原則是：1.在穿越頻率處(即增益為零dB時(shí)的頻率)，系統的相位余量大于45度。

2.在相位達到-180度時(shí)增益的余量大于-12dB.3.避免過(guò)快的進(jìn)入穿越頻率，在進(jìn)入穿越頻率附近的曲線(xiàn)斜率為-1.

針對一般反激電路：1.產(chǎn)生零點(diǎn)的有輸出濾波電容 ：可以使環(huán)路增益上升。(一般在中頻4K左右，對增益有好處，無(wú)需補償)

2.若工作在CCM模式下還會(huì )產(chǎn)生右半平面零點(diǎn)。在高頻段，可采用極點(diǎn)補償。這個(gè)一般很難補償，盡量避免，讓穿越頻率小于右半平面零點(diǎn)頻率(15K左右，隨負載變化會(huì )變化)，選取3.負載會(huì )產(chǎn)生低頻極點(diǎn)。采用低頻零點(diǎn)去補償。4.LC濾波器會(huì )產(chǎn)生低頻極點(diǎn)，需要采用零點(diǎn)補償。在心中要清楚哪些零極點(diǎn)是利是弊，針對性補償。

補償的電路，針對電源環(huán)路來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，一般采用對運放采用2型補償，也有的會(huì )采用3型補償很少用。

問(wèn)題九：對各種拓撲的軟開(kāi)關(guān)形式有哪些?軟開(kāi)關(guān)是如何實(shí)現的?

軟開(kāi)關(guān)目前使用很頻繁，一來(lái)可以提升次效率，二來(lái)可以利于EMC。很多拓撲都開(kāi)始利用軟開(kāi)關(guān)了，就連反激如果為了做高效率也引入了準諧振來(lái)實(shí)現軟開(kāi)關(guān)，這個(gè)在前面問(wèn)題已講過(guò)。LLC的軟開(kāi)關(guān)在前面問(wèn)題也提過(guò)實(shí)現條件，具體實(shí)現過(guò)程沒(méi)有細講。這里就分享下我對軟開(kāi)關(guān)的理解。

實(shí)現條件及過(guò)程：利用軟開(kāi)關(guān)需要二個(gè)元素，一個(gè)是C一個(gè)是L來(lái)實(shí)現諧振(當然也可以多諧振形式)，諧振會(huì )產(chǎn)生正弦波，正弦波就能實(shí)現過(guò)零。如果是串聯(lián)諧振屬于電壓諧振，并聯(lián)諧振屬于電流諧振。

其次軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)的差異是：硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓電流有重疊，軟開(kāi)關(guān)要么電流為零(ZCS)要么電壓為零(ZVS)。MOS管的軟開(kāi)關(guān)可以利用結電容或者并電容，然后串電感實(shí)現串聯(lián)ZVS，例如準諧振反激，有源箝位吸收電路，移向全橋的軟開(kāi)關(guān)。也有LC并聯(lián)ZCS，不過(guò)用的很少，因為MOS管ZVS的損耗小于ZCS。LLC屬于串并聯(lián)式，不過(guò)我們利用的是ZVS區。(在死區的時(shí)候諧振電流過(guò)零，上管軟開(kāi)通前，先給下管結電容充電,上管實(shí)現軟開(kāi)通)

問(wèn)題十：什么樣的變壓器才算是最完美適用的?變壓器決定了什么，影響了什么?

設計變壓器是各種拓撲的核心點(diǎn)之一，變壓器設計的好壞，影響電源的方方面面，有的無(wú)法工作，有的效率不高，有的EMC難做，有的溫升高，有的極限情況會(huì )飽和，有的安規過(guò)不了，需要綜合各方面的因素來(lái)設計變壓器。

設計變壓器從哪里入手呢?一般來(lái)說(shuō)根據功率來(lái)選擇磁芯大小，有經(jīng)驗的可參考自己設計過(guò)的，沒(méi)經(jīng)驗的只能按照AP算法去算，當然還要留有一定的余量，最后實(shí)驗去檢驗設計的好壞。

一般小功率反激推薦的用的比較多EE型，EF型，EI型，ER型，中大功率PQ的用的比較多，這里面也有每個(gè)人的習慣以及不同公司的平臺差異，功率很大的，沒(méi)有適合的磁芯，可以二個(gè)變壓器原邊串副邊并的方式來(lái)做。

