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LED芯片漏電原因深度解析

作者: 時(shí)間:2017-10-25 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  的問(wèn)題,有很多人都遇到過(guò)。有的是在生產(chǎn)檢測時(shí)就發(fā)現,有的是在客戶(hù)使用時(shí)發(fā)現。出現的時(shí)機也各有不同。有些是在封裝完成后的測試時(shí)就有;有些是在倉庫放置一段時(shí)間后出現;有些是在老化一段時(shí)間后出現;有些是在客戶(hù)焊接后出現;有些是在客戶(hù)使用一段時(shí)間后出現。而對問(wèn)題的具體發(fā)生原因,一直困擾著(zhù)封裝廠(chǎng)的工程師。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201710/368157.htm

  漏電的原因

  在引言部分,羅列了一些人給出的造成LED漏電的原因。根據本人多年處理LED問(wèn)題及使用LED的經(jīng)驗,本人認為,在目前,最可能導致LED發(fā)生漏電的主要原因排序應該如下:

 ?。?)芯片受到沾污 (——最主要、高發(fā)問(wèn)題)

 ?。?)銀膠過(guò)高

 ?。?)打線(xiàn)偏焊

 ?。?)應力

 ?。?)使用不當

 ?。?)晶片本身漏電

 ?。?)工藝不當,使得芯片開(kāi)裂

 ?。?)

 ?。?)其它原因

  本人將問(wèn)題幾乎排到了最后,幾乎顛覆了行業(yè)乃至專(zhuān)家的認識。為什么把問(wèn)題排在了最后,后面再談詳細原因。

  對LED漏電原因的分析:

1. 芯片受到沾污引起漏電

  是非常小的,灰塵等易對它產(chǎn)生遮蔽作用,最重要的是灰塵、水汽、各種雜質(zhì)離子會(huì )附著(zhù)與芯片表面,不僅會(huì )在表面對芯片內部產(chǎn)生作用,還會(huì )擴散進(jìn)入芯片內部產(chǎn)生作用。比如,銅離子、鈉離子都很容易擴散進(jìn)入半導體材料中,非常微小的數量就可以使半導體器件的性能?chē)乐貝夯?。對于半導體器件的制造,通常都要求有凈化等級非常高的潔凈廠(chǎng)房??梢钥疾煲幌翷ED封裝廠(chǎng),上千家之中有幾家的廠(chǎng)房能有什么樣的潔凈等級?絕大多數都是能與大氣直接相通的房間,根本談不上凈化。雖然有人會(huì )說(shuō),“我們的廠(chǎng)房沒(méi)有灰塵,很潔凈”,可是,潔凈程度不是用眼睛來(lái)看的!眼睛是根本看不到芯片生產(chǎn)和封裝要求的潔凈程度的,必須是用專(zhuān)門(mén)的儀器來(lái)檢測。不僅僅要求廠(chǎng)房要達到要求的潔凈度,對涉及到芯片裸露的工序,工作人員要穿凈化工作服,戴工作帽,戴口罩,工作人員不許涂化妝品等。這些個(gè)嚴苛生產(chǎn)條件,目前對LED封裝廠(chǎng)來(lái)講,不是想不到,就是不愿做。不愿做的原因非常簡(jiǎn)單,成本上的增加無(wú)法接受——競爭太激烈。封裝廠(chǎng)房達不到要求的潔凈程度,那么,LED的質(zhì)量問(wèn)題就來(lái)了。

  早期的以及現在很多廠(chǎng)家的芯片,都沒(méi)有在芯片的側面做保護層?,F在國外一些芯片廠(chǎng)商已經(jīng)開(kāi)始在芯片的側面做保護層了。但是,現在的保護層一般是采用二氧化硅材料,而且厚度很薄,保護能力是有限的。在潔凈度很差的封裝廠(chǎng),仍然會(huì )由于沾污造成漏電現象。

