關(guān)于A(yíng)RM和存儲器地址線(xiàn)錯位連接詳解

首先，SST39VF16 FLASH是16位的，也就是以?xún)蓚€(gè)字節（半字）為最小操作單位的。也就是說(shuō)你在FLASH地址上給0x00000,則它給出的數據是第一個(gè)16位的半字；在FLASH地址上給0x00001,它給出的是第二個(gè)16位的半字；在FLASH地址上給0x00002,它給出的是第三個(gè)16位的半字。。。但ARM的地址是以字節編址的，它可以以字節單位來(lái)讀取或者寫(xiě)外設。
假設我們要讀取FLASH的第一個(gè)[color=#FF0000]字節[/color]，LDRB R0,[R1];將R1內容寫(xiě)0x00000,這個(gè)時(shí)候ARM執行的是這樣的操作：
1、送出地址0x00000
2、在D0-D15上讀取數據
3、將讀到的16位數據的[color=#FF0000]低[/color]8位給R0低8位（高24位為0）

假設我們要讀取FLASH的第二個(gè)[color=#FF0000]字節[/color]，LDRB R0,[R1];將R1內容寫(xiě)0x00001，
這個(gè)時(shí)候ARM執行的是這樣的操作：
1、送出地址ox00001
2、在D0-D15上讀取數據
3、將讀到的16位數據的[color=#FF0000]高[/color]8位給R0的低8位（高24位為0）

從上面的操作可以看到，如果我們一一對應的將ARM和FLASH得地址連接，那么我們想讀FLASH的第2個(gè)字節的話(huà)，就沒(méi)有辦法讀到了。因為你地址給0x00001,FLASH就在數據線(xiàn)上給的是第3個(gè)字節和第4個(gè)字節的數據，并將高8位（FLASH的第4個(gè)字節）給R0;如果你給的地址是0x00000的話(huà)，ARM的理解就是將數據線(xiàn)D0-D15的低8位給R0，顯然這個(gè)16位的數據是FLASH的第1個(gè)字節和第2個(gè)字節的數據，低8位指的就是第一個(gè)自己的數據。顯然怎么也讀不到FLASH的第2個(gè)數據。
我們既要遵循ARM的規則，又要讓FLASH給我們正確的數據。你自己想應該怎么辦？很簡(jiǎn)單，把ARM給的地址最低位剪掉，把剩下的給FLASH。要讀第2個(gè)字節，還是送0x00001，但是最后的1被剪掉了，FLASH得到的地址是ox00000,顯然給出的數據是第1個(gè)和第二個(gè)字節。而ARM覺(jué)得送出的地址是0x00001啊，應該把高地址給R0啊，即把第2個(gè)字節給了R0。就是一個(gè)“欺上瞞下”的過(guò)程。