s3c2440對nandflash的操作
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三星公司是最主要的nandflash供應商，因此在它所開(kāi)發(fā)的各類(lèi)處理器中，實(shí)現對nandflash的支持就不足為奇了。s3c2440不僅具有nandflash的接口，而且還可以利用某些機制實(shí)現直接從nandflash啟動(dòng)并運行程序。本文只介紹如何對nandflash實(shí)現讀、寫(xiě)、擦除等基本操作，不涉及nandflash啟動(dòng)程序的問(wèn)題。
在這里，我們使用的nandflash為K9F2G08U0A，它是8位的nandflash。不同型號的nandflash的操作會(huì )有所不同，但硬件引腳基本相同，這給產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)帶來(lái)了便利。因為不同型號的PCB板是一樣的，只要更新一下軟件就可以使用不同容量大小的nandflash。
K9F2G08U0A的一頁(yè)為（2K＋64）字節（加號前面的2K表示的是main區容量，加號后面的64表示的是spare區容量），它的一塊為64頁(yè)，而整個(gè)設備包括了2048個(gè)塊。這樣算下來(lái)一共有2112M位容量，如果只算main區容量則有256M字節（即256M×8位）。要實(shí)現用8個(gè)IO口來(lái)要訪(fǎng)問(wèn)這么大的容量，K9F2G08U0A規定了用5個(gè)周期來(lái)實(shí)現。第一個(gè)周期訪(fǎng)問(wèn)的地址為A0~A7；第二個(gè)周期訪(fǎng)問(wèn)的地址為A8~A11，它作用在IO0~IO3上，而此時(shí)IO4~IO7必須為低電平；第三個(gè)周期訪(fǎng)問(wèn)的地址為A12~A19；第四個(gè)周期訪(fǎng)問(wèn)的地址為A20~A27；第五個(gè)周期訪(fǎng)問(wèn)的地址為A28，它作用在IO0上，而此時(shí)IO1~IO7必須為低電平。前兩個(gè)周期傳輸的是列地址，后三個(gè)周期傳輸的是行地址。通過(guò)分析可知，列地址是用于尋址頁(yè)內空間，行地址用于尋址頁(yè)，如果要直接訪(fǎng)問(wèn)塊，則需要從地址A18開(kāi)始。
由于所有的命令、地址和數據全部從8位IO口傳輸，所以nandflash定義了一個(gè)命令集來(lái)完成各種操作。有的操作只需要一個(gè)命令（即一個(gè)周期）即可，而有的操作則需要兩個(gè)命令（即兩個(gè)周期）來(lái)實(shí)現。下面的宏定義為K9F2G08U0A的常用命令：
#define CMD_READ10x00//頁(yè)讀命令周期1
#define CMD_READ20x30//頁(yè)讀命令周期2
#define CMD_READID0x90//讀ID命令
#define CMD_WRITE10x80//頁(yè)寫(xiě)命令周期1
#define CMD_WRITE20x10//頁(yè)寫(xiě)命令周期2
#define CMD_ERASE10x60//塊擦除命令周期1
#define CMD_ERASE20xd0//塊擦除命令周期2
#define CMD_STATUS0x70//讀狀態(tài)命令
#define CMD_RESET0xff//復位
#define CMD_RANDOMREAD10x05//隨意讀命令周期1
#define CMD_RANDOMREAD20xE0//隨意讀命令周期2
#define CMD_RANDOMWRITE0x85//隨意寫(xiě)命令
在這里，隨意讀命令和隨意寫(xiě)命令可以實(shí)現在一頁(yè)內任意地址地讀寫(xiě)。讀狀態(tài)命令可以實(shí)現讀取設備內的狀態(tài)寄存器，通過(guò)該命令可以獲知寫(xiě)操作或擦除操作是否完成（判斷第6位），以及是否成功完成（判斷第0位）。
下面介紹s3c2440的nandflash控制器。s3c2440支持8位或16位的每頁(yè)大小為256字，512字節，1K字和2K字節的nandflash，這些配置是通過(guò)系統上電后相應引腳的高低電平來(lái)實(shí)現的。s3c2440還可以硬件產(chǎn)生ECC校驗碼，這為準確及時(shí)發(fā)現nandflash的壞塊帶來(lái)了方便。nandflash控制器的主要寄存器有NFCONF（nandflash配置寄存器），NFCONT（nandflash控制寄存器），NFCMMD（nandflash命令集寄存器），NFADDR（nandflash地址集寄存器），NFDATA（nandflash數據寄存器），NFMECCD0/1（nandflash的main區ECC寄存器），NFSECCD（nandflash的spare區ECC寄存器），NFSTAT（nandflash操作狀態(tài)寄存器），NFESTAT0/1（nandflash的ECC狀態(tài)寄存器），NFMECC0/1（nandflash用于數據的ECC寄存器），以及NFSECC（nandflash用于IO的ECC寄存器）。
NFCMMD，NFADDR和NFDATA分別用于傳輸命令，地址和數據，為了方便起見(jiàn)，我們可以定義一些宏定義用于完成上述操作：
#define NF_CMD(data){rNFCMD= (data); }//傳輸命令