  下面我們來(lái)做分析。

  1.1 芯片側面沒(méi)有做鈍化

  很多芯片由于各種因素,沒(méi)有對芯片的側面做鈍化保護,使得芯片劃片后,PN結在側面裸露于空氣中。如圖1所示。

  

  以前未作側面鈍化的圓片,劃片方法見(jiàn)圖2和圖3.從圖4對實(shí)際芯片包裝的照片上就可以證明芯片側面是不做鈍化的。因為從照片上可以看到,芯片側面極不規整。為什么這樣芯片還可以出廠(chǎng)呢?因為,在芯片廠(chǎng)里,側面即使沒(méi)有保護層,由于廠(chǎng)房的潔凈度高,加之裸露時(shí)間不長(cháng),側面還沒(méi)有受到沾污,所以測量是沒(méi)有漏電的,就將它們出廠(chǎng)了。

  

  

  為什么這樣的狀況就會(huì )造成漏電呢?下面就要從微觀(guān)結構上來(lái)講講了。

  圖5是一個(gè)晶體表面處的微觀(guān)結構示意圖。表面處原子外層電子數不飽和,存在懸掛鍵。這些懸掛鍵形成表面態(tài)能級,引起漏電【3】【4】。而且,這些懸掛鍵非常有活性,很容易吸附其它分子、原子和離子。所吸附的雜質(zhì)發(fā)生電離,直接就形成了電流通道。這個(gè)電流通道相當于給PN結并聯(lián)了一個(gè)電阻。

  

  這種表面沾污造成的漏電及短期失效問(wèn)題,早已被半導體元器件制造行業(yè)認識,并通過(guò)制作保護層來(lái)加以解決。

  1.2 芯片側面有保護層

  現在有些廠(chǎng)在芯片側面也做上了二氧化硅保護層。但是,即使是PN結端面上有二氧化硅保護層,由于制造方面的原因,在二氧化硅中可能會(huì )有可移動(dòng)的離子存在。在封裝廠(chǎng)的不潔凈環(huán)境中,還會(huì )收到沾污。所以,沒(méi)有良好的二氧化硅生產(chǎn)工藝,沒(méi)有達到潔凈等級的封裝廠(chǎng)房,LED封裝后出現漏電的幾率仍然是很高的。

  二氧化硅層中的可移動(dòng)離子移動(dòng)到半導體材料表面,可能使P型材料表面產(chǎn)生耗盡層,嚴重的發(fā)生反型,從而發(fā)生漏電。

  在通常的硅半導體器件制造中,為了解決二氧化硅的問(wèn)題,一般會(huì )在芯片功能制造完畢后,再增加一層鈍化層?,F在常用的是氮化硅材料。這樣會(huì )大大提高半導體器件的穩定性和可靠性【5】【6】。這些不是本文討論的內容,提及它只是提醒大家,在LED中,雖然有二氧化硅保護層,但后期不注意保潔,還是會(huì )有漏電問(wèn)題的。

  對于二氧化硅中含可移動(dòng)離子及沾污對漏電的更詳細的分析,讀者可以參考有關(guān)半導體的資料,如半導體物理、晶體管原理、半導體器件制造工藝等書(shū)籍。

  1.3 沾污漏電的表現

  晶體管的漏電,可能是PN結制造不良產(chǎn)生,也可能是沾污造成。通常,PN結不良或受損產(chǎn)生漏電是不可恢復的,具有正、反向漏電狀況基本相同的特征,而且常表現為完全穿通。沾污造成的漏電,觀(guān)察其伏安特性,通常有多種表現,如:正、反向漏電的伏安特性曲線(xiàn)不同;反向擊穿電壓蠕變;正向伏安曲線(xiàn)蠕變;嚴重的也會(huì )表現出正、反向都是穿通的狀況等。沾污漏電還表現出不穩定性,某些狀況下,漏電狀況還會(huì )暫時(shí)恢復正常,即暫時(shí)不漏電。