不同拓撲對變壓器的要求也不一樣，比如反激，需要考慮的是需要工作在什么模式下，感量如何調節適中。尤其是多路輸出一定要注意負載調整率滿(mǎn)足需求，耦合的效果要好，比如采用并繞，均勻繞制，以及副邊匝數盡可能增多。MOS管耐壓決定匝比，怎么選取合適的占空比，選取多大的Bmax(一般小于0.35，當然0.3更好，即時(shí)短路也不會(huì )飽和太嚴重)有的還需要增加屏蔽來(lái)整改EMC，原副邊屏蔽一般加2層，外屏蔽1層就好。

大功率變壓器一般更多的是關(guān)注損耗，需要銅損和磁損達到平衡，還要考慮到風(fēng)冷自然冷，電流密度多大合適，功率稍大(大于150W)的一般電流密度相對取小些(3.5-4.5)，功率小的(5.0-7.0)。

還要清楚電源過(guò)的什么安規，擋墻是不是足夠，層間膠帶是否設置合理也是不可以忽視的，一旦要做認證去改變壓器也是影響進(jìn)度的。

問(wèn)題十一：我們真的需要到迷戀設計工具，依賴(lài)仿真的地步嗎?

電源的設計工具主要用在以下幾個(gè)方面：1.選擇磁芯及設計變壓器 2.環(huán)路仿真設計 3.主功率拓撲仿真4.模擬電路仿真 5.熱仿真(針對大功率)6.計算工具(計算書(shū)) 等等。

對于新人來(lái)說(shuō)，我給的建議少用工具，多計算，自己把握設計的過(guò)程，因為工具是人做的，不同人的設計習慣差異，不能用一個(gè)固定的設計模式來(lái)設計不同的電源。

有些仿真可以與設計相結合：比如環(huán)路設計好后是很難直接滿(mǎn)足設計需求的，仿真可以在試驗前很好驗證，但仿真也不是完全和試驗一樣，至少不會(huì )差太遠。

熟練運用Mathcad和Saber也是必要的，只是很多我們需要弄清原理的層面，把工具只需要當做計算器來(lái)使用，更快速方便更高效來(lái)滿(mǎn)足我們設計就好，想純依賴(lài)工具來(lái)設計電源，無(wú)疑是走入極大誤區。

問(wèn)題十二：評判一塊電源板LAYOUT好壞有哪些地方能一陣見(jiàn)血發(fā)現?

什么樣的PCB是一塊好的PCB，至少要滿(mǎn)足以下一個(gè)方面：1.電性能方面干擾小，關(guān)鍵信號線(xiàn)及底線(xiàn)走的合理，各方面性能穩定(前提是電路無(wú)缺陷)。2.利于EMC，輻射低，環(huán)路走的合理。3.滿(mǎn)足安規，安規距離滿(mǎn)足要求。4.滿(mǎn)足工藝，量產(chǎn)可生產(chǎn)性，以及減小生產(chǎn)成本。5.美觀(guān)，布局規則有序(器件不東倒西歪)，走線(xiàn)漂亮美觀(guān)，不七彎八繞的。

如何才能做到以上幾點(diǎn)，分享我的布板經(jīng)驗：

1.布局前，了解清楚電源的規格書(shū)，電源的規格，有無(wú)特殊要求，以及要過(guò)的安規標準。

結構輸入條件是不是準確，以及風(fēng)道的確認，輸入輸出端口的確認，以及主功率流向。

工藝路線(xiàn)選取，根據器件的密度，以及有無(wú)特殊器件，選擇相對應工藝路線(xiàn)。

2.布局中，注意合理的布局，保證四大環(huán)路盡可能小，提前預判后續走線(xiàn)是否好走。變壓器的擺放基本決定了整體的布局，一定要慎重，放到最佳位置。EMI部分的布局流向清晰，與其它主功率部分有清晰的隔離帶。減少受到主功率開(kāi)關(guān)器件的干擾。各吸收回路的面積盡可能小，散熱器的長(cháng)度以及位置要合理，不擋風(fēng)道。

3.走線(xiàn)部分，輸入EMI電路的走線(xiàn)是否滿(mǎn)足安規，原副邊距離，輸入輸出對大地的距離都要滿(mǎn)足安規。走線(xiàn)的粗細是否滿(mǎn)足足夠的電流大小，關(guān)鍵信號(例如驅動(dòng)信號，采樣信號，地線(xiàn)是否合理)，驅動(dòng)信號不要干擾敏感信號(高頻信號);采樣信號是否采樣準確，是否會(huì )受到干擾;地線(xiàn)是否拉得合理(有時(shí)需要單點(diǎn)接地，有時(shí)需要多點(diǎn)接地跟實(shí)際需要有關(guān))，主功率地和信號地嚴格區分開(kāi)，原邊芯片地從采樣電阻取，不要從大電解取(尤其是采樣電阻和大電解地距離遠時(shí))，VCC的地前級地回大電解，二級電容地接芯片，反饋信號也單點(diǎn)接IC，地單點(diǎn)接IC。散熱器的地必須接主功率地，不能接信號地等等很多的細節要求。

問(wèn)題十三：電源的元器件你懂多少?MOS管結電容多大，對哪些有影響?RDS跟溫度是什么關(guān)系?肖特基反向恢復電流影響什么?電容的ESR會(huì )帶來(lái)哪些影響?

