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STM32F10x Flash 模擬 EEPROM

作者： 時(shí)間：2016-11-26 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 收藏
STM32F10x芯片本身沒(méi)有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash來(lái)模擬EEPROM。Flash與EEPROM的區別主要是：一、EEPROM可以按位擦寫(xiě)，而Flash只能按塊（頁(yè)）擦除；二、Flash的擦除壽命約1 萬(wàn)次，較EEPROM低一個(gè)量級。ST網(wǎng)站有個(gè)Flash模擬EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源碼和文檔）。范例在保存修改的數據時(shí)，以寫(xiě)入新數據來(lái)替代對原數據的修改，并使用兩個(gè)頁(yè)面輪流寫(xiě)入，單頁(yè)寫(xiě)滿(mǎn)后進(jìn)行數據遷移，再一次性擦除舊頁(yè)面。這個(gè)策略可以有效降低Flash擦除次數。

　　不過(guò)，范例代碼只能保存固定大小的數據（16bits），雖然容易改成不同的固定大小，但實(shí)際用起來(lái)還是很不方便。我改寫(xiě)了一下，新的特性包括：

本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201611/321584.htm
  • 支持不同大小數據（字符數組、結構體等）的混合存儲；
  • 增加對數據的校驗和（Checksum）檢查。

　　附件提供了源碼。使用方法很簡(jiǎn)單，比如要保存一個(gè)字符數組title和一個(gè)point結構體：

#include"eeprom.h"
#defineTITLE_SIZE80
#defineTITLE_KEY1
#definePOINT_KEY2
typedefstruct{
floatx;
floaty;
floatz;
}Point;
chartitle[TITLE_SIZE]="eepromteststring.";
Pointpoint;

　　執行必要的初始化操作后，就可以進(jìn)行寫(xiě)入和讀?。?/p>

uint16_tresult=0;
FLASH_Unlock();
EE_Init();
result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY,title,TITLE_SIZE);
result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY,&point,sizeof(point));
result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(title,TITLE_KEY,TITLE_SIZE);
result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point,POINT_KEY,sizeof(point));

　　實(shí)現混合存儲的辦法，是給每個(gè)變量附加8字節的控制信息。因此，在存儲小數據時(shí)會(huì )有較大的空間損耗，而在存儲較大的數據結構時(shí)空間利用率更高（相對于范例）。代碼是針對STM32F103VE的實(shí)現。不同芯片需要對應修改頭文件中EEPROM_START_ADDRESS的定義：

#defineEEPROM_START_ADDRESS((uint32_t)0x0807F000)

附件：STM32F10x_EEPROM_Emulation.zip

關(guān)鍵詞： STM32F10xFlash模擬EEPRO

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