nand flash讀寫(xiě) （一）

NAND FLASH 在對大容量的數據存儲需要中日益發(fā)展，到現今，所有的數碼相機、多數ＭＰ３播放器、各種類(lèi)型的Ｕ盤(pán)、很多PDA里面都有NAND FLASH的身影。

1. Flash的簡(jiǎn)介

NOR Flash：

u 程序和數據可存放在同一片芯片上，擁有獨立的數據總線(xiàn)和地址總線(xiàn)，能快速隨機地讀取，允許系統直接從Flash中讀取代碼執行，而無(wú)需先將代碼下載至ＲＡＭ中再執行

u 可以單字節或單字編程，但不能單字節擦除，必須以塊為單位或對整片執行擦除操作，在對存儲器進(jìn)行編程之前需要對塊或整片進(jìn)行預編程和擦除操作。

NAND FLASH

u 以頁(yè)為單位進(jìn)行讀寫(xiě)操作，1頁(yè)為256B或512B；以塊為單位進(jìn)行擦除操作，1塊為4KB、8KB或16KB。具有快編程和快擦除的功能

u 數據、地址采用同一總線(xiàn)，實(shí)現串行讀取。隨機讀取速度慢且不能按字節隨機編程

u 芯片尺寸小，引腳少，是位成本（bit cost）最低的固態(tài)存儲器

u 芯片存儲位錯誤率較高，推薦使用 ECC校驗，并包含有冗余塊，其數目大概占1%，當某個(gè)存儲塊發(fā)生錯誤后可以進(jìn)行標注，并以冗余塊代替

u Samsung、TOSHIBA和Fujistu三家公司支持采用NAND技術(shù)NAND Flash。目前，Samsung公司推出的最大存儲容量可達8Gbit。NAND 主要作為SmartMedia卡、Compact Flash卡、PCMCIA ATA卡、固態(tài)盤(pán)的存儲介質(zhì)，并正成為Flash磁盤(pán)技術(shù)的核心。

2. NAND FLASH 和NOR FLASH 的比較

1) 性能比較

flash閃存是非易失存儲器，可以對稱(chēng)為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內進(jìn)行，所以大多數情況下，在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫(xiě)為0。

由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執行相同的操作最多只需要4ms。

執行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對于給定的一套寫(xiě)入操作(尤其是更新小文件時(shí))，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當選擇存儲解決方案時(shí)，設計師必須權衡以下的各項因素。

　　● NOR的讀速度比NAND稍快一些。

　　● NAND的寫(xiě)入速度比NOR快很多。

　　● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。

　　● 大多數寫(xiě)入操作需要先進(jìn)行擦除操作。

　　● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

2) 接口差別

NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內部的每一個(gè)字節。

NAND器件使用復雜的I/O口來(lái)串行地存取數據，共用8位總線(xiàn)（各個(gè)產(chǎn)品或廠(chǎng)商的方法可能各不相同）。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫(xiě)操作采用512字節的頁(yè)和32KB的塊為單位，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤(pán)管理此類(lèi)操作，很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤(pán)或其他塊設備。

3) 容量和成本

NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價(jià)格，大概只有NOR的十分之一。

NOR flash占據了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當中，這也說(shuō)明NOR主要應用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND適合于數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場(chǎng)上所占份額最大。

4) 可靠性和耐用性

采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對于需要擴展MTBF的系統來(lái)說(shuō)，Flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。

在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫(xiě)次數是十萬(wàn)次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲器塊在給定的時(shí)間內的刪除次數要少一些。

5) 位交換（錯誤率）

所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn)，NAND發(fā)生的次數要比NOR多)，一個(gè)比特位會(huì )發(fā)生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上，這個(gè)小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問(wèn)題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個(gè)位真的改變了，就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存，NAND的供應商建議使用NAND閃存的時(shí)候，同時(shí)使用EDC/ECC算法。

這個(gè)問(wèn)題對于用NAND存儲多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來(lái)存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時(shí)，必須使用EDC/ECC系統以確?？煽啃?。

6) 壞塊處理

NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力，但發(fā)現成品率太低，代價(jià)太高，根本不劃算。NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現壞塊，并將壞塊標記為不可用?，F在的FLSAH一般都提供冗余塊來(lái)代替壞塊如發(fā)現某個(gè)塊的數據發(fā)生錯誤（ECC校驗），則將該塊標注成壞塊，并以冗余塊代替。這導致了在NAND Flash 中，一般都需要對壞塊進(jìn)行編號管理，讓每一個(gè)塊都有自己的邏輯地址。

7) 易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，并可以在上面直接運行代碼。由于需要I/O接口，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠(chǎng)家而異。在使用NAND器件時(shí)，必須先寫(xiě)入驅動(dòng)程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫(xiě)入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫(xiě)入，這就意味著(zhù)在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。

8) 軟件支持

當討論軟件支持的時(shí)候，應該區別基本的讀/寫(xiě)/擦操作和高一級的用于磁盤(pán)仿真和閃存管理算法的軟件，包括性能優(yōu)化。在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí)，通常需要驅動(dòng)程序，也就是內存技術(shù)驅動(dòng)程序(MTD)，NAND和NOR器件在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要MTD。使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對少一些，許多廠(chǎng)商都提供用于NOR器件的更高級軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅動(dòng)，該驅動(dòng)被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠(chǎng)商所采用。驅動(dòng)還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

