ARM對于軟銀的價(jià)值以及未來(lái)的技術(shù)走向

　　在近期的媒體會(huì )議中，ARM已從多個(gè)方面透露了其在最新技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品動(dòng)向。

　　10納米FinFET測試芯片——ARM v8-A

　　5月中旬，ARM正式發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核64位 ARM v8-A處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現。

　　此款測試芯片的成功驗證(設計定案完成于2015 年第四季度)是ARM與臺積電持續成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設計方案包含了IP、EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶(hù)采用臺積電最先進(jìn)的FinFET 工藝完成設計定案。此外，SoC 設計人員還能利用基礎 IP模塊 (包括標準組件庫、嵌入式內存及標準 I/O) 開(kāi)發(fā)最具競技爭力的 SoC，以達到最高效能、最低功耗及最小面積的目標。

　　此款最新的測試芯片是 ARM 與臺積電長(cháng)期致力于先進(jìn)工藝技術(shù)的成果，基于 2014 年 10 月宣布的首次 10納米FinFET 技術(shù)合作。ARM與臺積電共同的IC設計客戶(hù)也獲益于早期獲得ARM Artisan物理IP與ARM Cortex-A72 處理器的 16納米 FinFET+ 設計定案，此款高效能處理器已被當今多款市場(chǎng)主要和暢銷(xiāo)計算設備采用。

　　ARM執行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)部總裁Pete Hutton表示，高級移動(dòng)應用 SoC 設計的首項指導原則就是能效，因為現今市場(chǎng)對設備性能的要求越來(lái)越高。臺積電的16納米FFLL+工藝與 ARM Cortex處理器奠定了能效的新標準。我們與臺積電在10納米FinFET工藝技術(shù)上的合作，可確保在SoC層面上的效率，使我們的芯片合作伙伴在維持嚴苛的功耗標準的同時(shí)能夠有更大空間實(shí)現創(chuàng )新。

　　重新定義高端IP——ARM Mali-G71和ARM Cortex-A73

　　5月末，ARM宣布推出了最新高端移動(dòng)處理器技術(shù)組合，重新定義了2017年推出的旗艦型設備。屆時(shí)，我們將看到基于Cortex-A73與Mali-G71的設備脫穎而出，并通過(guò)移動(dòng)設備感受4K視頻，將VR和AR變成日常體驗。

　　據悉，Mali-G71圖形處理器(GPU)將進(jìn)一步推動(dòng)業(yè)界出貨量第一的ARM Mali系列發(fā)展。全新的圖形處理器可使下一代高端智能手機的圖形處理性能提升 1.5 倍，電源能效提升 20 %，且每平方毫米性能亦增加 40 %。

　　Mali-G71有效地將著(zhù)色器核心增加至最多32個(gè)，相當于Mali-T880 的兩倍，其性能表現已超越現今中端筆記本電腦中所搭載的分立GPU。Mali-G71圖形處理器全面支持一致性，有助于簡(jiǎn)化軟件開(kāi)發(fā)并提升效率，在移動(dòng)功率范圍內完整的呈現身歷其境的VR與AR體驗。Mali-G71以第三代GPU架構Bifrost為基礎，Bifrost基于前兩代 Utgard 和 Midgard 架構的革新技術(shù)。

　　據透露，目前的授權合作伙伴包括海思半導體、聯(lián)發(fā)科技與三星電子等領(lǐng)先芯片供貨商。

　　Cortex-A73 單核面積小于 0.65平方毫米(在10納米FinFET工藝技術(shù))，是至今最小、能效最佳的ARMv8-A架構“大”核。相較于Cortex-A72，其先進(jìn)的移動(dòng)微架構可使電源效率與持續性能提升30%。

　　尺寸和效率的改善讓 Cortex-A73 用于 ARM big.LITTLE 配置時(shí)擁有更大的彈性，設計人員可在單一系統單芯片(SoC)中擴展大核與 GPU 和其他 IP的配合。迄今為止，已有海思半導體、美滿(mǎn)電子科技(Marvell)和聯(lián)發(fā)科技等十家合作伙伴獲得 Cortex-A73 授權。