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LED芯片的制造工藝流程及檢測項目分析

作者: 時(shí)間:2016-12-03 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
芯片是LED最關(guān)鍵的原物料,其質(zhì)量的好壞,直接決定了LED的性能。特別是用于汽車(chē)或固態(tài)照明設備的高端LED,絕對不容許出現缺陷,也就是說(shuō)此類(lèi)設備的可靠性必須非常高。然而,LED封裝廠(chǎng)由于缺乏芯片來(lái)料檢驗的經(jīng)驗和設備,通常不對芯片進(jìn)行來(lái)料檢驗,在購得不合格的芯片后,往往只能吃啞巴虧。金鑒檢測在累積了大量LED失效分析案例的基礎上,推出LED芯片來(lái)料檢驗的業(yè)務(wù),通過(guò)運用高端分析儀器鑒定芯片的優(yōu)劣情況。這一檢測服務(wù)能夠作為L(cháng)ED封裝廠(chǎng)/芯片代理廠(chǎng)來(lái)料檢驗的補充,防止不良品芯片入庫,避免因芯片質(zhì)量問(wèn)題造成燈珠的整體損失。

  檢測項目:

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201612/325398.htm

  一、芯片各項性能參數測試

  Wd(主波長(cháng))、Iv(亮度)、Vf(順向電壓)、Ir(漏電)、ESD(抗靜電能力)等芯片的光電性能測試,金鑒作為第三方檢測機構能夠鑒定供應商提供的產(chǎn)品數據是否達標。

  二、芯片缺陷查找

  檢測內容:

  1.芯片尺寸測量,芯片尺寸及電極大小是否符合要求,電極圖案是否完整。

  2.芯片是否存在焊點(diǎn)污染、焊點(diǎn)破損、晶粒破損、晶粒切割大小不一、晶粒切割傾斜等缺陷。

  LED芯片的受損會(huì )直接導致LED失效,因此提高LED芯片的可靠性至關(guān)重要。蒸鍍過(guò)程中有時(shí)需用彈簧夾固定芯片,因此會(huì )產(chǎn)生夾痕。黃光作業(yè)若顯影不完全及光罩有破洞會(huì )使發(fā)光區有殘余多出的金屬。晶粒在前段制程中,各項制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等,因此會(huì )有晶粒電極刮傷的情況發(fā)生。

  芯片電極對焊點(diǎn)的影響:芯片電極本身蒸鍍不牢靠,導致焊線(xiàn)后電極脫落或損傷;芯片電極本身可焊性差,會(huì )導致焊球虛焊;芯片存儲不當會(huì )導致電極表面氧化,表面玷污等等,鍵合表面的輕微污染都可能影響兩者間的金屬原子擴散,造成失效或虛焊。

  3.芯片外延區的缺陷查找

  LED外延片在高溫長(cháng)晶過(guò)程中,襯底、MOCVD反應腔內殘留的沉積物、外圍氣體和Mo源都會(huì )引入雜質(zhì),這些雜質(zhì)會(huì )滲入磊晶層,阻止氮化鎵晶體成核,形成各種各樣的外延缺陷,最終在外延層表面形成微小坑洞,這些也會(huì )嚴重影響外延片薄膜材料的晶體質(zhì)量和性能。金鑒檢測研發(fā)出快速鑒定芯片外延區缺陷的檢測方法,能夠低成本、快速地檢測出芯片外延層80%的外延缺陷,幫助LED客戶(hù)選擇高質(zhì)量的外延片、芯片。

  4.芯片工藝和清潔度觀(guān)察

  電極加工是制作LED芯片的關(guān)鍵工序,包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨,會(huì )接觸到很多化學(xué)清洗劑,如果芯片清洗不夠干凈,會(huì )使有害化學(xué)物殘余。這些有害化學(xué)物會(huì )在LED通電時(shí),與電極發(fā)生電化學(xué)反應,導致死燈、光衰、暗亮、發(fā)黑等現象出現。因此,鑒定芯片化學(xué)物殘留對LED封裝廠(chǎng)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要?! ?strong>案例分析(一):

  某客戶(hù)紅光燈珠發(fā)現暗亮問(wèn)題,但一直找不出原因,委托金鑒分析失效的原因。金鑒經(jīng)過(guò)一系列儀器分析排除封裝原因后,對供應商提供的裸晶進(jìn)行檢測,發(fā)現每一個(gè)芯片的發(fā)光區域均有面積不等的污染物,能譜分析結果顯示該污染物包含C、O兩種元素,表明污染物為有機物。我們建議客戶(hù)注重對芯片廠(chǎng)商的生產(chǎn)工藝規范和車(chē)間環(huán)境的考核,并加強對芯片的來(lái)料檢驗。

  案例分析(二):

  某客戶(hù)生產(chǎn)的一批燈珠出現漏電問(wèn)題,委托金鑒查找原因。金鑒通過(guò)掃描電鏡鑒定這批燈珠漏電原因為靜電擊穿,并對供應商提供的裸晶進(jìn)行檢測,發(fā)現芯片外延層表面有大量黑色空洞,這些缺陷表明外延層晶體質(zhì)量較差,PN結內部存在缺陷??斩吹陌l(fā)現,幫助客戶(hù)明確責任事故的負責方,替客戶(hù)挽回損失。

  注:LED芯片制造工藝流程LED芯片的制造工藝流程圖

  外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。

  在生長(cháng)成外延片后,下一步就開(kāi)始對LED外延片做電極(P極,N極),接著(zhù)就開(kāi)始用激光機或鉆石刀切割LED外延片,制造成芯片后,然后在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數測試。這主要是對電壓、波長(cháng)、亮度進(jìn)行測試,符合正常出貨標準參數的晶圓片繼續下一步的操作,不符合要求的,就放在一邊另行處理。晶圓切割成芯片后,需要100%的目檢(VI/VC),操作者要在放大30倍數的顯微鏡下進(jìn)行目測。接著(zhù)使用全自動(dòng)分類(lèi)機根據不同的電壓、波長(cháng)、亮度的預測參數對芯片進(jìn)行全自動(dòng)化挑選、測試和分類(lèi)。最后對LED芯片進(jìn)行檢查(VC)和貼標簽。芯片類(lèi)型、批號、數量和光電測量統計數據記錄在標簽上,附在蠟光紙的背面。藍膜上的芯片將做最后的目檢測試,目檢標準與第一次相同,確保芯片排列整齊和質(zhì)量合格。這就是LED芯片的制造流程。



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