DS18B20相關(guān)總結
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本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201612/324456.htmRAM 數據暫存器，用于內部計算和數據存取，數據在掉電后丟失，DS18B20 共9 個(gè)字節 RAM，每個(gè)字節為 8 位。第1、2 個(gè)字節是溫度轉換后的數據值信息，第 3、4 個(gè)字節是用戶(hù) EEPROM（常用于溫度報警值儲存）的鏡像。在上電復位時(shí)其值將被刷新。第 5 個(gè)字節則是用戶(hù)第 3 個(gè) EEPROM的鏡像。第 6、7、8 個(gè)字節為計數寄存器，是為了讓用戶(hù)得到更高的溫度分辨率而設計的，同樣也是內部溫度轉換、計算的暫存單元。第 9 個(gè)字節為前 8個(gè)字節的 CRC碼。EEPROM 非易失性記憶體，用于存放長(cháng)期需要保存的數據，上下限溫度報警值和校驗數據。
DS18B20共3位EEPROM，并在 RAM 都存在鏡像，以方便用戶(hù)操作。
控制器對 18B20 操作流程：
1，復位：首先我們必須對 DS18B20 芯片進(jìn)行復位，復位就是由控制器（單片機）給 DS18B20單總線(xiàn)至少 480uS 的低電平信號。當 18B20 接到此復位信號后則會(huì )在 15~60uS 后回發(fā)一個(gè)芯片的存在脈沖。
2，存在脈沖：在復位電平結束之后，控制器應該將數據單總線(xiàn)拉高，以便于在 15~60uS 后接收存在脈沖，存在脈沖為一個(gè) 60~240uS 的低電平信號。至此，通信雙方已經(jīng)達成了基本的協(xié)議，接下來(lái)將會(huì )是控制器與 18B20 間的數據通信。如果復位低電平的時(shí)間不足或是單總線(xiàn)的電路斷路都不會(huì )接到存在脈沖，在設計時(shí)要注意意外情況的處理。
3，控制器發(fā)送 ROM 指令：雙方打完了招呼之后最要將進(jìn)行交流了，ROM 指令共有 5條，每一個(gè)工作周期只能發(fā)一條，ROM指令分別是讀 ROM 數據、指定匹配芯片、跳躍 ROM、芯片搜索、報警芯片搜索。ROM 指令為 8 位長(cháng)度，功能是對片內的 64位光刻 ROM進(jìn)行操作。其主要目的是為了分辨一條總線(xiàn)上掛接的多個(gè)器件并作處理。誠然，單總線(xiàn)上可以同時(shí)掛接多個(gè)器件，并通過(guò)每個(gè)器件上所獨有的 ID號來(lái)區別，一般只掛接單個(gè) 18B20芯片時(shí)可以跳過(guò) ROM 指令（注意：此處指的跳過(guò) ROM指令并非不發(fā)送 ROM 指令，而是用特有的一條“跳過(guò)指令” ）
4，控制器發(fā)送存儲器操作指令：在 ROM 指令發(fā)送給 18B20 之后，緊接著(zhù)（不間斷）就是發(fā)送存儲器操作指令了。操作指令同樣為 8 位，共 6 條，存儲器操作指令分別是寫(xiě) RAM 數據、讀RAM 數據、將 RAM 數據復制到 EEPROM、溫度轉換、將 EEPROM中的報警值復制到 RAM、工作方式切換。存儲器操作指令的功能是命令 18B20 作什么樣的工作，是芯片控制的關(guān)鍵。
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