AVR單片機熔絲位設置
(1)在A(yíng)VR的器件手冊中,對熔絲位使用已編程(Programmed)和未編程(Unprogrammed)定義熔絲位的狀態(tài),“Unprogrammed”表示熔絲狀態(tài)為“1”(禁止);“Programmed”表示熔絲狀態(tài)為“0”(允許)。因此,配置熔絲位的過(guò)程實(shí)際上是“配置熔絲位成為未編程狀態(tài)“1”或成為已編程狀態(tài)“0””。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201611/321710.htm(2)在使用通過(guò)選擇打鉤“√”方式確定熔絲位狀態(tài)值的編程工具軟件時(shí),請首先仔細閱讀軟件的使用說(shuō)明,弄清楚“√”表示設置熔絲位狀態(tài)為“0”還是為“1”。
(3)使用CVAVR中的編程下載程序時(shí)應特別注意,由于CVAVR編程下載界面初始打開(kāi)時(shí),大部分熔絲位的初始狀態(tài)定義為“1”,因此不要使用其編程菜單選項中的“all”選項。此時(shí)的“all”選項會(huì )以熔絲位的初始狀態(tài)定義來(lái)配置芯片的熔絲位,而實(shí)際上其往往并不是用戶(hù)所需要的配置結果。如果要使用“all”選項,應先使用“read->fuse bits”讀取芯片中熔絲位實(shí)際狀態(tài)后,再使用“all” 選項。
(4)新的AVR芯片在使用前,應首先查看它熔絲位的配置情況,再根據實(shí)際需要,進(jìn)行熔絲位的配置,并將各個(gè)熔絲位的狀態(tài)記錄備案。
(5)AVR芯片加密以后僅僅是不能讀取芯片內部Flash和E2PROM中的數據,熔絲位的狀態(tài)仍然可以讀取但不能修改配置。芯片擦除命令是將Flash和E2PROM中的數據清除,并同時(shí)將兩位鎖定位狀態(tài)配置成“11”,處于無(wú)鎖定狀態(tài)。但芯片擦除命令并不改變其它熔絲位的狀態(tài)。
(6)正確的操作程序是:在芯片無(wú)鎖定狀態(tài)下,下載運行代碼和數據,配置相關(guān)的熔絲位,最后配置芯片的鎖定位。芯片被鎖定后,如果發(fā)現熔絲位配置不對,必須使用芯片擦除命令,清除芯片中的數據,并解除鎖定。然后重新下載運行代碼和數據,修改配置相關(guān)的熔絲位,最后再次配置芯片的鎖定位。
(7)使用ISP串行方式下載編程時(shí),應配置SPIEN熔絲位為“0”。芯片出廠(chǎng)時(shí)SPIEN位的狀態(tài)默認為“0”,表示允許ISP串行方式下載數據。只有該位處于編程狀態(tài)“0”,才可以通過(guò)AVR的SPI口進(jìn)行ISP下載,如果該位被配置為未編程“1”后,ISP串行方式下載數據立即被禁止,此時(shí)只能通過(guò)并行方式或JTAG編程方式才能將SPIEN的狀態(tài)重新設置為“0”,開(kāi)放ISP。通常情況下,應保持SPIEN的狀態(tài)為“0”,允許ISP編程不會(huì )影響其引腳的I/O功能,只要在硬件電路設計時(shí),注意ISP接口與其并接的器件進(jìn)行必要的隔離,如使用串接電阻或斷路跳線(xiàn)等。
(8)當你的系統中,不使用JTAG接口下載編程或實(shí)時(shí)在線(xiàn)仿真調試,且JTAG接口的引腳需要作為I/O口使用時(shí),必須設置熔絲位JTAGEN的狀態(tài)為“1”。芯片出廠(chǎng)時(shí)JTAGEN的狀態(tài)默認為“0”,表示允許JTAG接口,JTAG的外部引腳不能作為I/O口使用。當JTAGEN的狀態(tài)設置為“1”后,JTAG接口立即被禁止,此時(shí)只能通過(guò)并行方式或ISP編程方式才能將JTAG重新設置為“0”,開(kāi)放JTAG。
(9)一般情況下不要設置熔絲位把RESET引腳定義成I/O使用(如設置ATmega8熔絲位RSTDISBL的狀態(tài)為“0”),這樣會(huì )造成ISP的下載編程無(wú)法進(jìn)行,因為在進(jìn)入ISP方式編程時(shí)前,需要將RESET引腳拉低,使芯片先進(jìn)入復位狀態(tài)。
(10)使用內部有RC振蕩器的AVR芯片時(shí),要特別注意熔絲位CKSEL的配置。一般情況下,芯片出廠(chǎng)時(shí)CKSEL位的狀態(tài)默認為使用內部1MHz的RC振蕩器作為系統的時(shí)鐘源。如果你使用了外部振蕩器作為系統的時(shí)鐘源時(shí),不要忘記首先正確配置CKSEL熔絲位,否則你整個(gè)系統的定時(shí)都會(huì )出現問(wèn)題。而當在你的設計中沒(méi)有使用外部振蕩器(或某鐘特定的振蕩源)作為系統的時(shí)鐘源時(shí),千萬(wàn)不要誤操作或錯誤的把CKSEL熔絲位配置成使用外部振蕩器(或其它不同類(lèi)型的振蕩源)。一旦這種情況產(chǎn)生,使用ISP編程方式則無(wú)法對芯片操作了(因為ISP方式需要芯片的系統時(shí)鐘工作并產(chǎn)生定時(shí)控制信號),芯片看上去“壞了”。此時(shí)只有使用取下芯片使用并行編程方式,或使用JTAG方式(如果JTAG為允許時(shí)且目標板上留有JTAG接口)來(lái)解救了。另一種解救的方式是:嘗試在芯片的晶體引腳上臨時(shí)人為的疊加上不同類(lèi)型的振蕩時(shí)鐘信號,一旦ISP可以對芯片操作,立即將CKSEL配置成使用內部1MHz的RC振蕩器作為系統的時(shí)鐘源,然后再根據實(shí)際情況重新正確配置CKSEL。
(11)使用支持IAP的AVR芯片時(shí),如果你不使用BOOTLOADER功能,注意不要把熔絲位BOOTRST設置為“0”狀態(tài),它會(huì )使芯片在上電時(shí)不是從Flash的0x0000處開(kāi)始執行程序。芯片出廠(chǎng)時(shí)BOOTRST位的狀態(tài)默認為“1”。關(guān)于BOOTRST的配置以及BOOTLOADER程序的設計與IAP的應用請參考本章相關(guān)內容。
二、mega8熔絲位:1:未編程(不選中)0:編程(選中)
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熔絲位
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RSTDISBL:
WDTON:
SPIEN:
EEAVE:
BODEN:
BODLEVEL:
BOOTRST:
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BOOTSZ1/0:
00:1024Word/0xc00;
01:512Word/0xe00;
10:256Word/0xf00;
11:128Word/0xf80
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BLB02/01:
11:SPM和LPM指令都允許執行
10:SPM指令禁止寫(xiě)程序區
01:引導區LPM指令禁止讀取程序區內容;如果中斷向量定義在引導區,則禁止該中斷在程序區執行。