#define NF_ADDR(addr){rNFADDR = (addr); }//傳輸地址
#define NF_RDDATA()(rNFDATA)//讀32位數據
#define NF_RDDATA8()(rNFDATA8)//讀8位數據
#define NF_WRDATA(data){rNFDATA = (data); }//寫(xiě)32位數據
#define NF_WRDATA8(data){rNFDATA8 = (data); }//寫(xiě)8位數據
其中rNFDATA8的定義為(*(volatile unsigned char *)0x4E000010)。
NFCONF主要用到了TACLS、TWRPH0、TWRPH1，這三個(gè)變量用于配置nandflash的時(shí)序。s3c2440的數據手冊沒(méi)有詳細說(shuō)明這三個(gè)變量的具體含義，但通過(guò)它所給出的時(shí)序圖，我們可以看出，TACLS為CLE/ALE有效到nWE有效之間的持續時(shí)間，TWRPH0為nWE的有效持續時(shí)間，TWRPH1為nWE無(wú)效到CLE/ALE無(wú)效之間的持續時(shí)間，這些時(shí)間都是以HCLK為單位的（本文程序中的HCLK=100MHz）。通過(guò)查閱K9F2G08U0A的數據手冊，我們可以找到并計算該nandflash與s3c2440相對應的時(shí)序：K9F2G08U0A中的tWP與TWRPH0相對應，tCLH與TWRPH1相對應，（tCLS－tWP）與TACLS相對應。K9F2G08U0A給出的都是最小時(shí)間，s3c2440只要滿(mǎn)足它的最小時(shí)間即可，因此TACLS、TWRPH0、TWRPH1這三個(gè)變量取值大一些會(huì )更保險。在這里，這三個(gè)值分別取1，2和0。NFCONF的第0位表示的是外接的nandflash是8位IO還是16位IO，這里當然要選擇8位的IO。NFCONT寄存器是另一個(gè)需要事先初始化的寄存器。它的第13位和第12位用于鎖定配置，第8位到第10位用于nandflash的中斷，第4位到第6位用于ECC的配置，第1位用于nandflash芯片的選取，第0位用于nandflash控制器的使能。另外，為了初始化nandflash，還需要配置GPACON寄存器，使它的第17位到第22位與nandflash芯片的控制引腳相對應。下面的程序實(shí)現了初始化nandflash控制器：
void NF_Init ( void )
{
rGPACON = (rGPACON &~(0x3f<<17)) | (0x3f<<17);//配置芯片引腳
//TACLS=1、TWRPH0=2、TWRPH1=0，8位IO
rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0);
//非鎖定，屏蔽nandflash中斷，初始化ECC及鎖定main區和spare區ECC，使能nandflash片選及控制器
rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
}
為了更好地應用ECC和使能nandflash片選，我們還需要一些宏定義：
#define NF_nFCE_L(){rNFCONT &= ~(1<<1); }
#define NF_CE_L()NF_nFCE_L()//打開(kāi)nandflash片選
#define NF_nFCE_H(){rNFCONT |= (1<<1); }
#define NF_CE_H()NF_nFCE_H()//關(guān)閉nandflash片選
#define NF_RSTECC(){rNFCONT |= (1<<4); }//復位ECC
#define NF_MECC_UnLock(){rNFCONT &= ~(1<<5); }//解鎖main區ECC
#define NF_MECC_Lock(){rNFCONT |= (1<<5); }//鎖定main區ECC
#define NF_SECC_UnLock(){rNFCONT &= ~(1<<6); }//解鎖spare區ECC
#define NF_SECC_Lock(){rNFCONT |= (1<<6); }//鎖定spare區ECC
NFSTAT是另一個(gè)比較重要的寄存器，它的第0位可以用于判斷nandflash是否在忙，第2位用于檢測RnB引腳信號：
#define NF_WAITRB(){while(!(rNFSTAT&(1<<0)));}//等待nandflash不忙
#define NF_CLEAR_RB(){rNFSTAT |= (1<<2); }//清除RnB信號
#define NF_DETECT_RB(){while(!(rNFSTAT&(1<<2)));}//等待RnB信號變高，即不忙
下面就詳細介紹K9F2G08U0A的基本操作，包括復位，讀ID，頁(yè)讀、寫(xiě)數據，隨意讀、寫(xiě)數據，塊擦除等。
復位操作最簡(jiǎn)單，只需寫(xiě)入復位命令即可：
static void rNF_Reset()
{
NF_CE_L();//打開(kāi)nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清除RnB信號
NF_CMD(CMD_RESET);//寫(xiě)入復位命令
NF_DETECT_RB();//等待RnB信號變高，即不忙
NF_CE_H();//關(guān)閉nandflash片選
}