電源中的設計的器件類(lèi)型很多，主要有半導體器件如：MOS管，三極管，IC，運放，二極管，光耦等;磁性器件：電感，變壓器，磁珠等;電容：Y電容，X電容，瓷片電容，電解電容，貼片電容等;每種器件都有其規格，極限參數。

常規的參數在我們選型很容易把握，例如選取MOS管，耐壓參數肯定會(huì )考慮，額定電流也會(huì )考慮，導通電阻我們會(huì )考慮，但還有一些寄生參數以及一些隨溫度變化特性的參數卻很少去注意，或者只有在發(fā)現問(wèn)題的時(shí)候才會(huì )去找。導通電阻Rds(on)隨溫度升高其阻值是變大的，設計MOS管損耗時(shí)要考慮到其工作的環(huán)境溫度。結電容影響到我們的開(kāi)通損耗，也會(huì )影響到EMC。

肖特基二極管耐壓，額定電流一般很好注意，有些參數例如導通壓降在溫度升高時(shí)會(huì )減小，反向恢復時(shí)間短，不過(guò)漏電流大(尤其是考慮到高溫時(shí)漏電流影響就更大了)，寄生電感會(huì )引起關(guān)斷尖峰很高。

電容一個(gè)重要參數ESR，在計算紋波時(shí)通常會(huì )考慮，ESR一般與C的關(guān)聯(lián)是很大的，不過(guò)不同廠(chǎng)家的品質(zhì)因素影響也是很巨大，一定要具體分清楚。

一般估算公司可參考：ESR=10/(C的0.73次方)，電容在高溫時(shí)壽命會(huì )縮短，低溫時(shí)容量會(huì )減小，漏電流也會(huì )增加等等;

當然器件在特殊情形表現出來(lái)的特性差異是值得我們思考的問(wèn)題，請大家多多思量，對于我們解決特殊情況下的問(wèn)題非常有幫助。

問(wèn)題十四：你對磁性材料了解多少，磁環(huán)和磁芯有哪些差異?低磁環(huán)和高磁環(huán)用在什么情況?

磁性器件對開(kāi)關(guān)電源的重要性不言而喻，可以說(shuō)是電源的心臟部位。 磁性材料的種類(lèi)也繁多，常用來(lái)做變壓器的一般是鐵氧體材料，主要是價(jià)格便宜，開(kāi)關(guān)頻率最大 能做到1000K，夠一般情況下使用了。鐵氧體磁芯既可以做主變壓器也可以做電感，如PFC電感(一般鐵硅鋁材質(zhì)居多，性?xún)r(jià)比高)，儲能電感也可以。當然在要求高的情況下，尤其是大功率一般用磁環(huán)，主要是感量可以做大，不易飽和，相對鐵氧體磁芯來(lái)說(shuō)，不過(guò)缺點(diǎn)是價(jià)格貴，尤其是大電流，繞制工藝較困難。磁環(huán)也分高U值和低U值，主要也是磁環(huán)的材料不同照成，高U環(huán)磁環(huán)外觀(guān)是綠色，一般EMI電路的共模電感選用，感量會(huì )相對較大濾低頻，顏色偏灰的是低U環(huán)，感量很低，濾高頻。一般為了EMC都是搭配使用效果一般都比較好!

問(wèn)題十五：電源損耗是怎么分布的?MOS管損耗?變壓器損耗?變壓器除了直流損耗，還有交流損耗怎么算的?

