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基于TOPSwitch的超寬輸進(jìn)隔離式穩壓開(kāi)關(guān)電源

作者: 時(shí)間:2016-12-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  開(kāi)關(guān)電源(SwitchingPowerSupply)自問(wèn)世以來(lái),就以其穩定、高效、節能等優(yōu)良性能而成為穩壓電源的主要產(chǎn)品。而高度集成化的單片開(kāi)關(guān)電源,更是因其高性?xún)r(jià)比、簡(jiǎn)單的外圍電路、小體積與重量和無(wú)工頻變壓器隔離方式等上風(fēng)而成為穩壓電源中的佼佼者,在工控領(lǐng)域應用廣泛。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201612/327425.htm

  引言

  開(kāi)關(guān)電源(SwitchingPowerSupply)自問(wèn)世以來(lái),就以其穩定、高效、節能等優(yōu)良性能而成為穩壓電源的主要產(chǎn)品。而高度集成化的單片開(kāi)關(guān)電源,更是因其高性?xún)r(jià)比、簡(jiǎn)單的外圍電路、小體積與重量和無(wú)工頻變壓器隔離方式等上風(fēng)而成為穩壓電源中的佼佼者,在工控領(lǐng)域應用廣泛。隨著(zhù)各種不同的單片開(kāi)關(guān)電源芯片及其電路拓撲的應用和推廣,單片開(kāi)關(guān)電源越來(lái)越體現出巨大的實(shí)用價(jià)值和美好遠景。但是,TOPSwitch通常答應的輸進(jìn)電壓變化范圍為120~370V,本文嘗試用它制作更寬輸進(jìn)電壓變化范圍(80~550V)的穩壓電源。實(shí)驗結果證實(shí)是很成功的。

  1、芯片結構及穩壓原理

  近十幾年來(lái),美國電源集成公司(PI)、摩托羅拉公司(Motorola)、意-法半導體公司(SGS-Thomson)、美國Onsemi公司等相繼推出了TOPSwitch,MC,L4970,NCP1000等不同系列的單片開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品。由于TOPSwitch系列產(chǎn)品性能穩定,價(jià)格實(shí)惠,故本文選擇該系列中的一種芯片為核心設計制作了一種輸進(jìn)范圍極寬的穩壓電源。該電源輸進(jìn)直流電壓范圍為80~550V,輸出直流電壓20V,輸出功率20W。

  TOPSwitch不論是三腳封裝,還是DIP-8或SMB-8封裝,實(shí)在質(zhì)都是三端器件,分別為控制端C(Control)、源極S(Source)、漏極D(Drain)??刂普鎮€(gè)主要作用是,根據其電流Ic來(lái)自動(dòng)調節占空比,當Ic變化時(shí),占空比就在一定范圍內變化。源極S與芯片內部功率MOS管源極相連,并作為低級電路的公共地。漏極D與芯片內部功率MOS管的漏極相連。

  TOPSwitch主要包括控制電壓源、高壓電流源、關(guān)斷/自動(dòng)重啟動(dòng)電路、并聯(lián)調整器/誤差放大器、帶隙基準電壓源、過(guò)熱保護及上電復位電路、過(guò)流保護電路、振蕩器、脈寬調制器、門(mén)驅動(dòng)級和輸出級等10個(gè)部分。其內部結構框圖如圖1所示。

  圖1 TOPSwitch內部結構框圖

  TOPSwitch的額定開(kāi)關(guān)頻率為100kHz,答應工作范圍90~110kHz。

  TOPSwitch的穩壓原理是通過(guò)反饋電流(即控制端電流)Ic來(lái)自動(dòng)調節占空比,從而實(shí)現穩壓。例如,當輸出電壓上升時(shí),反饋電流隨之上升,占空比呈反向變化而下降,導致輸出電壓也隨之下降,從而保證輸出電壓的穩定。反之亦然。

  2、電路圖及工作原理

  由TOPSwitch構成的單片開(kāi)關(guān)電源如圖2所示,是典型的單端反激式開(kāi)關(guān)電源。

  圖2 由TOPSwitch構成的20W穩壓開(kāi)關(guān)電源

  圖2中T為三繞組高頻變壓器,工作頻率為100kHz。3個(gè)繞組分別為:Np原邊繞組(65匝);Ns副邊繞組(即輸出繞組,13匝);Nf反饋繞組(8匝);各繞組同名端在圖2中已標出。變壓器中能量傳遞過(guò)程為:當TOPSwitch中的功率MOSFET導通時(shí),變壓器原邊繞組儲存能量;當功率MOSFET關(guān)斷時(shí),原邊繞組中儲存的能量傳遞給副邊繞組和反饋繞組,經(jīng)高頻整流濾波后即可提供直流輸出電壓和反饋電壓。