在掌上電腦里要使用NAND FLASH 存儲數據和程序，但是必須有NOR FLASH來(lái)啟動(dòng)。除了SAMSUNG處理器，其他用在掌上電腦的主流處理器還不支持直接由NAND FLASH 啟動(dòng)程序。因此，必須先用一片小的NOR FLASH 啟動(dòng)機器，在把OS等軟件從NAND FLASH 載入SDRAM中運行才行。

9) 主要供應商

NOR FLASH的主要供應商是INTEL ,MICRO等廠(chǎng)商，曾經(jīng)是FLASH的主流產(chǎn)品，但現在被NANDFLASH擠的比較難受。它的優(yōu)點(diǎn)是可以直接從FLASH中運行程序，但是工藝復雜，價(jià)格比較貴。

NAND FLASH的主要供應商是SAMSUNG和東芝，在U盤(pán)、各種存儲卡、MP3播放器里面的都是這種FLASH，由于工藝上的不同，它比NORFLASH擁有更大存儲容量，而且便宜。但也有缺點(diǎn)，就是無(wú)法尋址直接運行程序，只能存儲數據。另外NAND FLASH非常容易出現壞區，所以需要有校驗的算法。

3．NAND Flash的硬件設計

NAND FLASH是采用與非門(mén)結構技術(shù)的非易失存儲器，有8位和16位兩種組織形式，下面以8位的NAND FLASH進(jìn)行討論。

1) 接口信號

與NOR Flash相比較，其數據線(xiàn)寬度只有8bit，沒(méi)有地址總線(xiàn)，I/O接口可用于控制命令和地址的輸入，也可用于數據的輸入和輸出，多了CLE和ALE來(lái)區分總線(xiàn)上的數據類(lèi)別。

信號

類(lèi)型

描述

CLE

O

命令鎖存使能

ALE

O

地址鎖存使能

nFCE

O

NAND Flash片選

NFRE

O

NAND Flash讀使能

nFWE

O

NAND Flash寫(xiě)使能

NCON

I

NAND Flash配置

R/nB

I

NAND Flash Ready/Busy

2) 地址結構

NAND FLASH主要以頁(yè)（page）為單位進(jìn)行讀寫(xiě)，以塊(block)為單位進(jìn)行擦除。FLASH頁(yè)的大小和塊的大小因不同類(lèi)型塊結構而不同，塊結構有兩種：小塊（圖7）和大塊（圖8），小塊NAND FLASH包含32個(gè)頁(yè)，每頁(yè)512+16字節；大塊NAND FLASH包含64頁(yè)，每頁(yè)2048+64字節。

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圖7 小塊類(lèi)型NAND FLASH

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圖8 大塊類(lèi)型NAND FLASH

其中，512B（或1024B）用于存放數據，16B（64B）用于存放其他信息（包括：塊好壞的標記、塊的邏輯地址、頁(yè)內數據的ECC校驗和等）。NAND設備的隨機讀取得效率很低，一般以頁(yè)為單位進(jìn)行讀操作。系統在每次讀一頁(yè)后會(huì )計算其校驗和，并和存儲在頁(yè)內的冗余的16B內的校驗和做比較，以此來(lái)判斷讀出的數據是否正確。

大塊和小塊NAND FLASH都有與頁(yè)大小相同的頁(yè)寄存器，用于數據緩存。當讀數據時(shí)，先從NAND FLASH內存單元把數據讀到頁(yè)寄存器，外部通過(guò)訪(fǎng)問(wèn)NAND FLASH I/O端口獲得頁(yè)寄存器中數據（地址自動(dòng)累加）；當寫(xiě)數據時(shí)，外部通過(guò)NAND FLASH I/O端口輸入的數據首先緩存在頁(yè)寄存器，寫(xiě)命令發(fā)出后才寫(xiě)入到內存單元中。

3) 接口電路設計（以下以2410和K9F1208U為例）

2410處理器擁有專(zhuān)門(mén)針對 NAND設備的接口，可以很方便地和NAND設備對接，如圖9所示。雖然NAND設備的接口比較簡(jiǎn)單，容易接到系統總線(xiàn)上，但2410處理器針對NAND設備還集成了硬件ECC校驗，這將大大提高NAND設備的讀寫(xiě)效率。當沒(méi)有處理器的ECC支持時(shí)，就需要由軟件來(lái)完成ECC校驗，這將消耗大量的CPU資源，使讀寫(xiě)速度下降。

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圖9 S3C2410與NAND FLASH接口電路示意圖

3．NAND FLASH 的軟件編寫(xiě)和調試

NAND設備的軟件調試一般分為以下幾個(gè)步驟：設置相關(guān)寄存器、NAND 設備的初始化、NAND設備的識別、NAND設備的讀擦寫(xiě)（帶ECC校驗 ）

NAND設備的操作都是需要通過(guò)命令來(lái)完成，不同廠(chǎng)家的命令稍有不同，以下一Samsung公司的K9F1208U0M命令表為例介紹NAND設備的軟件編寫(xiě)。

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表2 K9F1208U0M Comm