裂相延時(shí)整形互鎖電路

圖 裂相延時(shí)整形互鎖電路

　　死區時(shí)間的大小主要由以下幾方面決定：驅動(dòng)電路在開(kāi)通和關(guān)斷兩種模式工作時(shí)，信號傳遞延遲時(shí)間有差異；逆變器橋臂上下兩功率開(kāi)關(guān)器件的驅動(dòng)不可能達到完全一致；功率器件不是理想開(kāi)關(guān)，其開(kāi)通和關(guān)斷都有延時(shí)且不等。

　　因此，要綜合這幾個(gè)因素來(lái)確定死區時(shí)間的長(cháng)短，并給予一定的余量，總之要充分估計導通時(shí)控制信號到功率管開(kāi)通的最小延遲時(shí)間tonmin和關(guān)斷時(shí)控制信號到功率管關(guān)斷的最大延遲時(shí)間toffmax。則死區時(shí)間可以定為toffmax－tonmin。實(shí)際中則取死區時(shí)間略大于toffmax。

　　本文采用IGBT作逆變器的功率開(kāi)關(guān)管和EXB841驅動(dòng)模塊，EXB841最大延遲時(shí)間為1.5μs,IGBT一般不超過(guò)期3μs，因此本文死區時(shí)間定為5μs。