2602型源表應用測試類(lèi)型（一）

激光二極管模組常常是配備了調制或衰減控制輸入引腳，因而在LIV測試掃描中，可能需要加入2400型或2601型源表對衰減輸入端施加偏置。

正向電壓測試

正向電壓由多子電流流動(dòng)形成，因而是半導體材料和結溫的函數。

正向電壓測試可以在激光二極管和背光探測器上進(jìn)行，用以確定半導體結的正向操作電壓。一般地，2602型源表用以提供足夠小的源電流（以防器件損傷），然后測量半導體結上的電壓。鑒于探測器所用的半導體材料的溫度系數一般為2mV/℃，半導體結的溫度必須事前獲知或進(jìn)行控制。

反向擊穿電壓測試

隨著(zhù)反向偏壓增加，少子穿過(guò)半導體結的速度增加。在一定的反向偏壓下，載流子所攜帶的能量足以通過(guò)碰撞引起電離作用。這時(shí)的反向偏壓稱(chēng)為反向擊穿電壓。通過(guò)很好的控制反向擊穿電壓下的電流，可以避免半導體結被毀壞。

反向擊穿電壓測試可以在激光二極管和背光探測器上進(jìn)行。無(wú)損反向擊穿電壓測試可以通過(guò)提供-10μA源電流并測量相應的半導體結電壓實(shí)現。2602源表是這一測量的理想選擇。

漏電流測試

反偏的半導體結（略低于擊穿電壓的偏置電壓下）會(huì )出現由少子渡過(guò)耗盡區產(chǎn)生的漏電流。漏電流的大小由電子電荷、摻雜濃度、半導體結面積和溫度決定。激光二極管和背光探測器的漏電流測試由2602源表系統進(jìn)行。一般，在半導體結上施加反向擊穿電壓的80%，然后測量相應的漏電流。

對于光電二極管，這項測試同時(shí)可用于暗電流測量。將激光二極管的偏置電壓設置到零，通過(guò)在半導體結上施加一個(gè)電壓偏置并測量流過(guò)的電流，可得到暗電流的值。在這項測量中，關(guān)鍵在于確保雜散光子不會(huì )碰撞到激光二極管或背光探測器上。