八大常用基礎電路保護器件作用總結

　　9、頻率倍增用二極管

　　對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍(即急變)二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱(chēng)為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱(chēng)為階躍恢復二極管，從導通切換到關(guān)閉時(shí)的反向恢復時(shí)間trr短，因此，其特長(cháng)是急速地變成關(guān)閉的轉移時(shí)間顯著(zhù)地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因tt(轉移時(shí)間)短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波。

　　10、穩壓二極管

　　是代替穩壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線(xiàn)急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時(shí)的端電壓(又稱(chēng)齊納電壓)從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動(dòng)態(tài)電阻RZ很小，一般為2CW型;將兩個(gè)互補二極管反向串接以減少溫度系數則為2DW型。

　　11、PIN型二極管(PIN Diode)

　　這是在P區和N區之間夾一層本征半導體(或低濃度雜質(zhì)的半導體)構造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語(yǔ)。當其工作頻率超過(guò)100MHz時(shí)，由于少數載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時(shí)間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時(shí)，“本征”區的阻抗很高;在直流正向偏置時(shí)，由于載流子注入“本征”區，而使“本征”區呈現出低阻抗狀態(tài)。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開(kāi)關(guān)(即微波開(kāi)關(guān))、移相、調制、限幅等電路中。

　　12、 雪崩二極管 (Avalanche Diode)

　　它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時(shí)間，所以其電流滯后于電壓，出現延遲時(shí)間，若適當地控制渡越時(shí)間，那么，在電流和電壓關(guān)系上就會(huì )出現負阻效應，從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中。

　　13、江崎二極管 (Tunnel Diode)

　　它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的(即高濃度雜質(zhì)的)。隧道電流由這些簡(jiǎn)并態(tài)半導體的量子力學(xué)效應所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應具備如下三個(gè)條件：①費米能級位于導帶和滿(mǎn)帶內;②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡(jiǎn)并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比(IP/PV)，其中，下標“P”代表“峰”;而下標“V”代表“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達毫米波段)，也可以被應用于高速開(kāi)關(guān)電路中。

　　14、快速關(guān)斷(階躍恢復)二極管 (Step Recovary Diode)

　　它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點(diǎn)是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區，從而形成“自助電場(chǎng)”。由于PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，并在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經(jīng)歷一個(gè)“存貯時(shí)間”后才能降至最小值(反向飽和電流值)。階躍恢復二極管的“自助電場(chǎng)”縮短了存貯時(shí)間，使反向電流快速截止，并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發(fā)生電路?？焖訇P(guān)斷(階躍恢復)二極管用于脈沖和高次諧波電路中。

　　15、肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode)

　　它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數限制，因而，它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。

　　16、阻尼二極管

　　具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。

　　17、瞬變電壓抑制二極管

　　TVP管，對電路進(jìn)行快速過(guò)壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率(500W-5000W)和電壓(8.2V～200V)分類(lèi)。

　　18、雙基極二極管(單結晶體管)

　　兩個(gè)基極，一個(gè)發(fā)射極的三端負阻器件，用于張馳振蕩電路，定時(shí)電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩定性好等優(yōu)點(diǎn)。

　　19、發(fā)光二極管

　　用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動(dòng)發(fā)光。工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻、壽命長(cháng)、可發(fā)紅、黃、綠單色光。

　　三、根據特性分類(lèi)

　　點(diǎn)接觸型二極管，按正向和反向特性分類(lèi)如下。

　　1、一般用點(diǎn)接觸型二極管

　　這種二極管正如標題所說(shuō)的那樣，通常被使用于檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產(chǎn)品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類(lèi)。

　　2、高反向耐壓點(diǎn)接觸型二極管

　　是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產(chǎn)品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點(diǎn)接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時(shí)有硅合金和擴散型。

　　3、高反向電阻點(diǎn)接觸型二極管

　　正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長(cháng)是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類(lèi)二極管。

　　4、高傳導點(diǎn)接觸型二極管

　　它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點(diǎn)接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類(lèi)二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。