讀取K9F2G08U0A芯片ID操作首先需要寫(xiě)入讀ID命令，然后再寫(xiě)入0x00地址，就可以讀取到一共五個(gè)周期的芯片ID，第一個(gè)周期為廠(chǎng)商ID，第二個(gè)周期為設備ID，第三個(gè)周期至第五個(gè)周期包括了一些具體的該芯片信息，這里就不多介紹：
static char rNF_ReadID()
{
char pMID;
char pDID;
char cyc3, cyc4, cyc5;
NF_nFCE_L();//打開(kāi)nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號
NF_CMD(CMD_READID);//讀ID命令
NF_ADDR(0x0);//寫(xiě)0x00地址
//讀五個(gè)周期的ID
pMID = NF_RDDATA8();//廠(chǎng)商ID：0xEC
pDID = NF_RDDATA8();//設備ID：0xDA
cyc3 = NF_RDDATA8();//0x10
cyc4 = NF_RDDATA8();//0x95
cyc5 = NF_RDDATA8();//0x44
NF_nFCE_H();//關(guān)閉nandflash片選
return (pDID);
}
下面介紹讀操作，讀操作是以頁(yè)為單位進(jìn)行的。如果在讀取數據的過(guò)程中不進(jìn)行ECC校驗判斷，則讀操作比較簡(jiǎn)單，在寫(xiě)入讀命令的兩個(gè)周期之間寫(xiě)入要讀取的頁(yè)地址，然后讀取數據即可。如果為了更準確地讀取數據，則在讀取完數據之后還要進(jìn)行ECC校驗判斷，以確定所讀取的數據是否正確。
在上文中我們已經(jīng)介紹過(guò)，nandflash的每一頁(yè)有兩區：main區和spare區，main區用于存儲正常的數據，spare區用于存儲其他附加信息，其中就包括ECC校驗碼。當我們在寫(xiě)入數據的時(shí)候，我們就計算這一頁(yè)數據的ECC校驗碼，然后把校驗碼存儲到spare區的特定位置中，在下次讀取這一頁(yè)數據的時(shí)候，同樣我們也計算ECC校驗碼，然后與spare區中的ECC校驗碼比較，如果一致則說(shuō)明讀取的數據正確，如果不一致則不正確。ECC的算法較為復雜，好在s3c2440能夠硬件產(chǎn)生ECC校驗碼，這樣就省去了不少的麻煩事。s3c2440即可以產(chǎn)生main區的ECC校驗碼，也可以產(chǎn)生spare區的ECC校驗碼。因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此s3c2440共產(chǎn)生4個(gè)字節的main區ECC碼和2個(gè)字節的spare區ECC碼。在這里我們規定，在每一頁(yè)的spare區的第0個(gè)地址到第3個(gè)地址存儲main區ECC，第4個(gè)地址和第5個(gè)地址存儲spare區ECC。產(chǎn)生ECC校驗碼的過(guò)程為：在讀取或寫(xiě)入哪個(gè)區的數據之前，先解鎖該區的ECC，以便產(chǎn)生該區的ECC。在讀取或寫(xiě)入完數據之后，再鎖定該區的ECC，這樣系統就會(huì )把產(chǎn)生的ECC碼保存到相應的寄存器中。main區的ECC保存到NFMECC0/1中（因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此這里只用到了NFMECC0），spare區的ECC保存到NFSECC中。對于讀操作來(lái)說(shuō)，我們還要繼續讀取spare區的相應地址內容，已得到上次寫(xiě)操作時(shí)所存儲的main區和spare區的ECC，并把這些數據分別放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相應位置中。最后我們就可以通過(guò)讀取NFESTAT0/1（因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此這里只用到了NFESTAT0）中的低4位來(lái)判斷讀取的數據是否正確，其中第0位和第1位為main區指示錯誤，第2位和第3位為spare區指示錯誤。
下面就給出一段具體的頁(yè)讀操作程序：
U8 rNF_ReadPage(U32 page_number)
{
U32 i, mecc0, secc;
NF_RSTECC();//復位ECC
NF_MECC_UnLock();//解鎖main區ECC
NF_nFCE_L();//打開(kāi)nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號
NF_CMD(CMD_READ1);//頁(yè)讀命令周期1
//寫(xiě)入5個(gè)地址周期
NF_ADDR(0x00);//列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00);//列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff);//行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff);//行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff);//行地址A28
NF_CMD(CMD_READ2);//頁(yè)讀命令周期2
NF_DETECT_RB();//等待RnB信號變高，即不忙
//讀取一頁(yè)數據內容
