電源測量小貼士(連載五): 測試功率階段開(kāi)關(guān)特點(diǎn)
在這篇博文中,我們將介紹在無(wú)負載、標稱(chēng)負載和全負載條件下測試開(kāi)關(guān)特點(diǎn)的各個(gè)步驟。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201608/296111.htm在開(kāi)始前,應確保所有開(kāi)關(guān)的啟動(dòng)、關(guān)閉、占空比和死區時(shí)間都符合預期,如MOSFETs和IGBTs。泰克示波器包括一種高分辨率模式,從根本上提高了垂直分辨率,因此可以使用最高精度計算啟動(dòng)和關(guān)閉時(shí)間。
盡管電源的幾乎所有組件都會(huì )發(fā)生能量損耗,但絕大部分損耗發(fā)生在開(kāi)關(guān)晶體管從關(guān)閉狀態(tài)轉換到打開(kāi)狀態(tài)(或反之)的時(shí)候。使用所有開(kāi)關(guān)周期的啟動(dòng)損耗和關(guān)閉損耗的軌道圖(在DPOPWR軟件中提供),可以更加全面地了解開(kāi)關(guān)損耗,如下圖所示

開(kāi)關(guān)/關(guān)閉軌道圖
這時(shí),要檢查所有VGS信號的噪聲和碰撞。這是一個(gè)重要步驟,因為這個(gè)端子上任何非預計的毛刺都可能會(huì )導致不想要的啟動(dòng)和擊穿。為保證不可能出現擊穿,應檢查同步整流器或H橋接器的死區時(shí)間。
然后,檢驗門(mén)驅動(dòng)器和相關(guān)儀器之間的定時(shí)關(guān)系,確保其與設計的計算結果相符。
為安全地測量非參考地電平的信號,我們建議使用相應額定電壓的差分探頭。一定不要浮動(dòng)示波器,因為其會(huì )導致不好的結果。您可以考慮TDP1000、TDP0500或P6251高壓差分探頭,具體視應用而定。每種探頭都實(shí)現了高速寬帶采集和測量功能,提供了杰出的電氣性能、通用被測器件連接,而且都使用方便。
毫無(wú)疑問(wèn),很難測量浮動(dòng)門(mén)信號。我們建議在門(mén)驅動(dòng)器輸入上探測信號,這樣您可以檢驗頂部FET與底部FET之間的死區時(shí)間。
在最低電壓轉換速率上測量電流也可以幫助您最大限度地減少串擾,改善精度。
如需了解開(kāi)關(guān)損耗和傳導損耗測試要點(diǎn),請參閱本系列博文中的第6篇博文。
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