帶隙基準電壓源核心電路 作者： 時(shí)間：2016-11-17 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢(xún) 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 在電路中雙極晶體管構成了電路的核心，實(shí)現了VBE與VT的線(xiàn)性疊加，獲得近似為零溫度系數的輸出電壓。圖中雙極型晶體管Q1和Q2的發(fā)射區面積相同，Q3和Q4的發(fā)射區面積相同，考慮設計需求，取Q1和Q2的發(fā)射區面積為Q3和Q4的發(fā)射區面積的8倍。帶隙基準電壓源核心電路:
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