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基于DM6446嵌入式虹膜識別系統的電源設計與實(shí)現

作者: 時(shí)間:2016-10-22 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

摘要:為了實(shí)現的穩定工作,提出了一種基于的電源系統設計方案,并完成系統的硬件設計。該系統的硬件設計主要分為全局電源,和I/O模塊電源3大部分,能夠滿(mǎn)足虹膜識別系統的所有器件功耗需求。實(shí)際應用表明,該電源具有軟件可操作性,能夠使TMS320內核達到長(cháng)期且穩定工作的特點(diǎn),滿(mǎn)足了設計需求。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201610/309035.htm

關(guān)鍵詞:;;;

隨著(zhù)社會(huì )和科技的發(fā)展,身份認證的重要性日益顯現。傳統的身份識別方式由于其固有的局限性已遠遠不能滿(mǎn)足要求,于是迫切希望有一種安全可靠、易于使用的鑒別身份方式。虹膜識別以其非接觸的采集方式,最精確的識別方法,居于生物特征識別系統的首位。目前,虹膜識別系統實(shí)現平臺可分為基于PC機的虹膜識別系統和基于嵌入式的虹膜識別系統兩大類(lèi)。前者主要用于國防等國家大型管理系統等領(lǐng)域;而后者適用于小范圍認證,信息處理量不大,系統結構較為簡(jiǎn)單的高安全級別門(mén)禁系統等領(lǐng)域。

本課題研究開(kāi)發(fā)了基于的嵌入式虹膜系統,主要研究工作分為3部分:虹膜嵌入式硬件系統的實(shí)現、Linux操作系統下驅動(dòng)編寫(xiě)和虹膜算法在DSP上的移植與優(yōu)化。本文重點(diǎn)闡述在該嵌入式硬件系統實(shí)現過(guò)程中的電源設計。根據業(yè)界硬件工程師的設計電路經(jīng)驗,電源設計是電路設計的核心,只有電源在長(cháng)期穩定地工作條件下,嵌入式系統的各個(gè)模塊才可能完成其相應的工作。因此,電源的設計與實(shí)現在該嵌入式系統中占有至關(guān)重要的作用。

1 全局電源設計

在本系統中,通過(guò)考察各模塊電路和芯片參數等多方面因素,確定了整個(gè)系統的全局電源為5V輸出;由于DM6446中的ARM內核和DSP內核等均為高功耗模塊,所以在全局電源設計中,應考慮系統的最大功耗,使其能維護整個(gè)模塊系統能正常穩定工作,并杜絕過(guò)度發(fā)熱現象。

綜上所述,定義全局電源輸出電壓:Vo=5 V,負荷電流:Io-TYP=12 A,輸入電壓Vin-TYP=12 V,軟啟動(dòng)時(shí)間tss=5 ms。選用LM3150降壓電源芯片,其輸入電壓范圍可達到6~24 V,輸出電流最高達12 A,達到設計要求。

1.1 設計輸出電壓

全局穩壓電源電路圖如圖1所示,根據輸出電壓計算公式:

基于DM6446嵌入式虹膜識別系統的電源設計與實(shí)現
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1.2 使能端

該電路使用隔離的小電壓控制LM3150電源的使能引腳(EN),保證了單片機控制電路引腳不受倒灌的高電壓侵害。

軟件關(guān)機電路圖如圖2所示,在調試階段,焊接R52電阻,使得Q1基極為低,Q1斷開(kāi),Power_On端經(jīng)R10接地,使得LM3150電源電路停用;當不焊接R52電阻時(shí),Q1基極為高電平,Q1導通,此時(shí),Power_on端電壓

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,由于VPower_on>1.26 V時(shí),啟動(dòng)LM3150電源電路。(注:此時(shí)的VPower_on可依據電阻的不同阻值任意調節,實(shí)現了小電壓控制某大電壓通斷)

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在軟件關(guān)機電路中,將單片機的引腳連接到Power_set端,當Power_set端為高電平時(shí),Q2導通,使Q1基極為低;當Power_set端為低電平時(shí),Q2斷開(kāi),使Q1基極為高電平。以實(shí)現用單片機控制整個(gè)電路電源的通斷,并解決了LM3150反饋電流倒灌使單片機燒毀的問(wèn)題。

2 設計

根據DM6446內核功耗表,如表1所示,在頻率達到594 MHz的情況下,內核電壓為1.2 V,功耗為1.05 W,內核所需電流為:

