微電子所在超高速ADC/DAC芯片研制方面取得突破性進(jìn)展

　　ADC芯片采用帶插值平均的Flash結構，集成約1250只晶體管。測試結果表明，芯片可以在8GHz時(shí)鐘頻率下穩定工作，最高采樣頻率可達9GHz。超高速DAC芯片采用基于R-2R的電流開(kāi)關(guān)結構，同時(shí)集成了10Gbps自測試碼流發(fā)生電路，共包含1045只晶體管。測試結果表明，該芯片可以在10GHz時(shí)鐘頻率下正常工作。

　　超高速ADC/DAC芯片在光通訊及無(wú)線(xiàn)寬帶通信領(lǐng)域有廣闊的應用前景。這兩款芯片的研制成功，大大提升了國內單片高速ADC和DAC電路的最高采樣頻率，也為今后研制更高性能ADC/DAC電路打下了堅實(shí)的基礎。

　　圖1：高速ADC芯片評估板以及芯片照片

　　圖2：8GS/s采樣率下時(shí)鐘輸出以及D0、D1、D2數據信號眼圖實(shí)測結果

　　圖3：高速DAC芯片評估板以及芯片照片

　　圖4：微分非線(xiàn)性誤差(DNL)、積分非線(xiàn)性誤差(INL)測試結果