Flash與S3C44B0X連接時(shí)地址線(xiàn)為什么要偏移一位
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圖2 程序存儲器Nor Flash的擴展
代碼一：
#define Writeflash(addr,dat) *((volatile INT16U *)(addr<<1))=(INT16U)dat
#define Readflash(addr) (*((volatile INT16U *)(addr<<1)))
/*addr為讀寫(xiě)操作的半字地址，data則為要寫(xiě)入的半字數據。因為ARM處理器是以字節為單位
進(jìn)行數據處理的，而SST39VF160是16位數據寬度，所以，addr地址必須左移1位。*/
代碼二：
//擦除是否為空
int SST39VF160_CheckBlank(INT32U addr,INT32U WordSize)
{
INT32U i,temp;
for (i=addr;i<(addr+WordSize);i++)
{
temp=*((volatile INT16U *)(i<<1)); //地址左移一位，也就得到16位的數據了。
if(temp!=0xffff) //因為扇區被擦除后，扇區的各位都是1.所以判斷temp是否等于0xffff //0xffff
return 0; //如果扇區的各個(gè)地址都不為0xffff；則返回0
}
return 1;
}
在網(wǎng)上看到這么一段話(huà)，我琢磨不透。“S3C44B0X是按照字節編址的，而Flash ROM是以16位為一個(gè)存儲單元”是怎樣推出要“偏移一位”呢？代碼一的注釋和上一段一樣，也沒(méi)有給出是如何推導出來(lái)的。而且代碼二中的下面這行代碼的注釋更是讓我不解。前面的i被定義成INT32U 型，怎么通過(guò)左移一位就可以得到16的數據呢？懇請各位大俠給出較為詳細的解釋.
temp=*((volatile INT16U *)(i<<1)); //地址左移一位，也就得到16位的數據了。
解答：
關(guān)于那個(gè)錯位，我不知道能不能跟你說(shuō)清楚。首先，SST39VF16 FLASH是16位的，也就是以?xún)蓚€(gè)字節（半字）為最小操作單位的。也就是說(shuō)你在FLASH地址上給0x00000,則它給出的數據是第一個(gè)16位的半字；在FLASH地址上給0x00001,它給出的是第二個(gè)16位的半字；在FLASH地址上給0x00002,它給出的是第三個(gè)16位的半字。。。但ARM的地址是以字節編址的，它可以以字節單位來(lái)讀取或者寫(xiě)外設。
假設我們要讀取FLASH的第一個(gè)字節，LDRB R0,[R1];將R1內容寫(xiě)0x00000,這個(gè)時(shí)候ARM執行的是這樣的操作：
1、送出地址0x00000
2、在D0-D15上讀取數據
3、將讀到的16位數據的低8位給R0低8位（高24位為0）
假設我們要讀取FLASH的第二個(gè)字節，LDRB R0,[R1];將R1內容寫(xiě)0x00001，
這個(gè)時(shí)候ARM執行的是這樣的操作：
1、送出地址ox00001
2、在D0-D15上讀取數據
3、將讀到的16位數據的高8位給R0的低8位（高24位為0）
從上面的操作可以看到，如果我們一一對應的將ARM和FLASH得地址連接，那么我們想讀FLASH的第2個(gè)字節的話(huà)，就沒(méi)有辦法讀到了。因為你地址給0x00001,FLASH就在數據線(xiàn)上給的是第3個(gè)字節和第4個(gè)字節的數據，并將高8位（FLASH的第4個(gè)字節）給R0;如果你給的地址是0x00000的話(huà)，ARM的理解就是將數據線(xiàn)D0-D15的低8位給R0，顯然這個(gè)16位的數據是FLASH的第1個(gè)字節和第2個(gè)字節的數據，低8位指的就是第一個(gè)自己的數據。顯然怎么也讀不到FLASH的第2個(gè)數據。
我們既要遵循ARM的規則，又要讓FLASH給我們正確的數據。你自己想應該怎么辦？很簡(jiǎn)單，把ARM給的地址最低位剪掉，把剩下的給FLASH。要讀第2個(gè)字節，還是送0x00001，但是最后的1被剪掉了，FLASH得到的地址是ox00000,顯然給出的數據是第1個(gè)和第二個(gè)字節。而ARM覺(jué)得送出的地址是0x00001啊，應該把高地址給R0啊，即把第2個(gè)字節給了R0。就是一個(gè)“欺上瞞下”的過(guò)程。
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