  下面通過(guò)一些實(shí)例來(lái)看看沾污對LED帶來(lái)的漏電表現。

  實(shí)例一:被反向電壓擊正常的LED

  白光LED,測試正向時(shí),有漏電,見(jiàn)圖7(a)。測反向時(shí),在反向電壓小于某個(gè)值時(shí),可以看到有很大的漏電,圖7(b)中的反向電壓為10V。當著(zhù)反向電壓繼續增大時(shí),漏電突然消失,呈現不漏電的狀況。圖7(c)中漏電消失時(shí)的發(fā)現電壓約大于10V。此時(shí)再測試正向伏安特性,可以看到,漏電完全消失,LED恢復正常。見(jiàn)圖7(d)。但是,這種恢復正常是暫時(shí)的,放置一段時(shí)間后,LED又會(huì )出現漏電。測試時(shí),還會(huì )重復上述過(guò)程。

  

  從正、反向的漏電曲線(xiàn)看,它們的漏電程度是不同的。這種反向電壓擊正常的現象,分析為外加電場(chǎng)使得沾污離子的再分布,使其遠離PN結端面區域。因而使得PN結端面恢復正常。但是放置一段時(shí)間,由于溫度的變化,或在正向電壓作用下,沾污離子又會(huì )遷移到PN結端面附近,重新造成漏電。

  實(shí)例二、反向電流蠕變,較高反電下漏電消失。讀者可以先看一下附件1的實(shí)測視頻——反向電壓擊正常的LED。在此示例中可以看到,在施加反向電壓時(shí),隨著(zhù)電壓的升高,反向電流忽大忽小,即發(fā)生蠕變現象。當著(zhù)反向電壓高到某個(gè)值時(shí),漏電流消失了。再測正向特性,可以看到是正常的,沒(méi)有漏電流了。不過(guò),這種恢復正常也是暫時(shí)的,放置一段時(shí)間后又會(huì )恢復漏電狀況。

  實(shí)例三、反向漏電蠕變非常大,正向漏電蠕變,到VF時(shí)不漏電。讀者可以先看一下附件2的實(shí)測視頻——大漏電會(huì )亮的LED。本例與實(shí)例一不同的是,在較高反壓下也沒(méi)能使漏電消失,并且反向漏電非常大。但是在正向時(shí),漏電并沒(méi)有反向的大,在正向導通后,漏電狀況反倒消失了。

  實(shí)例四、反向漏電不是很大,正向電壓小于VF時(shí)漏電很大,到VF之后漏電變到很小。讀者可以先看一下沾污漏電。

  實(shí)例五、正向點(diǎn)亮前漏電非常大,到VF時(shí)基本正常。而反向漏電遠比正向漏電小。讀者可以看一下LED非擊穿漏電。

  實(shí)例六、LED產(chǎn)品嚴重漏電,類(lèi)似穿通。解剖出芯片后,芯片正常,沒(méi)有漏電。

  1.4 沾污漏電的判定

  沾污漏電和PN結或體材料受損漏電的區分,有些狀況很難直接判定,需要解剖取出芯片來(lái)觀(guān)察分析。但是,有些現象確實(shí)可以區分的。比如上面的六個(gè)實(shí)例中都是沾污造成的漏電。

  1.5 本節小結

  沾污漏電,PN結沒(méi)有損傷,它是由于沾污離子直接或間接參與導電形成的。這種狀況在半導體制造行業(yè)中是一個(gè)常識性的問(wèn)題,已經(jīng)有很多表面鈍化方法可以很好地解決。LED行業(yè)雖然也是屬于半導體行業(yè),但是就LED封裝行業(yè)來(lái)看,由于技術(shù)門(mén)檻低,使得這個(gè)行業(yè)中有半導體專(zhuān)業(yè)知識的人員非常少。結果一個(gè)很普通的、常識性的問(wèn)題,在LED行業(yè)中成了一個(gè)難以克服的問(wèn)題。之所以難以克服,就是因為沒(méi)有找到問(wèn)題的癥結。而是一味聽(tīng)信于一些“專(zhuān)家”對靜電問(wèn)題的夸大宣傳。結果是花費了大量資金和精力于防靜電上。防靜電措施做得非常好了,可是漏電現象依然發(fā)生。

