那些不得不知的電源技巧！

　　在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，只有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。

　　從開(kāi)關(guān)節點(diǎn)到輸入引線(xiàn)的少量寄生電容（100毫微微法拉）會(huì )讓您無(wú)法滿(mǎn)足電磁干擾（EMI）需求。那100fF電容器是什么樣子的呢？在Digi-Key中，這種電容器不多。即使有，它們也會(huì )因寄生問(wèn)題而提供寬泛的容差。

　　不過(guò)，在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。只有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。

　　圖1是這些非計劃中電容的一個(gè)實(shí)例。圖中的右側是一個(gè)垂直安裝的FET，所帶的開(kāi)關(guān)節點(diǎn)與鉗位電路延伸至了圖片的頂部。輸入連接從左側進(jìn)入，到達距漏極連接1cm以?xún)鹊奈恢?。這就是故障點(diǎn)，在這里FET的開(kāi)關(guān)電壓波形可以繞過(guò)EMI濾波器耦合至輸入。

　　圖1. 開(kāi)關(guān)節點(diǎn)與輸入連接臨近，會(huì )降低EMI性能

　　注意，漏極連接與輸入引線(xiàn)之間有一些由輸入電容器提供的屏蔽。該電容器的外殼連接至主接地，可為共模電流提供返回主接地的路徑。如圖2所示，這個(gè)微小的電容會(huì )導致電源EMI簽名超出規范要求。

　　圖2. 寄生漏極電容導致超出規范要求的EMI性能

　　這是一條令人關(guān)注的曲線(xiàn)，因為它反映出了幾個(gè)問(wèn)題：明顯超出了規范要求的較低頻率輻射、共模問(wèn)題通常很明顯的1MHz至2MHz組件，以及較高頻率組件的衰減正弦（x）/x分布。