重大突破：國產(chǎn)光纖激光放大器未來(lái)不求人

　　上海光機所高功率激光單元技術(shù)研發(fā)中心石英光纖材料課題組在大模場(chǎng)有源光子晶體光纖的研制方面取得了重要進(jìn)展，成功制備獲得了纖芯直徑大于50 μm、NA小于0.03的大芯徑光子晶體光纖，并在皮秒脈沖放大器中實(shí)現平均功率超過(guò)百瓦、單脈沖能量大于μJ量級的高光束質(zhì)量輸出(M2<1.5)。該項突破打破了國際上僅由NKT公司等極少數公司掌握的高亮度大模場(chǎng)光子晶體光纖制備技術(shù)壟斷，為我國發(fā)展大能量超短脈沖光纖激光放大器奠定了核心激光材料基礎。

　　為了實(shí)現高光束質(zhì)量的激光輸出，并且盡可能克服端面激光損傷和非線(xiàn)性效應這兩個(gè)因素對功率提高帶來(lái)的限制，在設計光纖時(shí)，應盡量減小數值孔徑NA，并相應增大纖芯直徑，從而使得基橫模模場(chǎng)直徑變大。這種通過(guò)降低NA實(shí)現大纖芯直徑的技術(shù)稱(chēng)為大模場(chǎng)面積光纖(large-mode-area fiber，LMAF)技術(shù)。由于大模場(chǎng)光子晶體光纖在軍事、工業(yè)加工等方面的重要應用潛力，國際上對大模場(chǎng)光子晶體光纖的研究極為關(guān)注，歐美等國先后提出了多種結構的大模場(chǎng)PCF，其中NKT公司推出的40/200和85/260兩款光纖應用最為廣泛，占據了絕大部分市場(chǎng)，上述兩款光纖在國內的售價(jià)極高。國內光子晶體有源光纖的制備技術(shù)方面嚴重滯后，無(wú)法制備纖芯直徑大于30μm的極低NA的大模場(chǎng)光子晶體光纖，長(cháng)期依賴(lài)進(jìn)口產(chǎn)品，極大限制了國內超短脈沖光纖激光放大器的研發(fā)。

　　“十二五”以來(lái)，高功率激光單元技術(shù)研發(fā)根據上海光機所“一三五”總體發(fā)展戰略指引，在中科院“重點(diǎn)部署項目”的支持和牽引下，在國內率先開(kāi)展了百微米纖芯直徑的大模場(chǎng)光子晶體光纖制備技術(shù)攻關(guān)，先后突破了大直徑低NA稀土摻雜石英玻璃芯棒的制備技術(shù)、空氣孔微結構光子晶體光纖的拉制技術(shù)以及相關(guān)的檢測和評估技術(shù)，建立和逐步完善了一整套有源光纖預制棒制備、光纖拉制及性能檢測平臺，為上海光機所培養了一支特種光纖材料研制方面的專(zhuān)業(yè)人才隊伍，為推動(dòng) “先進(jìn)光纖激光與光子學(xué)技術(shù)”的學(xué)科發(fā)展奠定了關(guān)鍵材料的堅實(shí)基礎。

　　摻鐿光子晶體光纖及塌縮端面