高抗干擾型RC復位電路

高抗干擾型RC復位電路

? 高抗干擾型RC 復位電路，應用于干擾較強的環(huán)境。
? 復位時(shí)間長(cháng)短由RRES 和CRES 的值決定。
? 復位時(shí)間的長(cháng)短，一般考慮為當系統電源穩定進(jìn)入MCU 工作范圍時(shí)，才可結束復位。當MCU 斷電時(shí)，CRES
上的電荷應盡快完全放電。
? RRES 和CRES 建議數值為100kΩ和0.1μF。
? 匹配電阻RN 和匹配電容CN 用于匹配內部設計，一般其數值10kΩ及0.01μF，即為RRES 和CRES 的1/10。
? 高抗干擾型復位電路，主要應用于強干擾環(huán)境，要求CN 電容需與MCU 的RES 和VDD 引腳的連線(xiàn)最短。