Power Integrations推出全新5A峰值電流門(mén)極驅動(dòng)器，可降低系統復雜度及成本

　　中高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導者Power Integrations今日推出SCALE-iDriver™ IC家族最新成員SID1102K —— 采用寬體eSOP封裝的單通道隔離型IGBT和MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器。新器件具有5 A峰值驅動(dòng)電流，在不使用推動(dòng)級的情況下可驅動(dòng)300 A開(kāi)關(guān)器件;可以使用外部推動(dòng)級以高性?xún)r(jià)比的方式將門(mén)極電流增大到60 A峰值。該器件可同時(shí)為下管和上管推動(dòng)級MOSFET開(kāi)關(guān)提供N溝道驅動(dòng)，從而降低系統成本、減小開(kāi)關(guān)損耗和增大輸出功率。

　　加強絕緣由Power Integrations創(chuàng )新的固體絕緣FluxLink™技術(shù)提供，因此無(wú)需光耦器，可進(jìn)一步增強可靠性和穩定性。SCALE-iDriver技術(shù)可減少BOM物料數，從而簡(jiǎn)化設計和制造;使用一個(gè)SID1102K IC和僅八個(gè)外圍元件即可設計完整的驅動(dòng)器。該器件可提供系統級保護特性，包括欠壓保護、軌到軌穩定輸出電壓(單一電源供電)、高共模瞬態(tài)抗擾性以及9.4 mm爬電距離和電氣間隙。

　　Power Integrations門(mén)極驅動(dòng)器產(chǎn)品高級市場(chǎng)總監Michael Hornkamp表示：“新的SID1102K門(mén)極驅動(dòng)器IC能夠為設計者提供易于實(shí)施的可擴展方案，并且在一個(gè)緊湊且堅固的封裝內集成了眾多重要的安全及保護特性，從而可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。”

　　主要應用包括UPS、標準交流驅動(dòng)和變頻驅動(dòng)器(VFD)、光伏/太陽(yáng)能系統、商用空調、直流充電器和焊接設備。該器件現已開(kāi)始供貨，以10,000片為單位訂貨，單價(jià)為1.52美元。SID1102K IC的技術(shù)支持資料請見(jiàn)Power Integrations網(wǎng)站：www.power.com/products/SID1102K。