幾款不錯的場(chǎng)效應管功放電路圖

　　幾款不錯的場(chǎng)效應管功放電路圖

　　場(chǎng)效應管多管并聯(lián)輸出，500W。

　　場(chǎng)管跟普功率最大不同就是場(chǎng)管是用電壓驅動(dòng)，在驅動(dòng)級上有些不一樣，沒(méi)弄過(guò)場(chǎng)管功放，音質(zhì)怎要看你設計和工藝！

　　IRFB33N15D是一顆非常好的MOS管，其導通內阻低達56mΩ，最大電流為33A，耐壓卻有150V，常用于DC/DC的變換器中，當然，在數字功放中，也經(jīng)常應用。

　　其也有不足的地方，其輸入電容為2020pF，和常見(jiàn)的MOS管一樣，在驅動(dòng)它時(shí)，就要采用特殊電路來(lái)驅動(dòng)，如同你的電路中的R29和D3并聯(lián)電路，也是業(yè)界慣用手法，其作用是：

　　當沒(méi)有R29時(shí)，Q7的柵極直接接前面的IC引腳，其內部都是圖騰柱電路，由于是容性負載，都會(huì )有振蕩產(chǎn)生，從而使驅動(dòng)波形出現振鈴現象，產(chǎn)生的后時(shí)是，MOS管開(kāi)啟不夠，內阻大，效率低。 串入R29可以消除這種振蕩，其和后續的MOS管輸入電容（Ciss）的時(shí)間常數要遠小于MOS管的開(kāi)啟時(shí)間13ns，而4.7Ω的2020pF的時(shí)間常數為9.5nS，滿(mǎn)足要求。

　　IRFB33N15D用標準電路（相當于R29為3.6Ω）驅動(dòng)時(shí)，其恢復時(shí)間長(cháng)達130nS，這也是MOS管的通病，為了加快關(guān)斷（爭取這9.5nS的時(shí)間），在關(guān)斷時(shí)，希望柵級電阻為0，所以會(huì )在R29上反向并聯(lián)肖特基二極管D3（其工作頻率可以近GHz），來(lái)加速放電。

　　IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V這間，實(shí)際驅動(dòng)時(shí)，取決于IRS2902S的工作電壓，實(shí)際都在10V左右，肖特基二極管D3的正向壓降只有1.2V左右（電流1A，但其ΔV/ΔI約為0，動(dòng)態(tài)內阻極低），已經(jīng)可以確保Q7和柵極處于低于VGS以下，對關(guān)斷沒(méi)有影響。 另外，你要學(xué)習動(dòng)態(tài)內阻的含義，如同電源，其壓降可能是5V，但其內阻可以低達十幾毫歐。

　　這個(gè)電路里的2顆場(chǎng)效應管不能同時(shí)導通，所以，在它們工作的時(shí)候，要關(guān)斷優(yōu)先，導通稍緩。D3，D4二極管就能夠在驅動(dòng)電壓下降的時(shí)候，迅速釋放場(chǎng)效應管的柵極結電壓，從而使管子從導通狀態(tài)恢復到關(guān)斷狀態(tài)的時(shí)間大大縮短。而驅動(dòng)電壓上升的時(shí)候，要通過(guò)R29，R27給管子的柵極結電容充電，從而延緩了管子的導通時(shí)間。 就這樣實(shí)現了關(guān)斷優(yōu)先，導通稍緩的功能，大大的避免了一個(gè)管子還沒(méi)退出導通，另一個(gè)管子已經(jīng)進(jìn)入導通的狀態(tài)。