  在前面已經(jīng)提到了,絕大多數的封裝廠(chǎng)的生產(chǎn)環(huán)境非常差,沒(méi)有凈化廠(chǎng)房,LED漏電現象是在所難免的。所以有些人會(huì )說(shuō)到,入庫產(chǎn)品每隔幾天拿出來(lái)測試就會(huì )發(fā)現有漏電的產(chǎn)品出現。“凈化廠(chǎng)房”可不是指用拖布拖得干干凈凈的、底板非常亮的就是凈化廠(chǎng)房。在LED的固晶、焊線(xiàn)、封膠等工序中,由于芯片會(huì )裸露于空氣中,所以必須要有達到一定等級的凈化程度。凈化等級是要用儀器來(lái)測量確定的,絕不是用眼睛能看到的。

  靜電的狀況是隨機的,雖然它似乎無(wú)處不在,但它絕不是處處都能夠釋放足夠的能量造成破壞。

  2. 銀膠過(guò)高造成漏電

  這個(gè)問(wèn)題在LED封裝業(yè)中已是常識性的、看得見(jiàn)的問(wèn)題了,無(wú)需我多啰嗦了。

  3. 打線(xiàn)偏焊造成漏電

  這個(gè)問(wèn)題在LED封裝業(yè)中也是常識性的、看得見(jiàn)的問(wèn)題了,也無(wú)需我多啰嗦了。

  4. 應力造成漏電

  應力,往往是看不見(jiàn)的,若對材料的一些基本性質(zhì)不了解,則不太好理解這個(gè)問(wèn)題。其實(shí),應力相對于日??梢?jiàn)的比如推土機推土那樣大的力相比,它是很難看得見(jiàn)的作用力而已。它往往是由于材料的熱脹冷縮而產(chǎn)生。應力的影響往往是在兩種材料的接觸方面。應力作用可以是直接壓力,也可以是與材料接觸面平行的橫向剪切力。舉一個(gè)簡(jiǎn)單的例子,在兩根鐵軌之間是有一段間隙的,如果將這個(gè)間隙留的很小,當溫度升高時(shí),兩段鐵軌的端面就會(huì )接觸,甚至擠壓變形。這就是應力作用。當兩種不同的材料粘結接觸時(shí),當溫度發(fā)生變化,若兩種材料的熱膨脹系數不同,在接觸面由于延伸或收縮尺度不同,相互間產(chǎn)生拉力,這就是橫向的剪切應力。

  在LED中,有不同的材料,熱膨脹系數是不同的。在溫度反復變化的過(guò)程中,各物質(zhì)不可能回復到它們最初接觸時(shí)的狀態(tài),相互間會(huì )保持有一定的應力。但不一定會(huì )有害。只有當膨脹系數相差太大、工藝條件不合適時(shí),就可能留下很大的應力。這個(gè)應力嚴重的會(huì )壓壞芯片,使芯片破損,造成漏電、部分區域裂開(kāi)而不亮,嚴重的徹底開(kāi)路不亮。應力不是很大時(shí),有時(shí)也會(huì )產(chǎn)生嚴重的后果。

  原本在LED的側面就存在著(zhù)懸掛鍵,應力的作用,使得表面原子發(fā)生微位移,這些懸掛鍵的電場(chǎng)更加處于一種不平衡狀態(tài),從而造成端面PN結處的能級狀態(tài)發(fā)生改變,造成漏電。

