堵住泄漏：當心電容器漏電！

最近，一位客戶(hù)提出了令人費解的電路工作情況問(wèn)題。

其電路使用一款運算放大器在極低頻率下放大擴音器輸出。他采用大型 (47 μF) AC 耦合電容器及高輸入阻抗 (100 kΩ) 為其測量獲得低轉角頻率。

遺憾的是，運算放大器輸出端出現了幾乎 1 伏特的大量 DC 失調。這是怎么回事？

我最喜歡的一句名言是丹麥物理學(xué)家 Niels Bohr 說(shuō)過(guò)的：“專(zhuān)家就是在一個(gè)非常狹窄領(lǐng)域犯了所有可犯錯誤的人?！蔽矣X(jué)得自己還不是一名專(zhuān)家，但這就是我犯過(guò)的一個(gè)錯誤。

圖1

摘自 TI E2E 社區高精度放大器論壇的客戶(hù)電路圖
其運算放大器輸出端出現了大量失調

看看圖 1 中的客戶(hù)原理圖，C1 電容器值可為該失調源提供重要的線(xiàn)索。大型電容器（特別是電解質(zhì)與鉭質(zhì)電容器）可能有極大的泄漏電流。這可導致在輸入電阻器 R2 上產(chǎn)生電壓，運算放大器會(huì )對其進(jìn)行放大。

要知道泄漏電流來(lái)自哪里，我們先來(lái)看看電容器的基本結構。

圖2

電容器的基本結構為兩個(gè)間距為“d”的“A”面積電極板

圖 2 中的電容器包括兩個(gè)由一些絕緣物質(zhì)（藍色顯示）隔開(kāi)的電極板。該結構中的電容 C 可通過(guò)以下方程式計算：

該電容取決于：

1. 電介質(zhì) ε_r（ε_o為自由空間介電常數）的相對介電常數、
2. 電極“A”的面積以及
3. 他們的間距“d”。

該結構還會(huì )產(chǎn)生電阻：

電阻 R 由介電材料“ρ”的電阻系數以及電極面積及其間距決定?？上](méi)有完美的絕緣介電材料。實(shí)際上 Teflon 也只有 1?10²³至 1?10²⁵(Ωm) 的有限電阻系數。

R 被稱(chēng)為“絕緣電阻”，與電容并列。此外，提高電容的因素還會(huì )導致絕緣電阻的降低。為了說(shuō)明這種趨勢，我還針對幾個(gè)額定 10 V 電解質(zhì)電容器，繪制了絕緣電阻與電容的比值圖。[1] 見(jiàn)圖 3。

圖3

在相等電壓額定值下，電容器越大，電容器絕緣電阻越低

電容器的絕緣電阻通常取決于電容器的額定電壓，但不是所有應用電壓都一樣。

因此，通過(guò)電容器的泄漏電流會(huì )因應用電壓而發(fā)生極大的變化。[2]（見(jiàn)圖 4）

圖4

DC 泄漏在極大程度上取決于應用電壓

通常，在 40% 的額定電壓下，泄漏電流將降至其額定值的 10%，如圖 4 所示。因此，既可提高電容器電壓額定值，降低泄漏電流，也可轉換至超低泄漏的電解化學(xué)類(lèi)型。[3]

我通常采用聚丙烯薄膜電容器實(shí)現低泄漏耦合應用。如果我真正需要低泄漏，我就會(huì )去我同事 Thomas Kuehl 的辦公室借真空電容器（圖 5），盡管 47 μF 的真空電容器會(huì )很大！

圖5

50 pF、20 kV 的真空電容器

在調試電路時(shí)，通常原理圖上沒(méi)有諸如耦合電容器絕緣電阻等組件，這就會(huì )帶來(lái)問(wèn)題。無(wú)源組件將在理想模式下工作的假設，只是我從我努力成為一名專(zhuān)家過(guò)程中了解到的眾多錯誤之一。我不知道我的下一個(gè)錯誤將是什么。

參考資料：

[1]《招商簡(jiǎn)介》，Acacia Research 公司（2013 年 2 月）；

[2] 《具有導電聚合物的 SMD 固態(tài)鋁電容器》，Vishay OS-CON，文件編號 90021，2012 年 8 月 28 日；

[3]《鉭質(zhì)電容器應用手冊》，位于南卡羅來(lái)納州格林威爾的 Kemet Electronics 公司；

[4] 作者：Williams, Tim，《電路設計人員手冊》，位于 Burlington MA 的Elsevier ltd.，? 2005 年版權所有。

關(guān)于作者：John Caldwell 現任德州儀器高精度線(xiàn)性產(chǎn)品部應用工程師，主要負責為運算放大器與工業(yè)線(xiàn)性器件提供支持，專(zhuān)門(mén)從事針對傳感器、低噪聲設計及測量，以及電池干擾問(wèn)題的高精度電路設計。John 畢業(yè)于弗吉尼亞理工學(xué)院，獲電氣工程學(xué)士學(xué)位及碩士學(xué)位，主攻生物電子與儀表研究。