for (i = 0; i < 2048; i++)
{
buffer[i] =NF_RDDATA8();
}
NF_MECC_Lock();//鎖定main區ECC值
NF_SECC_UnLock();//解鎖spare區ECC
mecc0=NF_RDDATA();//讀spare區的前4個(gè)地址內容，即第2048~2051地址，這4個(gè)字節為main區的ECC
//把讀取到的main區的ECC校驗碼放入NFMECCD0/1的相應位置內
rNFMECCD0=((mecc0&0xff00)<<8)|(mecc0&0xff);
rNFMECCD1=((mecc0&0xff000000)>>8)|((mecc0&0xff0000)>>16);
NF_SECC_Lock();//鎖定spare區的ECC值
secc=NF_RDDATA();//繼續讀spare區的4個(gè)地址內容，即第2052~2055地址，其中前2個(gè)字節為spare區的ECC值
//把讀取到的spare區的ECC校驗碼放入NFSECCD的相應位置內
rNFSECCD=((secc&0xff00)<<8)|(secc&0xff);
NF_nFCE_H();//關(guān)閉nandflash片選
//判斷所讀取到的數據是否正確
if ((rNFESTAT0&0xf) == 0x0)
return 0x66;//正確
else
return 0x44;//錯誤
}
這段程序是把某一頁(yè)的內容讀取到全局變量數組buffer中。該程序的輸入參數直接就為K9F2G08U0A的第幾頁(yè)，例如我們要讀取第128064頁(yè)中的內容，可以調用該程序為：rNF_ReadPage(128064);。由于第128064頁(yè)是第2001塊中的第0頁(yè)（128064＝2001×64＋0），所以為了更清楚地表示頁(yè)與塊之間的關(guān)系，也可以寫(xiě)為：rNF_ReadPage(2001*64);。
頁(yè)寫(xiě)操作的大致流程為：在兩個(gè)寫(xiě)命令周期之間分別寫(xiě)入頁(yè)地址和數據，當然如果為了保證下次讀取該數據時(shí)的正確性，還需要把main區的ECC值和spare區的ECC值寫(xiě)入到該頁(yè)的spare區內。然后我們還需要讀取狀態(tài)寄存器，以判斷這次寫(xiě)操作是否正確。下面就給出一段具體的頁(yè)寫(xiě)操作程序，其中輸入參數也是要寫(xiě)入數據到第幾頁(yè)：
U8 rNF_WritePage(U32 page_number)
{
U32 i, mecc0, secc;
U8 stat, temp;
temp = rNF_IsBadBlock(page_number>>6);//判斷該塊是否為壞塊
if(temp == 0x33)
return 0x42;//是壞塊，返回
NF_RSTECC();//復位ECC
NF_MECC_UnLock();//解鎖main區的ECC
NF_nFCE_L();//打開(kāi)nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號
NF_CMD(CMD_WRITE1);//頁(yè)寫(xiě)命令周期1
//寫(xiě)入5個(gè)地址周期
NF_ADDR(0x00);//列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00);//列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff);//行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff);//行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff);//行地址A28
//寫(xiě)入一頁(yè)數據
for (i = 0; i < 2048; i++)
{
NF_WRDATA8((char)(i+6));
}
NF_MECC_Lock();//鎖定main區的ECC值
mecc0=rNFMECC0;//讀取main區的ECC校驗碼
//把ECC校驗碼由字型轉換為字節型，并保存到全局變量數組ECCBuf中
ECCBuf[0]=(U8)(mecc0&0xff);
ECCBuf[1]=(U8)((mecc0>>8) & 0xff);
ECCBuf[2]=(U8)((mecc0>>16) & 0xff);
ECCBuf[3]=(U8)((mecc0>>24) & 0xff);
NF_SECC_UnLock();//解鎖spare區的ECC
//把main區的ECC值寫(xiě)入到spare區的前4個(gè)字節地址內，即第2048~2051地址
for(i=0;i<4;i++)
{
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
}
NF_SECC_Lock();//鎖定spare區的ECC值
secc=rNFSECC;//讀取spare區的ECC校驗碼
//把ECC校驗碼保存到全局變量數組ECCBuf中
ECCBuf[4]=(U8)(secc&0xff);
ECCBuf[5]=(U8)((secc>>8) & 0xff);
//把spare區的ECC值繼續寫(xiě)入到spare區的第2052~2053地址內
for(i=4;i<6;i++)
{
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
}
