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關(guān)于正確配置AVR熔絲位

作者: 時(shí)間:2016-11-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
AVR熔絲位的配置是比較細致的工作,用戶(hù)往往忽視其重要性,或感到不易掌握。下面給出對AVR熔絲位的配置操作時(shí)的一些要點(diǎn)和需要注意的相關(guān)事項。有關(guān)ATmega128熔絲位的具體定義和功能請查看本書(shū)相關(guān)章節,在附錄中將給出一個(gè)完整的匯總表。

(1)在A(yíng)VR的器件手冊中,對熔絲位使用已編程(Programmed)和未編程(Unprogrammed)定義熔絲位的狀態(tài),“Unprogrammed”表示熔絲狀態(tài)為“1”(禁止);“Programmed”表示熔絲狀態(tài)為“0”(允許)。因此,配置熔絲位的過(guò)程實(shí)際上是“配置熔絲位成為未編程狀態(tài)“1”或成為已編程狀態(tài)“0””。
(2)在使用通過(guò)選擇打鉤“√”方式確定熔絲位狀態(tài)值的編程工具軟件時(shí),請首先仔細閱讀軟件的使用說(shuō)明,弄清楚“√”表示設置熔絲位狀態(tài)為“0”還是為“1”。
(3)使用CVAVR中的編程下載程序時(shí)應特別注意,由于CVAVR編程下載界面初始打開(kāi)時(shí),大部分熔絲位的初始狀態(tài)定義為“1”,因此不要使用其編程菜單選項中的“all”選項。此時(shí)的“all”選項會(huì )以熔絲位的初始狀態(tài)定義來(lái)配置芯片的熔絲位,而實(shí)際上其往往并不是用戶(hù)所需要的配置結果。如果要使用“all”選項,應先使用“read->fusebits”讀取芯片中熔絲位實(shí)際狀態(tài)后,再使用“all”選項。
(4)新的AVR芯片在使用前,應首先查看它熔絲位的配置情況,再根據實(shí)際需要,進(jìn)行熔絲位的配置,并將各個(gè)熔絲位的狀態(tài)記錄備案。
(5)AVR芯片加密以后僅僅是不能讀取芯片內部Flash和E2PROM中的數據,熔絲位的狀態(tài)仍然可以讀取但不能修改配置。芯片擦除命令是將Flash和E2PROM中的數據清除,并同時(shí)將兩位鎖定位狀態(tài)配置成“11”,處于無(wú)鎖定狀態(tài)。但芯片擦除命令并不改變其它熔絲位的狀態(tài)。
(6)正確的操作程序是:在芯片無(wú)鎖定狀態(tài)下,下載運行代碼和數據,配置相關(guān)的熔絲位,最后配置芯片的鎖定位。芯片被鎖定后,如果發(fā)現熔絲位配置不對,必須使用芯片擦除命令,清除芯片中的數據,并解除鎖定。然后重新下載運行代碼和數據,修改配置相關(guān)的熔絲位,最后再次配置芯片的鎖定位。
(7)使用ISP串行方式下載編程時(shí),應配置SPIEN熔絲位為“0”。芯片出廠(chǎng)時(shí)SPIEN位的狀態(tài)默認為“0”,表示允許ISP串行方式下載數據。只有該位處于編程狀態(tài)“0”,才可以通過(guò)AVR的SPI口進(jìn)行ISP下載,如果該位被配置為未編程“1”后,ISP串行方式下載數據立即被禁止,此時(shí)只能通過(guò)并行方式或JTAG編程方式才能將SPIEN的狀態(tài)重新設置為“0”,開(kāi)放ISP。通常情況下,應保持SPIEN的狀態(tài)為“0”,允許ISP編程不會(huì )影響其引腳的I/O功能,只要在硬件電路設計時(shí),注意ISP接口與其并接的器件進(jìn)行必要的隔離,如使用串接電阻或斷路跳線(xiàn)等。
(8)當你的系統中,不使用JTAG接口下載編程或實(shí)時(shí)在線(xiàn)仿真調試,且JTAG接口的引腳需要作為I/O口使用時(shí),必須設置熔絲位JTAGEN的狀態(tài)為“1”。芯片出廠(chǎng)時(shí)JTAGEN的狀態(tài)默認為“0”,表示允許JTAG接口,JTAG的外部引腳不能作為I/O口使用。當JTAGEN的狀態(tài)設置為“1”后,JTAG接口立即被禁止,此時(shí)只能通過(guò)并行方式或ISP編程方式才能將JTAG重新設置為“0”,開(kāi)放JTAG。
(9)一般情況下不要設置熔絲位把RESET引腳定義成I/O使用(如設置ATmega8熔絲位RSTDISBL的狀態(tài)為“0”),這樣會(huì )造成ISP的下載編程無(wú)法進(jìn)行,因為在進(jìn)入ISP方式編程時(shí)前,需要將RESET引腳拉低,使芯片先進(jìn)入復位狀態(tài)。
