31條必看的EMI測試設計經(jīng)驗

1、把噪音電路節點(diǎn)的PCB銅箔面積最大限度地減小;如開(kāi)關(guān)管的漏極、集電極，初次級繞組的節點(diǎn)等。

2、使輸入和輸出端遠離噪音元件，如變壓器線(xiàn)包，變壓器磁芯，開(kāi)關(guān)管的散熱片，等等。

3、使噪音元件(如未遮蔽的變壓器線(xiàn)包，未遮蔽的變壓器磁芯，和開(kāi)關(guān)管，等等)遠離外殼邊緣，因為在正常操作下外殼邊緣很可能靠近外面的接地線(xiàn)。

4、如果變壓器沒(méi)有使用電場(chǎng)屏蔽，要保持屏蔽體和散熱片遠離變壓器。

5、盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級(輸出)整流器，初級開(kāi)關(guān)功率器件，柵極(基極)驅動(dòng)線(xiàn)路，輔助整流器。

6、不要將門(mén)極(基極)的驅動(dòng)返饋環(huán)路和初級開(kāi)關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。

7、調整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開(kāi)關(guān)的死區時(shí)間里不產(chǎn)生振鈴響聲。

8、防止EMI濾波電感飽和。

9、使拐彎節點(diǎn)和次級電路的元件遠離初級電路的屏蔽體或者開(kāi)關(guān)管的散熱片。

10、保持初級電路的擺動(dòng)的節點(diǎn)和元件本體遠離屏蔽或者散熱片。

11、使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。

12、保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線(xiàn)端子。

13、使EMI濾波器對面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。

14、在輔助線(xiàn)圈的整流器的線(xiàn)路上放一些電阻。

15、在磁棒線(xiàn)圈上并聯(lián)阻尼電阻。 16、在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。

17、在PCB設計時(shí)允許放1nF/500V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級的靜端和輔助繞組之間。

18、保持EMI濾波器遠離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

19、在PCB面積足夠的情況下，可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置，RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

20、空間允許的話(huà)在開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應管的漏極和門(mén)極之間放一個(gè)小徑向引線(xiàn)電容器(米勒電容，10皮法/1千伏電容)。

21、空間允許的話(huà)放一個(gè)小的RC阻尼器在直流輸出端。

22、不要把AC插座與初級開(kāi)關(guān)管的散熱片靠在一起。

23、金屬外殼的濾波器的接地最好直接通過(guò)其外殼和地之間的大面積搭接。檢查濾波器的輸入、輸出線(xiàn)是否互相靠近。

24、適當調整X/Y電容的容值、差模電感及共模扼流圈的感量;

25、調整Y電容時(shí)要注意安全問(wèn)題;改變參數可能會(huì )改善某一段的輻射，但是卻會(huì )導致另外頻度變差，所以需要不斷的試，才能找到最好的組合。

26、適當增大觸發(fā)極上的電阻值不失為一個(gè)好辦法;可在開(kāi)關(guān)管晶體管的集電極(或者是MOS管的漏極)或者是次級輸出整流管對地接一個(gè)小電容也可以有效減小共模開(kāi)關(guān)噪聲。

27、開(kāi)關(guān)電源板在PCB布線(xiàn)時(shí)一定要控制好各回路的回流面積，可以大大減小差模輻射。28.PCB電源走線(xiàn)中增加104/103電容為電源去耦;在多層板布線(xiàn)時(shí)要求電源平面和地平面緊鄰;

29、在電源線(xiàn)上套磁環(huán)進(jìn)行比對驗證，以后可以通過(guò)在單板上增加共模電感來(lái)實(shí)現，或者在電纜上注塑磁環(huán)。

30、輸入AC線(xiàn)的L線(xiàn)的長(cháng)度盡量短;屏蔽設備內部，孔縫附近是否有干擾源;

31、檢查接地螺釘是否噴有絕緣漆，是否接地良好。

本文介紹了31個(gè)與EMC和EMI測試設計有關(guān)的技巧，通過(guò)這些技巧，開(kāi)發(fā)者能夠很快的掌握電磁干擾測試，并在一開(kāi)始便按照這些規范來(lái)進(jìn)行設計，從而在之后的開(kāi)發(fā)中省去大量的時(shí)間以及金錢(qián)成本。