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新方法講解三極管工作原理

作者: 時(shí)間:2018-08-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201808/385587.htm

從圖中可以看出,只要柵極的結構尺寸確定,那么截流比例就確定,也就是Ic與Ib的比值確定。所以,只要管子的內部結構確定,的值就確定,這個(gè)比值就固定不變。

由此可知,電流放大倍數的β值主要與柵極的疏密度有關(guān)。柵極越密則截流比例越大,相應的β值越低,柵極越疏則截流比例越小,相應的β值越高。

其實(shí)晶體的電流放大關(guān)系與電子類(lèi)似。晶體的基極就相當于電子三極管的柵極,基區就相當于柵網(wǎng),只不過(guò)晶體管的這個(gè)柵網(wǎng)是動(dòng)態(tài)的是不可見(jiàn)的。放大狀態(tài)下,貫穿整個(gè)管子的電子流在通過(guò)基區時(shí),基區與電子管的柵網(wǎng)作用相類(lèi)似,會(huì )對電子流進(jìn)行截流。如果基區做得薄,摻雜度低,基區的空穴數就會(huì )少,那么空穴對電子的截流量就小,這就相當于電子管的柵網(wǎng)比較疏一樣。反之截流量就會(huì )大。很明顯只要晶體管三極管的內部結構確定,這個(gè)截流比也就確定。所以,為了獲大較大的電流放大倍數,使β值足夠高,在制作三極管時(shí)往往要把基區做得很薄,而且其摻雜度也要控制得很低。

與電子管不同的是,晶體管的截流主要是靠分布在基區的帶正電的“空穴”對貫穿的電子流中帶負電的“電子”中和來(lái)實(shí)現。所以,截流的效果主要取決于基區空穴的數量。而且,這個(gè)過(guò)程是個(gè)動(dòng)態(tài)過(guò)程,“空穴”不斷地與“電子”中和,同時(shí)“空穴”又不斷地會(huì )在外部電源作用下得到補充。在這個(gè)動(dòng)態(tài)過(guò)程中,空穴的等效總數量是不變的?;鶇^空穴的總數量主要取決于摻“雜”度以及基區的厚薄,只要晶體管結構確定,基區空穴的總定額就確定,其相應的動(dòng)態(tài)總量就確定。這樣,截流比就確定,晶體管的電流放大倍數的值就是定值。這就是為什么放大狀態(tài)下,三極管的電流Ic與Ib之間會(huì )有一個(gè)固定的比例關(guān)系的原因。

6、對于截止狀態(tài)的解釋?zhuān)?/p>

比例關(guān)系說(shuō)明,放大狀態(tài)下電流Ic按一個(gè)固定的比例受控于電流Ib,這個(gè)固定的控制比例主要取決于晶體管的內部結構。

對于Ib等于0的截止狀態(tài),問(wèn)題更為簡(jiǎn)單。當Ib等于0時(shí),說(shuō)明外部電壓Ube太小,沒(méi)有達到發(fā)射結的門(mén)電壓值,發(fā)射區沒(méi)有載流子“電子”向基區的發(fā)射注入,所以,此時(shí)既不會(huì )有電流Ib,也更不可能有電流Ic。另外,從純數學(xué)的電流放大公式更容易推出結論,Ic=βIb,Ib為0,很顯然Ic也為0。

三、新講法需要注意的問(wèn)題:


以上,我們用了一種新的切入角度,對三極管的原理在講解方法上進(jìn)行了探討。特別是對晶體三極管放大狀態(tài)下,集電結為什么會(huì )反向導電形成集電極電流做了重點(diǎn)討論,同時(shí),對三極管的電流放大倍數為什么是定值也做了深入分析。這種講解方法的關(guān)鍵,在于強調二極管與三極管在原理上的聯(lián)系。

其實(shí),從二極管PN的反向截止特性曲線(xiàn)上很容易看出,只要將這個(gè)特性曲線(xiàn)轉過(guò)180度,如圖F所示,它的情形與三極管的輸出特性非常相似,三極管輸出特性如圖G所示。這說(shuō)明了二極管與三極管在原理上存在著(zhù)很必然的聯(lián)系。所以,在講解方法上選擇這樣的切入點(diǎn),從PN結的偏狀態(tài)入手講三極管,就顯得非常合適。而且,這樣的講解會(huì )使問(wèn)題變得淺顯易懂生動(dòng)形象,前后內容之間自然和諧順理成章。

這種講法的不足點(diǎn)在于,從PN結的漏電流入手講起,容易造成本征漏電流與放大電流在概念上的混肴。所以,在后面講解晶體管輸入輸出特性曲線(xiàn)時(shí),應該注意強調說(shuō)明本征載流子與摻雜載流子的性質(zhì)區別。本征載流子對電流放大沒(méi)有貢獻,本征載流子的電流對晶體管的特性影響往往是負面的,是需要克服的。晶體管電流放大作用主要靠摻雜載流子來(lái)實(shí)現。要注意在概念上進(jìn)行區別。

另外,還要注意說(shuō)明,從本質(zhì)上晶體內部有關(guān)載流子的問(wèn)題其實(shí)并不簡(jiǎn)單,它涉及到晶體的能級分析能帶結構,以及載流子移動(dòng)的勢壘分析等。所以,并不是隨便找一種或兩種具有載流子的導體或半導體就可以制成PN結,就可以制成晶體管,晶體管實(shí)際的制造工藝也并不是如此簡(jiǎn)單。這樣的講解方法主要是在不違反物理原則的前提下,試圖把問(wèn)題盡量地簡(jiǎn)化,盡量做到淺顯易懂,以便于理解與接受。這才是這種講解方法的主要意義所在。


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