  5. 使用不當造成漏電

  這種狀況一般較少發(fā)生。當較高的反向電壓加給LED,可能損壞PN結,造成漏電。

  這種損壞,和靜電損壞的機理是相同的。如果不是當事人自己確認,封裝廠(chǎng)的工程師單憑損壞的樣品來(lái)看,是很難分辨的。

  6. 芯片本身漏電

  通常,這種情況也是較少發(fā)生。除非芯片的次品出廠(chǎng)。

  一般來(lái)講,芯片在制造廠(chǎng)是不容易受到沾污的。但是,在芯片的后續分選、包裝時(shí),是有可能發(fā)生沾污的。本人看到過(guò)某芯片廠(chǎng)的后續分選、包裝車(chē)間環(huán)境就是沒(méi)有凈化等級的普通廠(chǎng)房。

  7. 工藝不當,使得芯片開(kāi)裂

  芯片底部膠體不均勻,或焊盤(pán)下面有空洞,打線(xiàn)時(shí)可能損傷芯片產(chǎn)生漏電或失效。 焊線(xiàn)機調整不當,打傷芯片,產(chǎn)生漏電或失效。

  8. 靜電問(wèn)題

  在LED行業(yè),似乎將靜電當成了損壞LED的頭號大敵。但本人卻不這么認為。相反,將它當成次要問(wèn)題。

  對于靜電對LED的損壞問(wèn)題,本人在一些論壇里有談過(guò)【7】?,F在將那些內容搬過(guò)來(lái),并加以補充,以便大家閱讀與了解。

  8.1 靜電的產(chǎn)生機理

  通常,靜電的產(chǎn)生是由于摩擦或感應而產(chǎn)生。

  摩擦靜電是由于兩個(gè)物體接觸摩擦或分離過(guò)程中產(chǎn)生電荷的移動(dòng)而產(chǎn)生。導體間的摩擦留下的靜電通常比較弱,這是由于導體的導電能力強,摩擦產(chǎn)生的離子會(huì )在摩擦過(guò)程中及終止時(shí)很快運動(dòng)到一起而中和。而絕緣體摩擦后,可能會(huì )產(chǎn)生較高的靜電電壓,但是電荷量卻很小。這是由于絕緣體本身的物理結構決定的。絕緣體的分子結構中,電子很難脫離原子核的束縛自由移動(dòng),所以,摩擦結果也只能產(chǎn)生少量的分子或原子電離。

  感應靜電是物體處于電場(chǎng)之中,受電磁場(chǎng)的作用,物體中的電子發(fā)生移動(dòng)而形成電場(chǎng)。感應靜電一般只能在導體上產(chǎn)生??臻g電磁場(chǎng)對絕緣體的作用可以忽略。

  8.2 靜電的放電機理

  220V的市電可以打死人,可人們身上上千伏的電壓卻打不死人,是何道理? 電容兩端的電壓滿(mǎn)足下列公式:

  U=Q/C

  根據這個(gè)公式可以知道,當電容量很小時(shí),很少的電荷量,就會(huì )產(chǎn)生很高的電壓。

  通常我們的身體、身邊的物體,電容都非常小,當產(chǎn)生電荷后,很少的電荷量,也會(huì )產(chǎn)生很高的電壓。

  由于電荷量很少,放電時(shí),形成的電流非常小,時(shí)間非常短,電壓不能維持,極短的時(shí)間就降下來(lái)。

  由于人體不是絕緣體,所以,身體各處積累的靜電荷,在有放電通路的情況下,都會(huì )匯集過(guò)來(lái),所以感覺(jué)電流大些,有電擊的感覺(jué)。人體、金屬物品等導體在產(chǎn)生靜電后,放電電流會(huì )比較大。