(10)使用內部有RC振蕩器的AVR芯片時(shí),要特別注意熔絲位CKSEL的配置。一般情況下,芯片出廠(chǎng)時(shí)CKSEL位的狀態(tài)默認為使用內部1MHz的RC振蕩器作為系統的時(shí)鐘源。如果你使用了外部振蕩器作為系統的時(shí)鐘源時(shí),不要忘記首先正確配置CKSEL熔絲位,否則你整個(gè)系統的定時(shí)都會(huì )出現問(wèn)題。而當在你的設計中沒(méi)有使用外部振蕩器(或某鐘特定的振蕩源)作為系統的時(shí)鐘源時(shí),千萬(wàn)不要誤操作或錯誤的把CKSEL熔絲位配置成使用外部振蕩器(或其它不同類(lèi)型的振蕩源)。一旦這種情況產(chǎn)生,使用ISP編程方式則無(wú)法對芯片操作了(因為ISP方式需要芯片的系統時(shí)鐘工作并產(chǎn)生定時(shí)控制信號),芯片看上去“壞了”。此時(shí)只有使用取下芯片使用并行編程方式,或使用JTAG方式(如果JTAG為允許時(shí)且目標板上留有JTAG接口)來(lái)解救了。另一種解救的方式是:嘗試在芯片的晶體引腳上臨時(shí)人為的疊加上不同類(lèi)型的振蕩時(shí)鐘信號,一旦ISP可以對芯片操作,立即將CKSEL配置成使用內部1MHz的RC振蕩器作為系統的時(shí)鐘源,然后再根據實(shí)際情況重新正確配置CKSEL。
(11)使用支持IAP的AVR芯片時(shí),如果你不使用BOOTLOADER功能,注意不要把熔絲位BOOTRST設置為“0”狀態(tài),它會(huì )使芯片在上電時(shí)不是從Flash的0x0000處開(kāi)始執行程序。芯片出廠(chǎng)時(shí)BOOTRST位的狀態(tài)默認為“1”。關(guān)于BOOTRST的配置以及BOOTLOADER程序的設計與IAP的應用請參考本章相關(guān)內容。
ATmega128中重要熔絲位的配置
上一小節介紹了配置AVR熔絲位的要點(diǎn)和注意事項,本小節把在一般情況下使用ATmega128時(shí),幾個(gè)重要的熔絲位配置情況進(jìn)行說(shuō)明。
(1)熔絲位M103C。M103C的配置將設定ATmega128是以ATmega103兼容方式工作運行還是以ATmega128本身的方式工作運行。ATmega128在出廠(chǎng)時(shí)M103C默認狀態(tài)為“0”,即默認以ATmega103兼容方式工作。當用戶(hù)系統設計使芯片以ATmega128方式工作時(shí),應首先將M103C的狀態(tài)配置為“1”。
(2)CLKSEL0..3。CLKSEL0、CLKSEL1、CLKSEL2、CLKSEL3用于選擇系統的時(shí)鐘源。有五種不同類(lèi)型的時(shí)鐘源可供選擇(每種類(lèi)型還有細的劃分)。芯片出廠(chǎng)時(shí)的默認情況為CLKSEL3..0和SUT1..0分別是“0001”和“10”。即使用內部1MHzRC振蕩器,使用最長(cháng)的啟動(dòng)延時(shí)。這保證了無(wú)論外部振蕩電路是否工作,都可以進(jìn)行最初的ISP下載。對于CLKSEL3..0熔絲位的改寫(xiě)需要十分慎重,因為一旦改寫(xiě)錯誤,會(huì )造成芯片無(wú)法啟動(dòng),見(jiàn)上一小節第10點(diǎn)說(shuō)明。
(3)JTAGEN。如果不使用JTAG接口,應將JTAGEN的狀態(tài)設置為“1”,即禁止JTAG,JTAG引腳用于I/O口。
(4)SPIEN。SPI方式下載數據和程序允許,默認狀態(tài)為允許“0”。一般保留其狀態(tài)。
(5)WDTON??撮T(mén)狗的定時(shí)器始終開(kāi)啟。WDTON默認為“1”,即禁止看門(mén)狗的定時(shí)器始終開(kāi)啟。如果該位設置為“0”后,看門(mén)狗的定時(shí)器就會(huì )始終打開(kāi),不能被內部程序控制了,這是為了防止當程序跑飛時(shí),未知代碼通過(guò)寫(xiě)寄存器將看門(mén)狗定時(shí)器關(guān)斷而設計的(盡管關(guān)斷看門(mén)狗定時(shí)器需要特殊的方式,但它保證了更高的可靠行)。
(6)EESAVE。執行擦除命令時(shí)是否保留E2PROM中的內容,默認狀態(tài)為“1”,表示E2PROM中的內容同Flash中的內容一同擦除。如果該位設置為“0”,對程序進(jìn)行下載前的擦除命令只會(huì )對FLASH代碼區有效,而對E2PROM區無(wú)效。這對于希望在系統更新程序時(shí),需要保留E2PROM中數據的情況下是十分有用的。
(7)BOOTRST。決定芯片上電起動(dòng)時(shí),第一條執行指令的地址。默認狀態(tài)為“1”,表示起動(dòng)時(shí)從0x0000開(kāi)始執行。如果BOOTRST設置為“0”,則起動(dòng)時(shí)從BOOTLOADER區的起始地址處開(kāi)始執行程序。BOOTLOADER區的大小由BOOTSZ1和BOOTSZ0決定,因此其首地址也隨之變化。
(8)BOOTSZ1和BOOTSZ0:這兩位確定了BOOTLOADER區的大小以及其起始的首地址。默認的狀態(tài)為“00”,表示BOOTLOADER區為4096字,起始首地址為0xF000。
(9)推薦用戶(hù)使用ISP方式配置熔絲位。配置工具選用BASCOM-AVR(網(wǎng)上下載試用版,它對ISP下載無(wú)限制),和STK200/STK300兼容的下載電纜(見(jiàn)第四章內容)。

