STM32的FLASH簡(jiǎn)單應用
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主存儲塊：小容量產(chǎn)品 4K×64位
中容量產(chǎn)品 16K×64位
大容量產(chǎn)品 64K×64位
信息塊： 258×64位
閃存模塊組織織：
中容量（每頁(yè)1K）和大容量（每頁(yè)2K）的參照數據手冊。
閃存存儲器被組織成32位寬的存儲器單元，可以存放代碼和數據常數。每一個(gè)閃存模塊都有一個(gè)特定的啟始地址。
此次測試目的在于利用閃存存儲器存放數據，并不是實(shí)現程序燒錄功能，所以，只關(guān)注存儲器的讀寫(xiě)，保護功能留待日后再研究。
下面的例子是從0x08008204的地址中讀取數據dat，把數據通過(guò)串口發(fā)送到終端查看，然后修改該地址的數據，再送到終端查看，對照前后兩次的數據是否與預期值相符。先看例子：
uint32_t addr = 0x08008204; // 地址
uint32_t dat;
uint32_t addr = 0x08008204; // 地址
uint32_t dat;
FLASH_Unlock(); // 解除閃存鎖
dat = *(uint32_t *)addr; // 讀指定地址的數據
send_data(dat); // 把數據送到串口
dat = *(uint32_t *)addr; // 讀指定地址的數據
send_data(dat); // 把數據送到串口
dat+=0x10;
FLASH_ErasePage(0x08008000); // 擦除頁(yè)，輸入頁(yè)起始地址
FLASH_ProgramWord(addr,dat); // 對指定地址寫(xiě)數據
dat = *(uint32_t *)addr;
FLASH_EnableWriteProtection(FLASH_WRProt_Pages32to35); // 對頁(yè)32寫(xiě)保護，有這一句下次就寫(xiě)不入了
FLASH_Lock(); // 鎖住閃存
send_data(dat); // 前后數據對照
FLASH_ErasePage(0x08008000); // 擦除頁(yè)，輸入頁(yè)起始地址
FLASH_ProgramWord(addr,dat); // 對指定地址寫(xiě)數據
dat = *(uint32_t *)addr;
FLASH_EnableWriteProtection(FLASH_WRProt_Pages32to35); // 對頁(yè)32寫(xiě)保護，有這一句下次就寫(xiě)不入了
FLASH_Lock(); // 鎖住閃存
send_data(dat); // 前后數據對照
分析：
本例子基于64K的中容量產(chǎn)品，每頁(yè)是1K字節，0x08008204屬于第32頁(yè)。關(guān)于FLASH_ErasePage函數的輸入值，只要是第32頁(yè)內的地址都可以。
要注意的是，閃存在寫(xiě)數據前必須先進(jìn)行擦除，而且只能頁(yè)擦除，不能單字節擦除。至于為什么，查看閃存的內部結構，這里不多說(shuō)。
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