初識STM8S的電源管理

下面是我對電源管理部分的理解，這是我看過(guò)STM8S手冊和STM8S20X器件資料后的初步認識。

除了運行模式，可以采用以下三種低功耗模式：等待、主動(dòng)停機、停機。
1）等待（Wait）模式：CPU停止工作，片上設備可以選擇被關(guān)斷，任意內部外部中斷及復位均可喚醒，耗電2.4mA@24MHz，5v。
2）主動(dòng)停機模式（Active Halt）：保留一個(gè)定時(shí)喚醒單元AWU工作，CPU和片上設備全停止工作，AWU和外部中斷及復位均可喚醒，耗電11uA - 1000uA，取決于片上穩壓器（MVR還是LPVR）和Flash模式的選擇。
3）停機模式（Halt）：CPU和片上設備完全停止工作，定時(shí)喚醒單元AWU也停止，僅由外部中斷及復位喚醒，耗電6uA～66uA，取決于Flash模式的選擇。

這樣的設置并沒(méi)有太多與眾不同，但一些細節的設計卻提供了靈活的選擇。

系統慢速運行
提供4種振蕩模式：0～24MHz外部晶體SHE、外部時(shí)鐘、16MHz內部高速振蕩器SHI、128KHz內部低速速振蕩器LSI。內部高速振蕩器4檔可調，最大8分頻。CPU時(shí)鐘8檔可調，最大128分頻。

系統時(shí)鐘切換
可以不卡殼地安全地切換時(shí)鐘源。分自動(dòng)模式和手動(dòng)模式。自動(dòng)模式時(shí)，先設定好要切換的時(shí)鐘，程序繼續工作，無(wú)需照顧時(shí)鐘切換過(guò)程，新時(shí)鐘振蕩并穩定以后切換完成。這有助于在運行中使用較低速度的振蕩器。

在RAM中運行
系統運行于RAM中比運行于FLASH中要省電很多，4mA vs 11mA?？梢园殉Ｓ玫拇a置于RAM中運行。

關(guān)閉不用的數字片上設備
AVR是各個(gè)模塊在其寄存器中使能或關(guān)閉，STM8S則集中到兩個(gè)PCG寄存器中。因是CMOS電路，關(guān)閉時(shí)鐘就等于斷電。

換到低功耗內部穩壓器
STM8S的核心工作在1.8V，內部穩壓器有兩個(gè)，MVR和LPVR。LPVR是低功耗穩壓器，提供的電流較小但是自身功耗低。主動(dòng)停機模式下選擇PLVR，整機功耗有明顯下降。但是使用主穩壓器MVR時(shí)，從主動(dòng)停機模式下喚醒較快。

主動(dòng)停機模式和停機模式下Flash掉電
在停機模式下Flash進(jìn)入掉電模式，節約20～60uA電流，代價(jià)是喚醒時(shí)間長(cháng)幾個(gè)uS。

定時(shí)喚醒單元AWU
AWU是一個(gè)很好的設計，使得系統多一個(gè)從主動(dòng)停機模式定時(shí)喚醒的定時(shí)器，這是主動(dòng)停機模式的得名。就像整機工作在定時(shí)器中斷喚醒的模式下。但這是從主動(dòng)停機模式中醒來(lái)的，而不是從等待模式（即空閑模式）中醒來(lái)，電流節省得更多。而且，AWU的配置也相當的靈活，手冊中有一個(gè)例子，可配置為15uS到30S。相比之下，AVR的省電模式必須使用內部振蕩器時(shí)，才可以靠外部T2時(shí)鐘運行類(lèi)似的定時(shí)喚醒模式，外接晶振免談。

不過(guò)，STM8S掉電模式（停機模式）的功耗約6.5uA到5V，4.5uA到3.3V，高于Pico的AVR。不適合長(cháng)期關(guān)機保電的場(chǎng)合，例如使用2032等鋰電池的場(chǎng)合。

AVR的PicoPOWER還是可以用一用的，如果MSP430還是那么貴的話(huà)。

CLK_PCKENR2 |= 0x04; // Enable the clock for AWU
// AWU設置前必須先使能

AWU_CSR1 = 0; // 自動(dòng)喚醒設置(1S)
AWU_APR = (31-2); // f_APR = LSI 128K/31
AWU_TBR = 0x0D; // T_AWU = 2^12 / f_APR = 0.992S
AWU_CSR1_AWUEN = 1; // 啟動(dòng)AWU

#pragma vector = AWU_vector // 加的中斷地址.原頭文件漏了
__interrupt void
AWU_isr(void)
{
BYTE i;

i = AWU_CSR1; // !!!CLR FLAG
if(bitif(i,5))
WakeUpSR = 0;
else
WakeUpSR = 0xFF;
}