單片機中數據存儲介質(zhì)區別

首先是RAM,?分為兩種，靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）與動(dòng)態(tài)隨機存儲器（DRAM），顧名思義，動(dòng)態(tài)隨機存儲器需要不停的刷新，靜態(tài)功耗比較大，所以單片機中大都采用靜態(tài)隨機存儲器，不需要刷新，靜態(tài)功耗相對來(lái)說(shuō)很低。此外，靜態(tài)隨機存儲器相比動(dòng)態(tài)隨機存儲器也有其缺點(diǎn)，電路復雜集成度低，所以一般容量較小。------另：SRAM的讀取速度相當快，由于它的造價(jià)高，主要用作計算機中的高速緩存存儲器(Cache)。DRAM雖然讀取速度較慢，但它的造價(jià)低廉，集成度高，宜于作為系統所需的大容量“主存”，所以DRAM主要制造成計算機中的內存條，目前，市面上主要有使用DRAM芯片制成的普通內存條。?

重點(diǎn)來(lái)說(shuō)說(shuō)ROM，以前的紫外線(xiàn)擦除EPROM略過(guò)不談，重點(diǎn)表一表現在單片機中主要用的EEPROM與FLASH，其實(shí)FLASH也是電可擦除，掉電不失的數據存儲器，是一種廣義上的ROM，為做區分，稱(chēng)其為FLASH。

EEPROM的特點(diǎn)是可以隨意訪(fǎng)問(wèn)和修改其中的任何一個(gè)字節，可以往每一個(gè)bit位中寫(xiě)0或寫(xiě)1，操作比FLASH簡(jiǎn)單快捷，通常用于存放需要頻繁改寫(xiě)的數據。但因其組成電路復雜成本高，所以容量一般都不是很大，?一般都是幾十K字節或幾百K字節，很少有超過(guò)512k字節的。

FLASH也是電可擦除的一種廣義上的ROM,分為兩種NORFLASH?，與NAND FLASH；

NORFLASH??具備地址線(xiàn)與數據線(xiàn)，可以像RAM一樣隨機訪(fǎng)問(wèn)每一個(gè)字節，但是擦除的時(shí)候是按塊來(lái)擦除的，所以一次簡(jiǎn)化了電路，數據密度更高，成本也降低了，一般上M的存儲器都是FLASH。

NAND FLASH地址線(xiàn)與數據線(xiàn)是復用的，讀取按頁(yè)來(lái)讀取，擦除按塊來(lái)擦除，所以電路更簡(jiǎn)單，數據密度更大了，大容量的一般都是nand flash，而2M到12M的都是NOR FLASH。

?NAND FLASH地址線(xiàn)與數據線(xiàn)是復用的，所以在讀取速度上要慢一些,由于nor flash 可以對字節進(jìn)行操作，所以程序可以直接在nor flash中運行，而不需要將其調入到RAM后執行。而在nand flash 放入操作系統等。

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