單片機內存尋址XDATA/PDATA回答
1、pdata 空間不夠用溢出 直接換成xdata pdata 就是最后的一點(diǎn)空間很容易溢出至于用pdata 有什么好處暫時(shí)沒(méi)有找到相關(guān)的正面解釋。
關(guān)于51單片機內存問(wèn)題,一直是個(gè)疑惑大家的問(wèn)題,因為51單片機是個(gè)很另類(lèi)的單片機。下面我給網(wǎng)上取到一部分講解一下:51單片機之所以另類(lèi),是因為,他尋址內存的空間,不是靠總線(xiàn),是用指令的方式。51單片機有以下幾個(gè)內存模塊組成:1】ROM或者Flash,叫程序存儲區,你寫(xiě)的程序是存在這里面的,上電后從這里面執行。程序存儲區也分為片內和片外,一般來(lái)說(shuō),現在的51很多已經(jīng)做到了64K,所以很少有外擴片外Flash或者片外的Rom了,Flash或者Rom不管是片內還是片外的,只能用來(lái)定義常量,是用code來(lái)修飾,也就是說(shuō),用code來(lái)修飾的東西,在程序運行過(guò)程中,不能修改;2】RAM有------內部RAM的低128位(00-7F),對應C語(yǔ)言就是data,比如我定義一個(gè)變量,data unsigned char Var = 0;那么,這個(gè) Var變量就是放在內部的低128位Ram中-------內部RAM的高128位(80-FF),對應C語(yǔ)言就是idata,比如我定義一個(gè)變量,idata unsigned char Var = 0;那么,這個(gè) Var變量就是放在內部的高128位Ram中-------特殊功能寄存器(SFR)(80-FF),對應C語(yǔ)言就是Sfr比如我定義一個(gè)變量,Sfr unsigned char Var = 0x90;那么,這個(gè) Var變量就是放在內部的特殊功能寄存器中,這是你對Var操作,相當于操作一個(gè)特殊的寄存器,但是小心,不能隨便定義Sfr變量,很危險------外部RAM 64K(0000-FFFF)外部的RAM可以擴展到65536個(gè),但是前256個(gè)算是一頁(yè),這一頁(yè)比較特殊,是用pdata來(lái)修飾的,當然,也可以用xdata來(lái)修飾。除了第一頁(yè)的256個(gè)以外的其他65280個(gè)空間,只能用xdata來(lái)修飾;回過(guò)頭來(lái)討論pdata和xdata,這兩個(gè)都能修飾外部Ram的第一頁(yè),但是,Pdata只能修飾第一頁(yè),即最前面的256個(gè)外部Ram,那么,這最前面的256個(gè)到底用Pdata還是Xdata好的呢?答案是Pdata,因為Xdata修飾的變量,用的是DPTR尋址,Pdata用的是R0和R1.DPTR因為是16位的,所以可以覆蓋整個(gè)的64K外部Ram,R0和R1是8位,所以只能尋址最前面的256個(gè),也就是外部Ram的第一頁(yè),但是,用R0尋址,比DPTR快一倍,代碼也小的很多樓主又疑惑了,好多地址是重復的,比如,我向80H地址寫(xiě)一個(gè)數值,單片機怎么知道讀的是內部的高128位RAM?還是SFR?還是外部64K的RAM呢?答案是用指令,如果是直接尋址,那么訪(fǎng)問(wèn)的就是SFR,如果是R0或者R1間接尋址,就是內部高128位RAM,如果是DPTR或者是R0,R1間接尋址,且配合的是MovX指令,那么就是訪(fǎng)問(wèn)外部64KRAM中的第80H個(gè)地址。概括一下來(lái)說(shuō),51的內存由以下組成:1----程序存儲器(包括片內Flash或Rom,也包括片外Flash或Rom,C語(yǔ)言用Code定義)2----內部低128位Ram,C語(yǔ)言用data定義3---內部高128位Ram,C語(yǔ)言用idata定義4---內部SFR,C語(yǔ)言用Sfr定義5---外部65536個(gè)Ram(通常,很多單片機廠(chǎng)家不會(huì )給你擴展那么多的,一般來(lái)說(shuō)擴展256個(gè)字節或者1024個(gè)字節就差不多了,最近宏晶的出了個(gè)擴展4096字節的。這65536字節的Ram,前256個(gè)可以用Pdata修飾,也可以用Xdata修飾,超過(guò)256個(gè)之后的,只能用Xdata修飾)以上所說(shuō)的只是針對51內核的單片機,其他內核的,像ARM之類(lèi)的,不是這種結構的。最后,回答我們的大家的問(wèn)題:片外存儲區是什么?這個(gè)問(wèn)題太模糊,答案可以是外擴的Flash,也可以說(shuō)是外擴的RAM,如果問(wèn)題是這么問(wèn)的:程序或者常量存儲在片外存儲區,這個(gè)片外存儲區指的是什么?答案是外擴Flash;如果問(wèn)題是---變量存儲在片外存儲區,這個(gè)片外存儲區指的是什么?答案是外擴RAM;一般來(lái)說(shuō),如果不指明的話(huà),外內存儲區,行業(yè)內人士指的是外部的Ram。片內存儲器是什么?是不是就是內部的E2PROM?片內存儲區一般來(lái)說(shuō),指的是內部的Ram,包括高128位(idata)和低128位(data)片內存儲器,這個(gè)說(shuō)法我沒(méi)聽(tīng)說(shuō)過(guò),可能是EEPROM吧。
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