00:SPM指令禁止寫(xiě)程序區;引導區LPM指令禁止讀取程序區內容;如果中斷向量定義在引導區,則禁止該中斷在程序區執行。
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BLB12/11:
11:SPM和LPM指令都允許執行
10:SPM指令禁止寫(xiě)引導區
01:程序區LPM指令禁止讀取引導區內容;如果中斷向量定義在程序區,則禁止該中斷在引導區執行。
00:SPM指令禁止寫(xiě)引導區;程序區LPM指令禁止讀取引導區內容;如果中斷向量定義在程序區,則禁止該中斷在引導區執行。
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LB2/1:
11:未加密
10:程序和EEPROM編程功能禁止,熔絲位鎖定
00:程序和EEPROM編程及校驗功能禁止,熔絲位鎖定
(注:先編程其他熔絲位,再編程加密位)
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CKSEL3/0:
CKOPT:
SUT1/0:
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CKSEL3/0=0000:外部時(shí)鐘,CKOPT=0:允許芯片內部XTAL1管腳對GND接一個(gè)36PF電容;CKOPT=1:禁止該電容
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CKSEL3/0=0001-0100:已經(jīng)校準的內部RC振蕩,CKOPT總為1
0001:1.0M
0010:2.0M
0011:4.0M
0100:8.0M
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CKSEL3/0=0101-1000:外部RC振蕩,CKOPT=0:允許芯片內部XTAL1管腳對GND接一個(gè)36PF電容;CKOPT=1:禁止該電容
0101:<0.9M
0110:0.9-3.0M
0111:3.0-8.0M
1000:8.0-12.0M
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CKSEL3/0=1001:外部低頻晶振,CKOPT=0:允許芯片內部XTAL1/XTAL2管腳對GND各接一個(gè)36PF電容;CKOPT=1:禁止該電容
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CKSEL3/0=1010-1111:外部晶振,陶瓷振蕩子,CKOPT=0:高幅度振蕩輸出;CKOPT=1:低幅度振蕩輸出
101X:0.4-0.9M
110X:0.9-3.0M
111X:3.0-8.0M
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SUT1/0:
當選擇不同晶振時(shí),SUT有所不同。
三、時(shí)鐘選擇一覽表
時(shí)鐘源
外部時(shí)鐘
外部時(shí)鐘
外部時(shí)鐘
內部RC振蕩1MHZ
內部RC振蕩1MHZ
內部RC振蕩1MHZ
內部RC振蕩2MHZ
內部RC振蕩2MHZ
內部RC振蕩2MHZ
內部RC振蕩4MHZ
內部RC振蕩4MHZ
內部RC振蕩4MHZ
內部RC振蕩8MHZ
內部RC振蕩8MHZ
內部RC振蕩8MHZ
外部RC振蕩≤0.9MHZ
外部RC振蕩≤0.9MHZ
外部RC振蕩≤0.9MHZ
外部RC振蕩≤0.9MHZ
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ
低頻晶振(32.768KHZ)
低頻晶振(32.768KHZ)
低頻晶振(32.768KHZ)
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 258 CK + 4.1 ms
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M)
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M)
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M)
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M)
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M)
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M)
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M)
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M)
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M)
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M)
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M)
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M)
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M)
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M)
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M)
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M)
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M)
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M)
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M)
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M)
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M)
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M)
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M)
注:1、出廠(chǎng)默認設置
注意:CKOPT=1(未編程)時(shí),最大工作頻率為8MHZ
內部RC振蕩1MHZ
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