  DZ1,D1和R1,C2組成了漏極箝位電路和能量吸收回路,用以限制TOPSwitch漏極因高頻變壓器的漏感而可能產(chǎn)生的尖峰電壓。DZ1選用P6KE200A型瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),其反向擊穿電壓為200V。D1選用MUR160型超快恢復二極管,其最大反向耐壓值為600V。由于TOPSwitch的漏—源極最小擊穿電壓為700V,而當其功率MOSFET關(guān)斷時(shí),變壓器原邊的直流輸進(jìn)電壓、原邊繞組的感應電壓以及由變壓器的漏感而產(chǎn)生的尖峰電壓,三者疊加在一起,其值可能超過(guò)700V,故必須在TOPSwitch的漏極增加箝位電路和吸收電路,用以保護功率MOSFET不被損壞。

  C3為T(mén)OPSwitch控制真個(gè)旁路電容,其作用是對控制電路進(jìn)行補償,并能設定自動(dòng)重啟動(dòng)頻率。電路中所選參數值已將自動(dòng)重啟動(dòng)頻率設定為1.2Hz。

  D2及D3為高頻輸出整流二極管,其中D2為MUR420型超快恢復二極管,其最大反向工作電壓為200V,額定整流電流為4A;D3為1N4148型玻封高速開(kāi)關(guān)二極管,其最大反向工作電壓75V,均勻整流電流150mA。

  L1為濾波電感,其值約為20μH,是由非晶合金磁性材料制成的穿心電感,俗稱(chēng)“磁珠”。其作用是濾除D2在反向恢復過(guò)程中產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)噪聲。

  DZ2及DZ3為穩壓管,型號為2CW346。IC2為線(xiàn)性光耦合器,型號為PC817A,其內部發(fā)光二極管的導通壓降約為1V,正常工作電流If約為1~5mA,其直流電流傳輸比為80%~160%。

  輸出電壓由兩只穩壓管電壓、PC817A中發(fā)光二極管的導通壓降以及電阻R4上壓降三者之和而確定,故改變R4的大小,就能改變(精確調節)輸出電壓的設定值,同時(shí)也能改變控制電路的增益,即改變控制電路的放大倍數。對于不同的輸出電壓要求,只須改變穩壓管和限流電阻R4的大小即可。如前所述,輸出電壓Vo的穩壓過(guò)程為:Vo↑(↓)→VR4↑(↓)→If↑(↓)→Ic↑(↓)→占空比↓(↑)→Vo↓(↑)。

  3、實(shí)驗結果

  該穩壓電源的實(shí)驗波形如圖3~圖8所示。當輸進(jìn)如圖3所示,為Vi=80V時(shí),輸出電壓vo如圖4所示(均勻值Vo=19.8V),此時(shí)TOPSwitch的漏源電壓vDS波形如圖5所示。當輸進(jìn)電壓如圖6所示,Vi=550V時(shí),輸出電壓vo如圖7所示(均勻值Vo=20.3V),此時(shí)TOPSwitch的漏源電壓vDS波形如圖8所示。實(shí)驗數據如表1所列。為了說(shuō)明限流電阻R4對輸出的影響,現將不同的R4值所對應的輸出電壓列在表2中。

  圖3 V(i)波形(Vi=80V,100V/格)

  圖4 V(o)波形(Vo=19.8V,5V/格)

  圖5 v(DS)波形(Vi=80V,50V/格)

  圖6 V(i)波形(Vi=550V,200V/格)

  圖7 v(o)波形(Vo=20.3V,10V/格)

  圖8 v(DS)波形(Vi=550V,200V/格)

  表1輸出電壓與輸進(jìn)電壓的關(guān)系表(R4=400Ω,Po=20W)

  表2輸出電壓與電阻R4的關(guān)系表(Vi=200V,Po=20W)

  從表1中可以看出,該穩壓電源固然輸進(jìn)范圍很寬,但其輸出電壓的穩定性卻是相當高的,這對于某些特殊的應用場(chǎng)合還是很有價(jià)值的。

  在實(shí)際設計、使用該電源時(shí),須留意如下事項:

  1)若輸進(jìn)為交流,則在變壓器輸進(jìn)側增加相應的整流、濾波環(huán)節。若無(wú)濾波環(huán)節或濾波效果太差,都將導致電源無(wú)法正常工作;

  2)繞制高頻變壓器時(shí),應將原邊繞組繞在最里層,反饋繞組居中,副邊繞組在最外邊,各繞組應均勻分布,同時(shí)繞組之間應采用盡緣膠帶進(jìn)行盡緣;

  3)焊接TOPSwitch時(shí),應使其引腳盡可能地短;

  4)TOPSwitch和MUR420須加散熱器。

  4、結語(yǔ)

  本文所先容的寬范圍輸進(jìn)的穩壓電源,結構簡(jiǎn)單,性能可靠,制作本錢(qián)低廉,而且產(chǎn)品體積小,重量輕,因此,具有很大的實(shí)用價(jià)值,也代表了未來(lái)電源的發(fā)展方向。



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