納米測量中屏蔽罩的重要作用
我們建議采樣三軸電纜[2]和屏蔽罩措施,以消除漏電路徑和穩定時(shí)間的問(wèn)題。在圖4的第二種構型中,電纜是由一個(gè)內導體、內屏蔽和外屏蔽構成的。通過(guò)用單增益放大器來(lái)驅動(dòng)電纜的內屏蔽,可以幾乎完全消除電纜電阻[3](以及其他的漏電電阻)的負載效應。因為內部導體和內部屏蔽[4]間的電壓差現在幾乎為零,所有的測試電流現在都流過(guò)內導體并流向測量?jì)x器的輸入。流過(guò)內部屏蔽-地的漏電通路的漏電電流可能具有較大的量值,但該電流是由單增益放大器的低阻抗輸出而非電流信號源來(lái)提供的。

圖4:在內導體和共軸電纜之間的旁路電阻和電容通路將容許流過(guò)漏電流[5]。此外,旁路R和旁路C構成了一個(gè)RC電路,該電路會(huì )大大減慢低電流或者高電阻的測量速度。
根據定義,屏蔽在電路中應當是一個(gè)低阻抗的點(diǎn),其電位應當與高阻抗輸入端的電位近乎相等。在現代靜電計[6]中,預放大器的輸出端應該置于這個(gè)點(diǎn)上,可以用于減少電纜的漏電。一個(gè)進(jìn)一步的好處是等效的電纜電容也相應降低了,從而大大提升了電路的響應速度,縮短了測量時(shí)間。
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