  對于絕緣性能好的材料,一個(gè)是產(chǎn)生的電荷量非常小,另一方面,產(chǎn)生的電荷,很難流動(dòng)。電壓雖然高,但某處有放電通路時(shí),只是接觸點(diǎn)及附近極小范圍內的電荷可以流動(dòng)放電,非接觸點(diǎn)的電荷則不能放電(誰(shuí)叫它是絕緣體呢)。故而,就是有上萬(wàn)伏的電壓,放電能量也是微乎其微的。如圖8所示。

  

  所以,雖然塑料周轉箱、包裝泡沫上、化纖地毯等的靜電電壓非常高,其實(shí)放電能量非常小。

  8.3 靜電對電子元器件的危害

  靜電會(huì )對LED有危害,并不是LED獨有的“專(zhuān)利”,就是用硅材料制造的常用的二極管、三極管,也都會(huì )受到威脅。甚至建筑、樹(shù)木、動(dòng)物都可能被靜電損害(雷電就是一種靜電,我們這里就不去考慮它了)。

  那么,靜電是怎么對電子元件損害的呢?我也不要扯得太遠,就只講半導體器件的問(wèn)題,而且就局限于二極管、三極管、IC、LED方面。(否則會(huì )啰嗦太多沖淡主題)。

  電對半導體元器件的損壞,最終是有電流的參與。在電流的作用下,由于熱而損壞器件。要有電流,就要有電壓。但是,半導體二極管有PN結,無(wú)論是正向還是反向,PN結都會(huì )有阻擋電流的一個(gè)電壓范圍。正向勢壘低,反向勢壘則要高很多。在一個(gè)電路中,哪里的電阻大,電壓就在哪里集中。但就來(lái)看LED,電壓正向加給LED時(shí),當外電壓小于二極管的閾值電壓(大小與材料禁帶寬度對應),沒(méi)有正向電流,電壓全部加在PN結上。電壓反向加給LED時(shí),當外電壓小于LED的反向擊穿電壓時(shí),電壓也是全部加在PN結上,此時(shí),LED的虛焊點(diǎn)也罷,支架也罷、P區也罷、N區也罷,統統都沒(méi)有電壓降!因為沒(méi)有電流。當著(zhù)PN結擊穿后,外電壓才會(huì )由電路上的所有電阻分擔。哪個(gè)地方電阻大,哪個(gè)部分承擔的電壓就高。就LED而言,自然是PN結承擔了大部分電壓。在PN結上產(chǎn)生的熱功率就是它上面的壓降乘以電流值。若是電流值不加限制,過(guò)高的熱量就會(huì )將PN結燒壞,PN結失去作用而穿通。

  IC為什么會(huì )比較怕靜電,因為,IC中的每個(gè)元件的面積非常小,每個(gè)元件的寄生電容也就非常?。ㄍ娐饭δ芫鸵蠹纳娙莘浅P。?,所以,少量的靜電電荷就會(huì )產(chǎn)生很高的靜電電壓,而且每個(gè)元件的功率耐量通常也很小,所以,靜電放電就很容易損壞IC。但是通常的分立元件,如普通的小功率二極管、小功率三極管都不是非常怕靜電,因為它們芯片的面積比較大,寄生電容也比較大,一般的靜定不容易在它們上面積累高電壓。小功率的MOS管,由于柵極氧化層很薄,寄生電容小,所以很容易遭靜電損壞,通常會(huì )在封裝完成后將三個(gè)電極短路后出廠(chǎng)。使用中也常要求在焊接完成后再去掉短路線(xiàn)。而大功率的MOS管,由于芯片面積大,一般的靜電也不會(huì )損壞它們。所以你會(huì )看到,現在功率MOS管的三個(gè)電極是沒(méi)有短路線(xiàn)保護的。(早期制造廠(chǎng)還是將它們短路后出廠(chǎng)的)

  LED實(shí)際就是有個(gè)二極管,它的面積相對IC內的每個(gè)元件來(lái)講,是非常大的。所以L(fǎng)ED的寄生電容相對來(lái)說(shuō)也是比較大的。所以,一般場(chǎng)合的靜電并不能損壞LED。