電源損耗一般集中在以下一些方面：1.MOS管的開(kāi)通損耗及導通損耗。2.變壓器的銅損和鐵損;3.副邊整流管的損耗;4.橋式整流的損耗。5.采樣電阻損耗;6.吸收電路的損耗;7.其它損耗：PFC電感損耗，LLC的諧振電感損耗，同步整流的MOS管損耗。等等。。。

針對這些損耗，適當的減小可以提升效率。1.針對MOS管可選用開(kāi)關(guān)速度快的，導通電阻低的，電路上課采用軟開(kāi)關(guān)。2.針對變壓器：選擇合適大小的磁芯，磁芯太小損耗會(huì )大，很難做到銅損和鐵損平衡。尤其是銅損不僅有直流損耗還有交流損耗，交流損耗一般比直流損耗還大2倍，因為銅線(xiàn)在高頻下的交流阻抗比直流阻抗大的多，計算時(shí)一定要充分估算進(jìn)去。

問(wèn)題十六：電源中的熱設計，散熱器是怎么選擇的?散熱器設計需要考慮什么?

散熱器的設計是開(kāi)關(guān)電源的一個(gè)重點(diǎn)，散熱器主要是針對我們的發(fā)熱器件溫升過(guò)高，需要采用散熱器來(lái)降低熱阻來(lái)達到降低溫升的作用!

主要發(fā)熱器件：整流橋，MOS管，整流二極管，變壓器，電感等等。

散熱器的大小選擇一般根據損耗的功率，需要的溫升來(lái)計算熱阻，根據熱阻來(lái)選擇相應面積的散熱器 。

當然也需要一些輔助的方式，比如在器件和散熱片間涂散熱膏，有會(huì )有些效果。比較小的空間可采用型材散熱，體積小，散熱面積大。

特殊器件有特殊的處理：如變壓器可將變壓器底下的PCB板挖空散熱，也可以在變壓器上用導熱泥貼散熱片的方式。電感也可以加銅環(huán)散熱等等。。。

問(wèn)題十七：LLC的輸出濾波電容怎么決定的?受哪些因素影響?

輸出濾波電容對輸出紋波至關(guān)重要，選擇合適的濾波電容需要從成本及紋波需求考慮，當然對每種拓撲濾波電容的選取都是按照輸出紋波需求，紋波電流所對應的ESR值來(lái)選取對應的電容，當然電容的容量與ESR的關(guān)系跟電容的品質(zhì)也有著(zhù)很重要的關(guān)系，之前已經(jīng)討論過(guò)其關(guān)系式。紋波電壓時(shí)我們的需求，一般按照50mv的需求的話(huà)，設計留有余量一般選擇10mv。(考慮到PCB板濾波效果，電容低溫容值降低)，紋波電流計算式如下：

問(wèn)題十八：移相全橋的驅動(dòng)是什么實(shí)現的?何為移相?移相帶來(lái)什么?

移相全橋目前在中大功率使用中，也是用的很火，受歡迎程度僅次于LLC諧振半橋。之前已經(jīng)比較過(guò)不同拓撲的使用情況，這里就專(zhuān)門(mén)介紹下移相全橋的特點(diǎn)。

移相全橋特點(diǎn)一：驅動(dòng)比較復雜，導致控制電路復雜，成本很高，原因是移相全橋一般有4個(gè)MOS，對驅動(dòng)能力要求很高，一般IC很難做到，需要對驅動(dòng)能力通過(guò)外置MOS管放大使用，又為了加強可靠性一般采用隔離變壓器來(lái)驅動(dòng)MOS管。

移相全橋特點(diǎn)二：移相，為什么要移相，移相帶來(lái)什么，跟普通全橋有什么區別。移相針對的是同一組的MOS管，讓2個(gè)MOS管依次導通，可以降低開(kāi)關(guān)損耗。超前臂橋實(shí)現ZVS同時(shí)，副邊處于續流，原邊電流被二極管分擔，MOS管電流也很小，近似零電流導通，滯后臂橋可以零電壓導通。

移相全橋特點(diǎn)三：工作過(guò)程復雜，二個(gè)輸出功率狀態(tài)(靠原邊提供能量)，二個(gè)續流狀態(tài)(靠副邊電感及電容提供供能量)，四個(gè)死區(來(lái)分別實(shí)現每個(gè)MOS管軟開(kāi)通I)

只是為了給新手了解移相全橋，作為開(kāi)關(guān)電源比較重要的拓撲一部分，它的重點(diǎn)和難點(diǎn)在哪里。

問(wèn)題十九：大功率若追求效率，無(wú)橋PFC是怎么實(shí)現的?原理是什么?