注:不同AVR的熔絲也不同,使用前必須仔細查看芯片手冊。
要重視手冊學(xué)習,不僅是掌握如何使用,也是從根本上認識和掌握原理和結構。對于硬件工程師來(lái)將,數據手冊是真正的“經(jīng)書(shū)”,其它都是“修練經(jīng)驗”。不熟讀“經(jīng)書(shū)”,你無(wú)法修_煉成“仙”的。這也是《M128》、《M8》的目的之一!

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201611/320453.htm

mega8熔絲位:1:未編程(不選中)0:編程(選中)
***************************************
熔絲位 說(shuō)明 缺省設置
***************************************
RSTDISBL: 復位或I/O功能選擇 1 1:復位功能;0:I/O功能(PC6)
WDTON: 看門(mén)狗開(kāi)關(guān) 1 1:看門(mén)狗打開(kāi)(通過(guò)WDTCR允許);0:看門(mén)狗禁止
SPIEN: SPI下載允許 0 1:SPI下載禁止;0:SPI下載允許(注:當使用SPI編程時(shí),該項不可用)
EEAVE: 燒錄時(shí)EEPROM數據保留 1 1:不保留;0:保留
BODEN: BOD功能控制 1 1:BOD功能禁止;0:BOD功能允許
BODLEVEL: BOD電平選擇 1 1:2.7V電平;0:4.0V電平
BOOTRST: 復位入口選擇 1 1:程序從0x0000地址開(kāi)始執行;0:程序從引導區確定的入口地址開(kāi)始執行
***************************************
BOOTSZ1/0: 引導程序大小及入口 00
00:1024Word/0xc00;
01:512Word/0xe00;
10:256Word/0xf00;
11:128Word/0xf80
***************************************
BLB02/01: 程序區指令位選擇 11
11:SPM和LPM指令都允許執行
10:SPM指令禁止寫(xiě)程序區
01:引導區LPM指令禁止讀取程序區內容;如果中斷向量定義在引導區,則禁止該中斷在程序區執行。
00:SPM指令禁止寫(xiě)程序區;引導區LPM指令禁止讀取程序區內容;如果中斷向量定義在引導區,則禁止該中斷在程序區執行。
***************************************
BLB12/11: 引導區指令位選擇 11
11:SPM和LPM指令都允許執行
10:SPM指令禁止寫(xiě)引導區
01:程序區LPM指令禁止讀取引導區內容;如果中斷向量定義在程序區,則禁止該中斷在引導區執行。
00:SPM指令禁止寫(xiě)引導區;程序區LPM指令禁止讀取引導區內容;如果中斷向量定義在程序區,則禁止該中斷在引導區執行。
***************************************
LB2/1: 程序區加密位選擇 11
11:未加密
10:程序和EEPROM編程功能禁止,熔絲位鎖定
00:程序和EEPROM編程及校驗功能禁止,熔絲位鎖定
(注:先編程其他熔絲位,再編程加密位)
***************************************
CKSEL3/0: 時(shí)鐘源選擇 0001
CKOPT: 晶振選擇 1
SUT1/0: 復位啟動(dòng)時(shí)間選擇 10
***************************************
CKSEL3/0=0000:外部時(shí)鐘,CKOPT=0:允許芯片內部XTAL1管腳對GND接一個(gè)36PF電容;CKOPT=1:禁止該電容
----------------
CKSEL3/0=0001-0100:已經(jīng)校準的內部RC振蕩,CKOPT總為1
0001:1.0M
0010:2.0M
0011:4.0M
0100:8.0M
----------------
CKSEL3/0=0101-1000:外部RC振蕩,CKOPT=0:允許芯片內部XTAL1管腳對GND接一個(gè)36PF電容;CKOPT=1:禁止該電容
0101:<0.9M
0110:0.9-3.0M
0111:3.0-8.0M
1000:8.0-12.0M
----------------
CKSEL3/0=1001:外部低頻晶振,CKOPT=0:允許芯片內部XTAL1/XTAL2管腳對GND各接一個(gè)36PF電容;CKOPT=1:禁止該電容
----------------
CKSEL3/0=1010-1111:外部晶振,陶瓷振蕩子,CKOPT=0:高幅度振蕩輸出;CKOPT=1:低幅度振蕩輸出
101X:0.4-0.9M
110X:0.9-3.0M
111X:3.0-8.0M
***************************************
SUT1/0: 復位啟動(dòng)時(shí)間選擇
當選擇不同晶振時(shí),SUT有所不同。