NF_CMD(CMD_WRITE2);//頁(yè)寫(xiě)命令周期2
delay(1000);//延時(shí)一段時(shí)間，以等待寫(xiě)操作完成
NF_CMD(CMD_STATUS);//讀狀態(tài)命令
//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語(yǔ)句的作用與NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));
NF_nFCE_H();//關(guān)閉nandflash片選
//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則寫(xiě)操作正確，否則錯誤
if (stat & 0x1)
{
temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6);//標注該頁(yè)所在的塊為壞塊
if (temp == 0x21)
return 0x43//標注壞塊失敗
else
return 0x44;//寫(xiě)操作失敗
}
else
return 0x66;//寫(xiě)操作成功
}
該段程序先判斷該頁(yè)所在的壞是否為壞塊，如果是則退出。在最后寫(xiě)操作失敗后，還要標注該頁(yè)所在的塊為壞塊，其中所用到的函數rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock，我們在后面介紹。我們再總結一下該程序所返回數值的含義，0x42：表示該頁(yè)所在的塊為壞塊；0x43：表示寫(xiě)操作失敗，并且在標注該頁(yè)所在的塊為壞塊時(shí)也失??；0x44：表示寫(xiě)操作失敗，但是標注壞塊成功；0x66：寫(xiě)操作成功。
擦除是以塊為單位進(jìn)行的，因此在寫(xiě)地址周期是，只需寫(xiě)三個(gè)行周期，并且要從A18開(kāi)始寫(xiě)起。與寫(xiě)操作一樣，在擦除結束前還要判斷是否擦除操作成功，另外同樣也存在需要判斷是否為壞塊以及要標注壞塊的問(wèn)題。下面就給出一段具體的塊擦除操作程序：
U8 rNF_EraseBlock(U32 block_number)
{
char stat, temp;
temp = rNF_IsBadBlock(block_number);//判斷該塊是否為壞塊
if(temp == 0x33)
return 0x42;//是壞塊，返回
NF_nFCE_L();//打開(kāi)片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號
NF_CMD(CMD_ERASE1);//擦除命令周期1
//寫(xiě)入3個(gè)地址周期，從A18開(kāi)始寫(xiě)起
NF_ADDR((block_number << 6) & 0xff);//行地址A18~A19
NF_ADDR((block_number >> 2) & 0xff);//行地址A20~A27
NF_ADDR((block_number >> 10) & 0xff);//行地址A28
NF_CMD(CMD_ERASE2);//擦除命令周期2
delay(1000);//延時(shí)一段時(shí)間
NF_CMD(CMD_STATUS);//讀狀態(tài)命令
//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語(yǔ)句的作用與NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));
NF_nFCE_H();//關(guān)閉nandflash片選
//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則擦除操作正確，否則錯誤
if (stat & 0x1)
{
temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6);//標注該塊為壞塊
if (temp == 0x21)
return 0x43//標注壞塊失敗
else
return 0x44;//擦除操作失敗
}
else
return 0x66;//擦除操作成功
}
該程序的輸入參數為K9F2G08U0A的第幾塊，例如我們要擦除第2001塊，則調用該函數為：rNF_EraseBlock(2001)。
K9F2G08U0A除了提供了頁(yè)讀和頁(yè)寫(xiě)功能外，還提供了頁(yè)內地址隨意讀、寫(xiě)功能。頁(yè)讀和頁(yè)寫(xiě)是從頁(yè)的首地址開(kāi)始讀、寫(xiě)，而隨意讀、寫(xiě)實(shí)現了在一頁(yè)范圍內任意地址的讀、寫(xiě)。隨意讀操作是在頁(yè)讀操作后輸入隨意讀命令和頁(yè)內列地址，這樣就可以讀取到列地址所指定地址的數據。隨意寫(xiě)操作是在頁(yè)寫(xiě)操作的第二個(gè)頁(yè)寫(xiě)命令周期前，輸入隨意寫(xiě)命令和頁(yè)內列地址，以及要寫(xiě)入的數據，這樣就可以把數據寫(xiě)入到列地址所指定的地址內。下面兩段程序實(shí)現了隨意讀和隨意寫(xiě)功能，其中隨意讀程序的輸入參數分別為頁(yè)地址和頁(yè)內地址，輸出參數為所讀取到的數據，隨意寫(xiě)程序的輸入參數分別為頁(yè)地址，頁(yè)內地址，以及要寫(xiě)入的數據。
U8 rNF_RamdomRead(U32 page_number, U32 add)
