關(guān)于MDK-NAND FLASH下載的若干問(wèn)題
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nand-flash下載:
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201611/316674.htm我的ARM板配置如下:
CPU:S3C2410
NAND FLASH:64M K9F1208
NOR FLASH:1M AM29LV800BE
SDRAM: 64M 2片HY57V561620
在target下面:
這個(gè)要根據實(shí)際硬件電路設置好,當初,不明,弄錯了,一直瞎搞,才弄了這么長(cháng)時(shí)間才搞定,
在utilities下面的flash download setup里有一個(gè)ram for algorithm 不要設置錯了,弄錯了,也沒(méi)辦法燒寫(xiě)進(jìn)去,我就是因為這個(gè)原因,花了好長(cháng)時(shí)間,直接一次偶然的機會(huì ),才搞定,現在想想真是幸運啊.
這應該是三星內存4KB設置.
剩下的就是程序的燒寫(xiě)算法了,只要不弄錯,基本就不會(huì )錯了.
由于下載到NADN FLASH 所以還需要注意的是:
調試命令文件(INI)用于使用軟件仿真和聯(lián)機測試時(shí),以下是幾個(gè)常用的命令,用戶(hù)可以根據調試需要來(lái)寫(xiě)自己的調試命令文件.
pc=0x00000000
令PC指向0x30000000處;(例程在RAM中運行時(shí)指向0x30000000,如果在Flash中運行則指向0x000)
map 0x00000000, 0x04000000 READ WRITE exec
指定某段存儲區域的屬性為可讀,可寫(xiě),可執行;
Go startaddr, stopaddr
程序從startaddr開(kāi)始執行,到stopaddr處停止;起始地址都可以缺省. 也可用函數名表示地址例如 G , main
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