三、時(shí)鐘選擇一覽表
時(shí)鐘源 啟動(dòng)延時(shí) 熔絲
外部時(shí)鐘 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT=00
外部時(shí)鐘 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT=01
外部時(shí)鐘 6 CK + 65 ms CKSEL=0000 SUT=10
內部RC振蕩1MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0001 SUT=00
內部RC振蕩1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=01
內部RC振蕩1MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10
內部RC振蕩2MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0010 SUT=00
內部RC振蕩2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0010 SUT=01
內部RC振蕩2MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0010 SUT=10
內部RC振蕩4MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0011 SUT=00
內部RC振蕩4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0011 SUT=01
內部RC振蕩4MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0011 SUT=10
內部RC振蕩8MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0100 SUT=00
內部RC振蕩8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0100 SUT=01
內部RC振蕩8MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0100 SUT=10
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0101 SUT=00
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=01
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0101 SUT=10
外部RC振蕩≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=11
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0110 SUT=00
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=01
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0110 SUT=10
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=11
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SUT=00
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=01
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SUT=10
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=11
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SUT=00
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=01
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=1000 SUT=10
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=11
低頻晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1001 SUT=00
低頻晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=01
低頻晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=10
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=00
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 258 CK + 65 ms CKSEL=1010 SUT=01
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 1K CK + 0 ms CKSEL=1010 SUT=10
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=11
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 1K CK + 65 ms CKSEL=1011 SUT=00
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 16K CK + 0 ms CKSEL=1011 SUT=01
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1011 SUT=10
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 16K CK + 65ms CKSEL=1011 SUT=11
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=00
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 258 CK + 65 ms CKSEL=1100 SUT=01
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 1K CK + 0 ms CKSEL=1100 SUT=10
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=11
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 1K CK + 65 ms CKSEL=1101 SUT=00
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 16K CK + 0 ms CKSEL=1101 SUT=01
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1101 SUT=10
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 16K CK + 65ms CKSEL=1101 SUT=11
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=00
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 258 CK + 65 ms CKSEL=1110 SUT=01
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 1K CK + 0 ms CKSEL=1110 SUT=10
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=11
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT=00
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 16K CK + 0 ms CKSEL=1111 SUT=01
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1111 SUT=10
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 16K CK + 65ms CKSEL=1111 SUT=11
注:1、出廠(chǎng)默認設置
注意:CKOPT=1(未編程)時(shí),最大工作頻率為8MHZ
內部RC振蕩1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=01

還有進(jìn)入不了編程模式,提示連接不正常的,可以這樣修復,我親自試過(guò),好極了。也是轉帖的
當改動(dòng)了AVR的熔絲位配置,重新加電后,想再用ISP下載,提示:“進(jìn)入編程模式失敗”等,極有可能是搞錯了熔絲位,導致芯片不知道使用何種主頻而無(wú)法正常工作(僅限于內部RC振蕩的情況)。
通過(guò)外加有源晶振的辦法,讓其恢復。
使用51系列單片機的ALE引腳作為外部時(shí)鐘源,將51系列的ALE引腳與M16的XTAL1引腳相連接。我親手試了一下,效果是立竿見(jiàn)影,很快的恢復了錯誤設置的熔絲位。

論壇轉帖:

在給ATMEGA8單片機編程時(shí)候使用AVR-frighter 軟件,結果編程使用了內部晶振,運行速度很慢。請問(wèn)怎么設置才能使用外部晶振。我外部用的24M晶振。還要怎樣設置才能用外部?

問(wèn)題解決,沒(méi)正確配置熔絲,外部晶體不起振,頻率計測不到。照下圖配置,搞定。M8 和M16一樣。



關(guān)鍵詞: 正確配置AVR熔絲

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