5G高頻讓氮化鎵放光彩 硅基氮化鎵將進(jìn)入量產(chǎn)

　　5G高頻率特性讓氮化鎵(GaN)半導體制程成為功率放大器(PA)市場(chǎng)主流技術(shù)，同時(shí)，GaN功率元件也開(kāi)始被大量應用在車(chē)聯(lián)網(wǎng)及電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域?？春肎aN市場(chǎng)強勁成長(cháng)爆發(fā)力，世界先進(jìn)(5347)經(jīng)過(guò)3年研發(fā)布局，今年硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制程將進(jìn)入量產(chǎn)，成為全球第一家提供8吋GaN晶圓代工的業(yè)者，大啖5G及車(chē)電市場(chǎng)大餅。

　　臺積電及世界先進(jìn)近年來(lái)積極投入GaN制程研發(fā)，今年可望開(kāi)花結果，合力搶進(jìn)快速成長(cháng)的GaN晶圓代工市場(chǎng)。臺積電與德商戴樂(lè )格(Dialog)等客戶(hù)合作，已開(kāi)始提供6吋GaN晶圓代工服務(wù);世界先進(jìn)與設備材料廠(chǎng)Kyma、轉投資GaN硅基板廠(chǎng)QROMIS攜手合作，去年底已成功試產(chǎn)8吋GaN晶圓，今年將成為全球首家提供8吋GaN晶圓代工服務(wù)的業(yè)者。

　　相較于硅制程及砷化鎵(GaAs)等成熟半導體技術(shù)，GaN是相對較新的制程。隨著(zhù)5G技術(shù)即將全面商用，基地臺升級商機龐大，由于5G技術(shù)上采用更高操作頻率，業(yè)界對于GaN元件將逐步取代橫向擴散金氧半導體(LDMOS)并成為市場(chǎng)主流技術(shù)已有高度共識。另外，在手機PA元件部份，3G及4G主要采用GaAs制程，5G因為高頻的關(guān)系，讓GaN制程的PA元件很有機會(huì )成為市場(chǎng)新主流。

　　市調機構拓墣指出，GaN因具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使晶片面積可大幅減少，并能簡(jiǎn)化周邊電路的設計。同時(shí)，低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車(chē)輛運轉時(shí)的能源轉換損失，對于電動(dòng)車(chē)續航力的提升有相當的幫助。

　　在射頻及PA元件、與車(chē)用電子等相關(guān)晶片市場(chǎng)中，包括恩智浦、英飛凌、德儀等IDM廠(chǎng)位居主導地位，但在GaN技術(shù)上，IDM廠(chǎng)反而開(kāi)始透過(guò)晶圓代工廠(chǎng)取得產(chǎn)能。也因此，世界先進(jìn)順利搶進(jìn)8吋GaN晶圓代工市場(chǎng)，可望爭取到更多5G及車(chē)電等相關(guān)晶圓代工訂單。

　　世界先進(jìn)去年合并營(yíng)收年減3.6%達249.10億元，歸屬母公司稅后凈利年18.7%達45.05億元，每股凈利2.75元，符合市場(chǎng)預期。世界先進(jìn)董事會(huì )決議今年每普通股擬配發(fā)3元現金股利。由于8吋晶圓代工產(chǎn)能吃緊，加上硅晶圓價(jià)格看漲，世界先進(jìn)與客戶(hù)協(xié)商后已小幅調漲第一季晶圓代工價(jià)格，由于產(chǎn)能全年供不應求，價(jià)格應可逐季調漲，有助于營(yíng)收及獲利表現。