  一般場(chǎng)合的靜電,尤其是絕緣體上產(chǎn)生的靜電,電壓會(huì )很高,但放電電荷量極微,而且放電電流持續時(shí)間很短。而導體上感應的靜電,電壓可能不是很高,但是放電電流卻可能很大,而且往往是持續的電流。這樣對電子元件的危害就非常大。

  8.4 為什么說(shuō)靜電對LED的損害是不常發(fā)生的呢

  先來(lái)看一個(gè)試驗現象。一塊金屬鐵板上帶有500V的靜電,將LED放到金屬板上(放的方法要注意,避免下述的問(wèn)題發(fā)生),大家說(shuō)LED會(huì )被損壞嗎?這里,LED要被損壞,通常應該是被加上大于其擊穿電壓的電壓,也就是說(shuō)LED的兩個(gè)電極要同時(shí)接觸金屬板,并具有大于擊穿電壓的電壓。由于鐵板是良導體,其上各處的感應電壓相等,所謂500V的電壓是相對于地而言的,所以,LED兩電極間是沒(méi)有電壓的,自然也就不會(huì )受到任何損傷了。除非,你將LED 的一個(gè)電極接觸鐵板,另一個(gè)電極你用導體(未戴絕緣手套的手或導線(xiàn))連接到地或其它導體上。

  上面的試驗現象提示我們,LED在靜電場(chǎng)中時(shí),必須是一個(gè)電極接觸靜電體,另一個(gè)電極要接觸地或其它導體才可能受損。在實(shí)際生產(chǎn)和應用中,以 LED那么小的體積,很少有機會(huì )發(fā)生那樣的事情,尤其是批量發(fā)生那樣的事情。偶然的事件是可能的。比如,LED處于靜電體上,且一個(gè)電極接觸到靜電體,另一個(gè)電極剛好是懸空的,此時(shí)有人去觸及了懸空的那個(gè)電極,就可能損傷LED。

  上面的現象告訴我們,靜電問(wèn)題也不是可以忽視的。 靜電放電是要有導電回路的,不是有靜電就有損害。

  上面的現象還提示我們,當著(zhù)僅有極少量的漏電問(wèn)題發(fā)生,可以考慮靜電偶然損壞問(wèn)題。若是大量發(fā)生,則更多的可能是芯片沾污或應力的問(wèn)題。

  9. 其它原因引起漏電

  本人曾遇到過(guò)這樣的漏電狀況,LED被封裝與一個(gè)殼體中,LED周?chē)嘤熊浤z以防水??墒菑腖ED的引線(xiàn)上測到有嚴重的漏電。將周?chē)墓喾饽z去除后,漏電消失。這里其實(shí)并不是LED漏電,而是灌封膠有問(wèn)題。

  后記

  對于LED的漏電問(wèn)題,大部分項大家基本沒(méi)有什么異議。而對于芯片沾污和應力造成漏電,LED行業(yè)不了解的人想必很多。尤其是LED經(jīng)過(guò)客戶(hù)的手后再反映漏電,封裝廠(chǎng)和芯片廠(chǎng)都會(huì )歸咎于靜電,理由是它們在出廠(chǎng)時(shí)是沒(méi)有漏電的。這其實(shí)就是因為沾污或應力問(wèn)題的存在而導致的可靠性問(wèn)題,具體就是早期失效問(wèn)題。很多封裝廠(chǎng)的工程師不了解這些。因為非常多的封裝工程師不是學(xué)習半導體器件專(zhuān)業(yè)的。

  有些不了解的人還會(huì )把漏電原因歸結于封裝廠(chǎng)使用了爛芯片,封裝廠(chǎng)也會(huì )感到很委屈。(確實(shí)有用爛芯片的,這個(gè)也不排除)。



關(guān)鍵詞: LED芯片 漏電 靜電 LED

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