新技術(shù)望帶來(lái)計算機高速磁內存

　　磁存儲是已被使用數十年的存儲技術(shù)，但它的一個(gè)問(wèn)題是速度較低。瑞士研究人員報告說(shuō)，找到了極大提高磁存儲速度的方法，有望讓計算機在不久的將來(lái)用上高速的磁內存，從而大大減少計算機啟動(dòng)時(shí)間。

　　據新華社9月11日消息，自從國際商用機器公司(IBM)于1956年推出第一個(gè)磁盤(pán)存儲器以來(lái)，磁存儲器因其長(cháng)壽命和低成本的優(yōu)勢，一直被用來(lái)存儲信息，比如作為計算機的硬盤(pán)。傳統磁存儲器通過(guò)帶電線(xiàn)圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)變化來(lái)改變存儲介質(zhì)的磁性，從而實(shí)現存儲信息，但其速度跟不上越來(lái)越快的計算機處理器，難以用作對速度要求高的內存。

　　瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)材料系教授彼得羅·甘巴爾代拉領(lǐng)導的團隊在新一期英國《自然·納米技術(shù)》雜志上發(fā)表報告說(shuō)，利用被稱(chēng)為“自旋軌道轉矩”的物理現象，可以不用通電線(xiàn)圈，僅用通電的特殊半導體薄膜材料就能改變存儲介質(zhì)的磁性，從而實(shí)現磁存儲。

　　該團隊用新方法改變了一個(gè)直徑約500納米的鈷金屬點(diǎn)的磁性，發(fā)現在給其附近的導線(xiàn)通電后，在不到1納秒的時(shí)間內，鈷金屬點(diǎn)的磁性就發(fā)生了改變。并且鈷金屬點(diǎn)可如此反復經(jīng)歷上萬(wàn)億次的磁性變化，說(shuō)明它可成為高速且耐用的存儲介質(zhì)。與傳統線(xiàn)圈方式的磁存儲器相比，新方法不僅速度快，還不會(huì )因為線(xiàn)圈的電阻而消耗能量，能效更高。

　　研究人員說(shuō)，這一新技術(shù)有望讓計算機的內存用上磁存儲器。目前許多計算機的內存采用電存儲器，關(guān)機斷電后內存中的信息就會(huì )被清空，因此重新開(kāi)機時(shí)需要較長(cháng)時(shí)間。而磁存儲可以在斷電后仍然保留數據，因此如果計算機用上磁內存，有望大大減少開(kāi)機啟動(dòng)的時(shí)間。