交流阻抗電容計以及交流阻抗參數的測量方法

交流電源、交流伏特計、交流安培計
圖1.交流阻抗表
這類(lèi)電表(如圖1所示)工作原理相對簡(jiǎn)單。它通過(guò)在高電流輸出端(HCUR)施加一個(gè)交流電壓來(lái)測量交流阻抗[3]。通過(guò)低電流端(LCUR)測量流過(guò)器件的電流,通過(guò)高低電位端(HPOT和LPOT)測量器件上的電壓降。電壓和電流的測量采用了能夠精確判斷二者之間相位角的鎖相方式[4]。通過(guò)測量幅值和相位角,就可以計算出任意所需的交流阻抗參數。

其中: Z=阻抗 θ=相位角 R=電阻 X=電抗 Y=導納 G=電導 B=電納 |
Z、θ——阻抗與相位角
R+jX——電阻與電抗
Cp-Gp——并聯(lián)電容和電導
Cs-Rs——串聯(lián)電容和電阻
Cp-D——并聯(lián)電容和耗散因子
Cs-D——串聯(lián)電容和耗散因子
圖2.基本的交流阻抗參數
要得到基本交流阻抗參數就必須測量阻抗的幅值,在圖2中表示為“Z”。還需要測量電流和電壓之間的相位角,表示為θ。因此,在極坐標方式下,這一阻抗就是相角為θ的Z。但我們還可以從數學(xué)上將其轉化為直角坐標的形式,即表示為R+jX。其中R是實(shí)數部分,即同相阻抗矢量,jX是虛數部分,即相位阻抗矢量偏轉90°,它也是電容矢量。我們甚至可以從數學(xué)上將極坐標和直角坐標形式轉化為實(shí)際的電容和電阻值。
有兩種常用的交流阻抗模型:并聯(lián)模型和串聯(lián)模型。在并聯(lián)模型中,結果表示為并聯(lián)電容(Cp)和并聯(lián)電導(Gp)。在串聯(lián)模型中,結果表示為串聯(lián)電容(Cs)和串聯(lián)電阻(Rs)。耗散因子(D),即實(shí)阻抗與虛阻抗的比值,是從數學(xué)上推導出的另外一個(gè)常用參數。當測量晶圓上的電容時(shí),我們通常要看耗散因子,因為它是判斷最終C-V測量質(zhì)量的最佳指標。無(wú)論采用哪種交流阻抗模型,耗散因子都很容易計算出來(lái)。
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