很多人都聽(tīng)說(shuō)過(guò)無(wú)橋PFC，不過(guò)真正使用起來(lái)并不很常見(jiàn)，原因是無(wú)橋PFC相比普通有橋PFC效率上固然有提升，一般也就在1-2%，若不是追求高效，一般都不會(huì )使用，成本太高。根據無(wú)橋PFC的特點(diǎn)，其實(shí)整流橋并沒(méi)有真正省去不用，只是當做交流輸入正負半軸的隔離使用，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)相當于普通二個(gè)PFC，交流正負半軸各一個(gè)，相應的PFC電感也會(huì )增加一個(gè)，MOS管也會(huì )增加一個(gè)，驅動(dòng)IC也會(huì )復雜一些，對于大功率為了做高效，檢測電阻用變壓器繞組來(lái)做，可以減小損耗。之前接觸過(guò)一個(gè)960W用無(wú)橋PFC+LLC效率達到96.5%，不過(guò)最終因為客戶(hù)要求輸入電壓交流和直流都能滿(mǎn)足，這時(shí)候無(wú)橋PFC就不能在直流下發(fā)揮很好的作用就否決了。

問(wèn)題二十：電力電源中為什么用到三相電?三相三電平是怎么實(shí)現，三電平帶來(lái)了什么?

三相電在電力電源中使用比較多，一般在大功率1KW以上或者上萬(wàn)W的場(chǎng)合。三相電一般采用三相四線(xiàn)，其中一根是零線(xiàn)，四根線(xiàn)相當于能夠傳輸普通二相電三倍的功率，傳輸功率更大是其最大優(yōu)勢;其次三相電易于產(chǎn)生，目前最常見(jiàn)的三相異步電機，能簡(jiǎn)單方便產(chǎn)生。

三相三電平是怎么回事呢，因為三相電不能直接給某些用電設備供電，需要轉變成普通的二相電。一般過(guò)程，采用三相PFC轉換為直流電，直流電然后逆變成二相交流電。這里面就牽涉到三電平技術(shù)，三相電PFC整流出來(lái)不是普通正負DC，而是三電平，也就是正DC,零，負DC。從這里也可以看出來(lái)采用三電平器件的應力降低，諧波含量低，開(kāi)關(guān)管損耗也低，這樣在高壓大功率場(chǎng)合優(yōu)勢就非常突出了。

問(wèn)題二十一：電源中有很多保護電路，你最多能說(shuō)幾種保護?怎么去實(shí)現?

電源的可靠性離不開(kāi)保護電路，通常有哪些保護電路呢?

1.輸入欠壓過(guò)壓很常用，對交流信號采樣。

2.輸出過(guò)壓保護，一旦電源開(kāi)關(guān)能鎖機對電源可靠性也有幫助。

3.過(guò)流保護，有的是采用恒流做過(guò)流，有的采用限功率來(lái)做過(guò)流，當然也可以鎖機來(lái)做，目的一個(gè)可靠性，方法很多種。最可靠的保護一定是鎖死而不是打嗝!

4.過(guò)溫保護，采用熱敏對變壓器或者是環(huán)境溫度等方式檢測，來(lái)反饋給到IC鎖機或者打嗝。

5.短路保護，短路可以打嗝，同樣也可以鎖機。

這些是一般電源常用的，有的可以說(shuō)是必備的保護電路。所以看好規格書(shū)選擇合適的IC來(lái)做保護功能更方便的保護電路。我用過(guò)一款LD7522做反激，這些功能就能很好，可以簡(jiǎn)單全部的做出來(lái)。

問(wèn)題二十二：搞電源不懂市場(chǎng)?你搞的電源何去何從?開(kāi)發(fā)出了沒(méi)用?替老板賺到錢(qián)才有用。

終于到了最后一個(gè)問(wèn)題，電源市場(chǎng)問(wèn)題一般工程師可能關(guān)注的少，注重研發(fā)是錯誤。項目成功不是做出來(lái)，而是賺到少的錢(qián)。

舉個(gè)例子：你一年做了三個(gè)項目累死累活，賺了100萬(wàn)，另一個(gè)人一年就做了一個(gè)項目，比做三個(gè)項目輕松多了，一年賺了1000萬(wàn)，老板喜歡哪個(gè)?

有的人說(shuō)項目又不是我們選擇，怎么知道賺不賺錢(qián)，但是賺錢(qián)項目的特點(diǎn)我們要熟悉啊，什么樣的電源市場(chǎng)上比較火啊，你清楚嗎?按照自己公司現有的模式來(lái)開(kāi)發(fā)，有沒(méi)有和大公司的設計差距啊。不是說(shuō)項目能不能做出來(lái)，而是能不能最優(yōu)的做出來(lái)，其實(shí)站在研發(fā)角度也就是如何選擇最優(yōu)拓撲，做省方案。