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本系統設計時(shí),采用了810 MHz的DM6446,其內核功耗會(huì )高于1.05 W,所需內核電流也高于0.875 A,其內核電壓為1.3 V;并且在系統板中的FPGA(EP3C55F780)所需內核電壓為1.2 V,綜上兩種因素的考慮,因此,其一,內核電源需提供1.2 V和1.3 V兩種不同電壓;其二,為使810 MHz的DSP內核能穩定工作,需為其提供功耗余量,提供的最大電流控制在3A左右。

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設計時(shí)采用TPS54386電源芯片,它不僅能提供最大為3 A的大電流,而且還是雙電壓輸出模式。內核電源的典型電路圖如圖3所示。

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設計反饋電阻R1和R2以保證輸出電壓為理想輸出電壓。如圖4所示TPS54386反饋電路。

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3 I/O模塊電源設計

對于DSP外圍I/O口模塊電壓分別為1.8 V和3.3 V,同樣采用TPS54386電源芯片,依據以上的設計方法:

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在設計過(guò)程中,如圖5,圖6所示,考慮到DSP內核的上電時(shí)間應比I/O模塊的上電時(shí)間提前或同時(shí)發(fā)生,而兩模塊供電又是分開(kāi)的,因此需設計硬件延遲電路。

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(其中,VTH=1.2 V、IENX=6μA、R=51 kΩ),這里取C=12 pF時(shí),延遲時(shí)間為tDELAY=100 ns。

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3.1 CVDD和CVDDSP的隔離

ARM內核和DSP內核上電順序如圖7所示,DSP內核的上電時(shí)間晚于A(yíng)RM內核的上電時(shí)問(wèn),ARM上電后,使整個(gè)系統開(kāi)始正常運轉,而進(jìn)行數據處理的DSP內核應在A(yíng)RM上電一段時(shí)間后上電或不上電。所以對其提供1.3 V電壓時(shí),兩內核之間需使用功率電感延遲電流,起到隔離的作用。設計時(shí),將CVDD直接連接1.3 V電源,而CVDDSP經(jīng)過(guò)一個(gè)功率電感后,再連接1.3 V電源。

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3.2 PLL電源設計

開(kāi)關(guān)電源干擾主要來(lái)源于工頻電流的整流波形和開(kāi)關(guān)操作波形,這些波形的電流泄露到輸入部位就成為傳導噪聲和輻射噪聲,泄露到輸出部位就形成了紋波問(wèn)題。PLL外部電路如圖8所示,考慮到電磁兼容性的有關(guān)要求,在外部設計時(shí)加入EMI濾波網(wǎng)絡(luò ),隔離外部電源紋波引入,抑制開(kāi)關(guān)電源上的干擾。

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3.3 DAC內核電壓和模擬I/O電壓的設計

由于DSP內核電壓(Vcore=1.3 V)不能直接供給DAC內核(VDDAIPIV=1.2 V),為增強DAC內核電源穩定性,如圖9所示,采用功率電感L21,L22進(jìn)行紋波濾波處理。而DAC的參考電壓0.5 V無(wú)需吸入大電流,因此直接選用穩壓二極管就能實(shí)現。模擬I/O電壓VDDAIP8V=1.8 V,設計方法與上相同。

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3.4 DDR2電源設計

DDR2外部電路圖如圖10所示,DVDDR2通過(guò)EMI濾波網(wǎng)絡(luò )將1.8 V電壓接入到DDR_VDDDLL引腳,實(shí)現對DDR2供電的目的;由于DDR2接口端輸入阻抗大,所以DDR_VREF參考電壓通過(guò)兩個(gè)阻值為1 kΩ的電阻分壓為0.9 V。

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4 結論

的電源網(wǎng)絡(luò )采用軟件關(guān)機電路進(jìn)行控制,滿(mǎn)足了810 MHz的DSP等各類(lèi)高功耗內核的需求,并解決了內核上電時(shí)序先后順序及其延時(shí)問(wèn)題,提高了系統的穩定性和可靠性。該嵌入式虹膜識別系統現已量化投產(chǎn),并成功投入社會(huì )使用。根據其實(shí)際應用表明,該電源系統具有可控性好、電壓穩定、寬輸入電壓,并滿(mǎn)足嵌入式系統所有器件功耗需求等的特點(diǎn),達到了設計要求。



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