{
NF_nFCE_L();//打開(kāi)nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號
NF_CMD(CMD_READ1);//頁(yè)讀命令周期1
//寫(xiě)入5個(gè)地址周期
NF_ADDR(0x00);//列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00);//列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff);//行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff);//行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff);//行地址A28
NF_CMD(CMD_READ2);//頁(yè)讀命令周期2
NF_DETECT_RB();//等待RnB信號變高，即不忙
NF_CMD(CMD_RANDOMREAD1);//隨意讀命令周期1
//頁(yè)內地址
NF_ADDR((char)(add&0xff));//列地址A0~A7
NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f));//列地址A8~A11
NF_CMD(CMD_RANDOMREAD2);//隨意讀命令周期2
return NF_RDDATA8();//讀取數據
}
U8 rNF_RamdomWrite(U32 page_number, U32 add, U8 dat)
{
U8 temp,stat;
NF_nFCE_L();//打開(kāi)nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號
NF_CMD(CMD_WRITE1);//頁(yè)寫(xiě)命令周期1
//寫(xiě)入5個(gè)地址周期
NF_ADDR(0x00);//列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00);//列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff);//行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff);//行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff);//行地址A28
NF_CMD(CMD_RANDOMWRITE);//隨意寫(xiě)命令
//頁(yè)內地址
NF_ADDR((char)(add&0xff));//列地址A0~A7
NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f));//列地址A8~A11
NF_WRDATA8(dat);//寫(xiě)入數據
NF_CMD(CMD_WRITE2);//頁(yè)寫(xiě)命令周期2
delay(1000);//延時(shí)一段時(shí)間
NF_CMD(CMD_STATUS);//讀狀態(tài)命令
//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語(yǔ)句的作用與NF_DETECT_RB();相同
do{
stat =NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));
NF_nFCE_H();//關(guān)閉nandflash片選
//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則寫(xiě)操作正確，否則錯誤
if (stat & 0x1)
return 0x44;//失敗
else
return 0x66;//成功
}
下面介紹上文中提到的判斷壞塊以及標注壞塊的那兩個(gè)程序：rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock。在這里，我們定義在spare區的第6個(gè)地址（即每頁(yè)的第2054地址）用來(lái)標注壞塊，0x44表示該塊為壞塊。要判斷壞塊時(shí)，利用隨意讀命令來(lái)讀取2054地址的內容是否為0x44，要標注壞塊時(shí)，利用隨意寫(xiě)命令來(lái)向2054地址寫(xiě)0x33。下面就給出這兩個(gè)程序，它們的輸入參數都為塊地址，也就是即使僅僅一頁(yè)出現問(wèn)題，我們也標注整個(gè)塊為壞塊。
U8 rNF_IsBadBlock(U32 block)
{
return rNF_RamdomRead(block*64, 2054);
}
U8 rNF_MarkBadBlock(U32 block)
{
U8 result;
result = rNF_RamdomWrite(block*64, 2054, 0x33);
if(result == 0x44)
return 0x21;//寫(xiě)壞塊標注失敗
else
return 0x60;//寫(xiě)壞塊標注成功
}
關(guān)于nandflash的基本操作就講解到這里，當然nandflash還有一些其他復雜的操作，如邏輯地址與物理地址的轉換，壞塊的替代等，這些內容本文就不再介紹了
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